本公开关于一种载入端装置、一气体闸及一种气体提供方法。该载入端装置包括一气体供应喷嘴及一气体闸。该气体供应喷嘴，可应经配置以提供一气体至一晶圆容器。该气体闸包括多个气体入口端、一气体提供端及一控制器。各气体入口端将连接至一气体源。该气体...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一第一绝缘层、一第一处理后流动层、一第二绝缘层以及一第二处理后流动层；该第一绝缘层位在该基底中；该第一处理后流动层位在该第一绝缘层与该基底之间；该第二绝缘层位在该...

本公开提供一种垂直电子熔丝元件及该垂直电子熔丝元件的制备方法。该垂直电子熔丝元件具有一熔丝链，设置在一半导体基板上。该熔丝链的材料以及该半导体基板的材料为相同。该垂直电子熔丝元件亦具有一第一下阳极/阴极区以及一第二下阳极/阴极区，该第一...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一第一晶粒、一第一导电特征、一第二晶粒、一第一遮罩层、一导电填充层、多个绝缘层以及多个保护层；该第一导电特征位在该第一晶粒中；该第二晶粒位在该第一晶粒上；该第一遮罩层位在...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一第一芯片、一第一导电特征、一第二芯片、一第一掩模层、一第二掩模层、一导电填充层、多个绝缘层以及多个保护层；该第一导电特征位在该第一芯片中；该第二芯片位在该第一芯片上；该...

本发明公开了一种低压降稳压器及其控制方法，低压降稳压器包含放大器、晶体管以及选择器。晶体管耦接于放大器。选择器耦接于放大器以及晶体管。当晶体管的供应电压值低于供应电压阈值时，选择器的第一路径被选择，且第一选择器电压值由选择器传送至晶体管...

本发明公开了一种半导体封装装置，包括基板、存储器芯片、去耦阵列。基板具有上表面、电源端、接地端。存储器芯片位于基板的上表面，且存储器芯片具有电源焊垫，而电源焊垫经由节点电性连接至电源端以接收电力。去耦阵列设置于基板的上表面，而去耦阵列包...

本发明公开了一种存储器封装结构，包括基板、存储器芯片以及电阻。基板具有接脚。接脚包括用以传输数据信号的数据接脚。存储器芯片设置于基板上。接合垫位于存储器芯片上。接合垫包括数据接合垫。数据接合垫用于从数据接脚接收数据信号或从存储器芯片传输...

本公开提供一种具有主动中介层的半导体元件及其制备方法。半导体元件包括：一主动中介层，包括一可编程单元；一第一存储器晶粒，位于该主动中介层上方且包括一存储单元；以及一第一逻辑晶粒，位于该主动中介层下方。该主动中介层、该第一存储器晶粒、和该...

本发明公开了一种自然语言处理系统与方法及计算机可读存储介质，其中自然语言处理系统包括储存装置以及处理器。储存装置用于储存半导体设备的故障历史的多条记录，其中半导体设备的故障历史的多条记录包括自然语言。处理器电性连接储存装置，处理器用于对...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基板、浅沟槽隔离结构、第一栅极结构、第二栅极结构、第一接触件以及第二接触件。基板具有主动区。浅沟槽隔离结构位于基板中且邻接主动区。第一栅极结构与第二栅极结构位于主动区上，其中第一栅极...

本发明公开了一种堆叠式电容器结构及其形成方法，堆叠式电容器结构包含基板、第一、第二、第三和第四支撑层、第一、第二和第三绝缘层、第一、第二和第三孔洞以及电容器。第一支撑层设置于基板上方。第一绝缘层设置于第一支撑层上。第二支撑层设置于第一绝...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括第一基板、第一重分布线垫以及第一接合垫。第一基板具有第一导电垫。第一重分布线垫位于第一导电垫上，且第一重分布线垫延伸至第一基板的顶面。第一接合垫位于第一重分布线垫的第一部分上，其中第...

本公开提供一种具有封装后修复功能的存储器元件及其操作方法。该操作方法包括提供一存储库，其是具有一存储器阵列以及一感测放大器，该感测放大器邻近该存储器阵列设置，其中该存储器阵列包括至少一缺陷列以及至少一关联列，且该至少一关联列通过多个位元...

本发明公开了一种半导体装置，包括基板以及芯片。芯片设置于基板上，且芯片包括主动表面及至少一个金属垫。金属垫设置于主动表面上，金属垫包括第一垫部及第二垫部，第一垫部及第二垫部相互分离以形成开路，其中第一垫部包括凸起结构，第二垫部包括凹入结...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，形成半导体结构的方法包括以下步骤。形成基板，其中基板具有主动区、相邻主动区的隔离结构以及在主动区上的接触件。在基板上形成介电堆叠。蚀刻介电堆叠，以形成开口，使得基板的接触件被暴露，其中开口具有底部...

本发明公开了一种半导体封装件，包括第一半导体晶圆、第一基板、第二半导体晶圆以及第二基板。第一基板设置于第一半导体晶圆上。第一基板包括多个第一金属线层彼此垂直地间隔开，且每一个第一金属线层电性连接至接地源以及不同类型的电源的其中一个。第二...

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包含半导体基底，具有图案密集区以及图案稀疏区；绝缘组件，界定出第一主动区以及第二主动区在图案密集区中；第一掺杂区以及第二掺杂区，位在第一主动区与第二主动区中；第一金属栓塞以及第二...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括第一基板、第二基板、金属层、缓冲结构以及阻障结构。第一基板具有支撑垫。第二基板设置于第一基板上。金属层设置于第二基板内，且从支撑垫延伸至第二基板的顶面。缓冲结构设置于第二基板内，且被...

本发明公开了一种测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法，测试阵列结构包括基板、第一胞、第二胞、第一与第二位线环以及四个字线。第一与第二胞中的每一个都具有依序排列且彼此连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区。第...