内存单元及用于自内存单元读出数据的方法技术

一种内存单元包括半导体基板、晶体管及第一反熔丝结构。晶体管位于半导体基板上方。第一反熔丝结构位于半导体基板上方且相邻于晶体管，并包括第一端与第二端。第一反熔丝结构的第一端位于半导体基板内且横向环绕晶体管。第一反熔丝结构的第二端位于第一反熔丝结构的第一端上方且与第一反熔丝结构的第一端间隔开。借此，可以实现高密度半导体装置。可以实现高密度半导体装置。可以实现高密度半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
内存单元及用于自内存单元读出数据的方法


[0001]本揭示内容关于一种内存单元及一种自该内存单元读出数据的方法。

技术介绍

[0002]熔丝元件通常用于半导体装置，诸如内存或逻辑设备。反熔丝具有与熔丝相反的电气特性，并且可借由用冗余单元交换有缺陷的单元来修复有缺陷的单元。
[0003]一般而言，一个反熔丝由与该反熔丝相邻的一个控制闸极控制。因此，一个单位单元界定为1T1C(1transistor
‑
1controller)，指由一个晶体管(transistor，控制闸极)及一个电容器(controller，反熔丝)组合而成的结构。然而，随着半导体装置中所需的反熔丝数量的增加，复数个单位单元会占据很大的面积。为了实现高密度半导体装置，期望单位单元的尺寸尽可能减小。

技术实现思路

[0004]本揭示内容关于一种内存单元及一种自该内存单元读出数据的方法。
[0005]根据本揭示内容的一些实施例，该内存单元包括半导体基板、晶体管及第一反熔丝结构。晶体管位于半导体基板上方。第一反熔丝结构位于半导体基板上方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内存单元，其特征在于，包含：半导体基板；晶体管，位于该半导体基板上方；以及第一反熔丝结构，位于该半导体基板上方且相邻于该晶体管，该第一反熔丝结构包含：第一端，位于该半导体基板内且横向环绕该晶体管；以及第二端，位于该第一反熔丝结构的该第一端上方且与该第一反熔丝结构的该第一端间隔开。2.根据权利要求1所述的内存单元，其中介电层位于该第一反熔丝结构的该第一端与该第二端之间。3.根据权利要求1所述的内存单元，其中该第一端的顶表面与该第二端的底表面之间的距离在约15埃与约30埃之间。4.根据权利要求1所述的内存单元，其中进一步包含隔离结构，横向环绕该晶体管。5.根据权利要求4所述的内存单元，其中该隔离结构与该第一反熔丝结构的该第一端以及该晶体管的源极及汲极中的一者接触。6.根据权利要求4所述的内存单元，其中该第一反熔丝结构的该第一端横向环绕该隔离结构。7.根据权利要求1所述的内存单元，进一步包含阱区，位于该半导体基板内，其中该阱区与该第一反熔丝结构的该第一端及该晶体管的通道接触。8.根据权利要求1所述的内存单元，其中该第一反熔丝结构的该第一端的顶表面低于该晶体管的闸极的顶表面。9.根据权利要求1所述的内存单元，其中该第一反熔丝结构的该第二端的底表面低于该晶体管的闸极的顶表面。10.根据权利要求1所述的内存单元，其中进一步包含触点，连接该晶体管的闸极及汲极。11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：