测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法技术

本发明专利技术公开了一种测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法，测试阵列结构包括基板、第一胞、第二胞、第一与第二位线环以及四个字线。第一与第二胞中的每一个都具有依序排列且彼此连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区。第一胞的第一漏极区与第一栅极区位于第一位线环内。第一胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第一位线环与第二位线环之间。第二胞的第一漏极区与第一栅极区位于第二位线环内。第二胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第一与第二位线环之外。第一胞的第二漏极区与第二胞的第一漏极区位于其中二个彼此最相邻的字线之间。借此，能够测试晶圆结构在二个不同方向上的电流泄漏，从而确认晶圆结构的品质。晶圆结构的品质。晶圆结构的品质。

【技术实现步骤摘要】
测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法


[0001]本专利技术有关于测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法。

技术介绍

[0002]对于半导体装置的制作，如何确认晶圆的品质是一个很重要的课题。因此，在晶圆上能够执行多种不同的电性参数测试。对于被测试的晶圆来说，在被测试的晶圆上可以设置一个测试晶片，而工程师能通过量测测试晶片的电性，来确认被测试的晶圆的品质。
[0003]测试晶片可以是一个小型阵列测试元件组(mini array test element group,TEG)。然而，对于传统的具有容器的阵列测试元件组来说，是难以测试出于彼此垂直的二个方向上是否有电流泄漏的情况发生。

技术实现思路

[0004]为了达到上述目的，本专利技术的一些实施例有关于测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法。
[0005]本专利技术的一实施例有关于一种测试阵列结构。测试阵列结构包括基板、第一胞与第二胞、位于基板上的第一位线环与第二位线环，以及位于第一与第二位线环之上的第一字线、第二字线、第三字线与第四字线。第一与第二胞中每一个都具有依序本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试阵列结构，其特征在于，包括：基板；第一胞与第二胞，其中所述第一与第二胞中每一个都具有依序排列并连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区；第一位线环与第二位线环，位于所述基板上，其中所述第一胞的所述第一漏极区与所述第一栅极区位于所述第一位线环内，所述第一胞的所述第二栅极区以及所述第二漏极区位于所述第一位线环与所述第二位线环之间，所述第二胞的所述第一漏极区与所述第一栅极区位于所述第二位线环内，并且所述第二胞的所述第二栅极区以及所述第二漏极区位于所述第一与第二位线环之外；以及第一字线、第二字线、第三字线与第四字线，位于所述第一与第二位线环之上，其中所述第一胞的所述第二漏极区与所述第二胞的所述第一漏极区位于所述第二与第三字线之间。2.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，所述第一与第二位线环中的每一个都是沿第一方向延伸的封闭椭圆环。3.如权利要求2所述的测试阵列结构，其特征在于，所述第一、第二、第三以及第四字线彼此平行并延伸于垂直所述第一方向的第二方向。4.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，进一步包括：多个电容，其中所述多个第一与第二漏极区中每一个都分别连接至所述多个电容中相应的电容。5.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，所述第一胞的所述源极区位于所述第一位线环下并连接至所述第一位线环，所述第二胞的所述源极区位于所述第二位线环下并连接至所述第二位线环。6.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，所述第一胞的所述第一栅极区位于所述第一字线下并连接至所述第一字线，所述第一胞的所述第二栅极区位于所述第二字线下并连接所述第二字线，所述第二胞的所述第一栅极区位于所述第三字线下并连接至所述第三字线，所述第二胞的所述第二栅极区位于所述第二字线下并连接所述第四字线。7.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，进一步包括：第三胞，具有依序排列并连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区，其中所述第三胞的所述第一漏极区...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨仓博，饶瑞修，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：