南亚科技股份有限公司专利技术

南亚科技股份有限公司共有2444项专利

  • 本公开提供一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构具有一封装基底、一下元件晶粒、一上元件晶粒以及一额外封装基底。该下元件晶粒贴合在该封装基底上。该上元件晶粒贴合到该下元件晶粒上,而其主动侧是背对该下元件晶粒。多个晶粒输入/输出位...
  • 本公开提供一种半导体元件的测试设备及测试方法。该测试设备具有一测试器、一接口板、一屏蔽件、一气体供应单元、一温度感测装置以及一控制器;该接口板设置在该测试器上,并经配置以容纳该半导体元件且连接干半导体元件到该测试器;该屏蔽件设置在该接口...
  • 本发明公开了一种半导体结构及半导体布局结构,半导体布局结构包含基板、多个栅极结构及多个导电结构。基板包含沿第一方向延伸的多个主动区,其中多个主动区通过隔离结构彼此分隔。多个栅极结构沿垂直于第一方向的第二方向构横跨多个主动区,其中每个主动...
  • 本发明公开了一种制造半导体结构的方法,包含以下操作。提供沿第一方向延伸的基板。形成横跨基板的沟槽以定义第一主动区及第二主动区。在沟槽中形成底部隔离结构,其中底部隔离结构暴露基板的侧壁的一部分。氧化基板暴露的侧壁以在底部隔离结构上形成顶部...
  • 本公开提供一种半导体封装结构及该半导体封装结构的制备方法。该半导体封装结构具有一第一半导体结构以及一第二半导体结构,该第二半导体结构与该第一半导体结构接合在一起。该第一半导体结构具有一第一接合表面。该第二半导体结构具有一第二接合表面,该...
  • 本公开提供一种半导体存储器元件及其制备方法。该半导体存储器元件具有一绝缘层、一第一掺杂区、一第一字元线、一高位面位元线接触点以及一第一气隙,该绝缘层界定一第一主动区在一基底中,该第一掺杂区位在该第一主动区中,该第一字元线埋置在一第一构槽...
  • 本公开提供一种半导体封装体及其制造方法。该半导体封装体包括一第一半导体结构以及与该第一半导体结构接合的一第二半导体结构。该第一半导体结构具有一第一接合表面。该第二半导体结构具有一第二接合表面,其与该第一接合表面部分地接触。该第一接合表面...
  • 本公开提供一种半导体结构以及该半导体结构的制备方法,该半导体结构具有一有机介电层,该有机介电层设置在一接合垫下,并经配置以释放应力。该半导体结构具有一基底、一第一介电层、一第二介电层、一导电通孔、一第三介电层以及一接合垫;该基底具有一第...
  • 本公开提供一种半导体结构与其制备方法。该半导体结构具有一第一晶片、一第二晶片以及一导电结构;该第一晶片具有一第一介电层以及一第一元件,该第一元件设置在该第一介电层中;该第二晶片设置在该第一晶片上,并具有一第二介电层以及一第二元件,该第二...
  • 提供一种半导体存储器元件及其制备方法。半导体存储器元件具有一基底、一绝缘组件、一栅极结构、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一位元线、一气隙、一电容栓塞以及一着陆垫;绝缘组件界定出一主动区在基底中,绝缘组件具有一第一P型离子浓度;栅极结构设置...
  • 本公开的一实施例提供一种具有气隙的半导体元件,用以降低在多个导电特征之间的电容耦合。该半导体元件包括:一基板;一第一导电线,设置于该基板上且具有二侧;一第一突出部,该设置在该第一导电线的其中一侧;一第二导电线,邻近该第一导电线设置且具有...
  • 本公开提供一种半导体晶粒结构及该半导体晶粒结构的制备方法。该半导体晶粒结构具有一基底、一第一支撑主链、一第二支撑主链、一第一导体块、一第二导体块、一第三导体块以及一气隙结构;该第一支撑主链设置在该基底上;该第二支撑主链设置在该基底上;该...
  • 本公开提供一种影像处理系统及其方法。该系统具有一影像撷取单元以及一影像处理单元。该影像撷取单元包括一相机、一光源以及一晶圆传输平台。该相机撷取一晶圆标记的影像。该光源是一可变光源,能够投射经过在该晶圆标记上的多个化学残留物,其中该相机通...
  • 本公开提供一种具有气隙的垂直存储器结构及该垂直存储器结构的制备方法。该垂直存储器结构具有一半导体堆叠、多个栅极电极以及多个气隙结构;该半导体堆叠具有一下半导体图案结构,该下半导体图案结构充填在一基底上的一凹陷,并从该基底的一上表面在一第...
  • 本公开提供一种具有气隙结构的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构具有一第一导电接触点以及一第二导电接触点,是设置在一半导体基底上。该半导体元件结构亦包括一第一介电层以及一第二介电层,该第一介电层围绕该第一导电接触点与该第二导电接...
  • 本公开提供一种半导体元件的制备方法,用以降低在多个导电特征之间的电容耦合。该半导体元件制备方法包含下列步骤:形成一第一导电线,该第一导电线具有一第一突出部,是从该第一导电线的其中一侧突伸;形成一第二导电线,该第二导电线具有一第二突出部,...
  • 本发明公开了一种形成图案的方法,包括以下步骤:提供结构,包括基板以及目标层,其中目标层设置于基板上,以及目标层包括中央区以及周边区;形成多个核心图案以及线型分隔图案在中央区上,其中线型分隔图案的宽度大于50纳米;在周边区上覆盖光阻;移除...
  • 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一字元线、多个第一杂质区、一第二杂质区以及一绝缘膜。该字元线呈W形,并位在该基底中,且具有一底座以及一对脚部,该对脚部连接到该底座。所述第一杂质区设置在该基底中,并位在该字元...
  • 本发明公开了一种半导体封装件,包括第一基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第二基板、至少一个第一焊球、至少一个第二焊球以及至少一个第三焊球。第一半导体芯片设置在第一基板上。第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上。第二基板设置在第二半导体...
  • 本公开提供一种元件晶粒、一种晶粒组件、及一种电子系统。该元件晶粒包括一封装体和多个转接垫,其设置于该封装体的一功能性表面上。所述多个转接垫被分为与彼此电性隔离的多个区段。在相邻对的转接垫中,转接垫之间只存在一个电性连接,包括其中一转接垫...