低压降稳压器及其控制方法技术

本发明专利技术公开了一种低压降稳压器及其控制方法，低压降稳压器包含放大器、第一晶体管、第二晶体管以及交换器。第二晶体管耦接于放大器以及第一晶体管。交换器耦接于第一晶体管，其中当低压降稳压器的供电电压值低于供电电压阈值，交换器的第一路径被选择且第一交换器电压值被传送至第一晶体管以完全导通第一晶体管，且低压降稳压器的输出电压值相等于供电电压值，其中当供电电压值不低于供电电压阈值，交换器的第二路径被选择且第二交换器电压值被传送至第一晶体管以关闭第一晶体管，且输出电压值是由第二晶体管以及放大器所调整。本发明专利技术在供电电压值接近目标低压降稳压器输出电压值时维持低压降稳压器输出电压值。压值时维持低压降稳压器输出电压值。压值时维持低压降稳压器输出电压值。

【技术实现步骤摘要】
低压降稳压器及其控制方法


[0001]本专利技术中所述实施例内容是有关于一种低压降稳压器及其控制方法，特别关于一种用以维持低压降稳压器的输出电压值的低压降稳压器及其控制方法。

技术介绍

[0002]低压降稳压器的通用供电电压值为1.2V。但是，当供电电压值变得低于默认值时，会引起较大的低压降稳压器输出电压值误差并提供较小的驱动电流。当电源电压值接近目标低压降稳压器输出电压值时，例如，当电源电压值与目标低压降稳压器输出电压值之间存在差异较小时，先前的设计很难维持目标低压降稳压器的输出电压值。
[0003]在一些设计中，通过类比交换器的实施，以控制输入到低压降稳压器的通路晶体管的栅极端的电压值，并且通过控制通路晶体管的电导率来调节输出电压值。然而，在先前的设计中，当存在类比交换器的控制信号上有一个转换时，会造成低压降稳压器的大输出压降，并且当造成低压降稳压器的大输出压降时，需要很长的响应时间才能达到目标输出电压。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种低压降稳压器，其在供电电压值接近目标低压降稳压器输出电压值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压降稳压器，其特征在于，包含：放大器；第一晶体管；第二晶体管，耦接于所述放大器以及所述第一晶体管；以及交换器，耦接于所述第一晶体管，其中当所述低压降稳压器的供电电压值低于供电电压阈值，所述交换器的第一路径被选择且第一交换器电压值被传送至所述第一晶体管以完全导通所述第一晶体管，且所述低压降稳压器的输出电压值相等于所述供电电压值，其中当所述供电电压值不低于所述供电电压阈值，所述交换器的第二路径被选择且第二交换器电压值被传送至所述第一晶体管以关闭所述第一晶体管，且所述输出电压值是由所述第二晶体管以及所述放大器所调整。2.如权利要求1所述的低压降稳压器，其特征在于，所述第一交换器电压值为0，且所述第二交换器电压值为所述供电电压值。3.如权利要求1所述的低压降稳压器，其特征在于，所述第一晶体管以及所述第二晶体管为PMOS晶体管。4.如权利要求1所述的低压降稳压器，其特征在于，当所述输出电压值低于输出电压阈值，输入至所述第二晶体管的放大器输出值降低，其中当所述输出电压值不低于所述输出电压阈值，输入至所述第二晶体管的所述放大器输出值升高。5.如权利要求4所述的低压降稳压器，其特征在于，所述放大器的第一输入端接收所述输出电压阈值，所述放大器的一第二输入端接收所述输出电压值，且所述放大器的一输出端输出所述放大器输出值。6.如权利要求4所述的低压降稳压器，其特征在于，当输入至所述第二晶体管的所述放大器输出值降低，所述输出电压值升高，且当输入至所述第二晶体管的所述放大器输出值升高，所述输出电压值降低。7.一种控制方法，适用于低压降稳压器...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐浩桓，颜琳臻，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：