【技术实现步骤摘要】
存储器封装结构
[0001]本专利技术有关于一种存储器封装结构。
技术介绍
[0002]对于第四代双倍资料率同步动态随机存取存储器(double-data-rate fourth generation,DDR4 DRAM)或是LPDDR4,是在20纳米及以下尺度的工艺来形成,而这些类型的存储器没有用于减少信号失真的连续时间线性均衡器(continuous time linear equalizer),且信号失真会出现在这些存储器所接收/传输高频数据信号中。高频数据信号例如是频率大于2933MHz时钟资料率时,其所产生的信号失真包括过冲(overshoot)或下冲(undershoot)现象。
[0003]因此,如何改善包括过冲或下冲现象的信号扭曲,是所属领域技术人员所欲解决的课题之一。
技术实现思路
[0004]本专利技术的一目的有关于一种存储器封装结构,其可以改善数据信号的传输品质并稳定波形。
[0005]根据本专利技术的一实施方式,一种存储器封装结构包括基板、存储器芯片以及电阻。基板具有接 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器封装结构,其特征在于,包括:基板,具有多个接脚,其中所述多个接脚包括用以传输数据信号的多个数据接脚;存储器芯片,设置于所述基板上,其中多个接合垫位于所述存储器芯片上,所述多个接合垫包括多个数据接合垫,所述多个数据接合垫用于从所述多个数据接脚接收数据信号或从所述存储器芯片传输数据信号出去;以及多个电阻,位于所述基板上,其中所述多个数据接合垫的每一个都通过所述多个电阻中相应的电阻连接至所述多个接脚中相应的接脚。2.如权利要求1所述的存储器封装结构,其特征在于,每一个所述电阻具有小于100欧姆的电阻值。3.如权利要求1所述的存储器封装结构,其特征在于,所述基板包括顶面与底面,所述存储器芯片与所述多个电阻位于所述顶面上,所述多个接脚是位于所述底面上的多个焊球,所述多个电阻连接所述多个焊球,所述多个电阻通过所述基板内的多个电路来连接至所述多个焊球与所述存储器芯片的所述多个接合垫,并且所述多个电路延伸到所述顶面与所述底面。4.如权利要求3所述的存储器封装结构,其特征在于,所述基板进一步包括通孔,所述存储器芯片的所述多个接合垫面对所述顶面并对准所述通孔,所述存储器芯片的所述多个接合垫通过所述通孔连接至位于所述底面上的所述多个电路。5.如权利要求1所述的存储器封装结构,其特征在于,所述存储器芯片与所述电阻位于所述基板的顶面上,并且所述多个电阻位于所述存储器芯片的相对两侧...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨吴德,
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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