垂直电子熔丝元件及其制备方法技术

本公开提供一种垂直电子熔丝元件及该垂直电子熔丝元件的制备方法。该垂直电子熔丝元件具有一熔丝链，设置在一半导体基板上。该熔丝链的材料以及该半导体基板的材料为相同。该垂直电子熔丝元件亦具有一第一下阳极/阴极区以及一第二下阳极/阴极区，该第一下阳极/阴极区与该第二下阳极/阴极区设置在该半导体基板上。该熔丝链的一下部夹置在该第一下阳极/阴极区与该第二下阳极/阴极区之间。该垂直电子熔丝元件还具有一上阳极/阴极区，设置在该熔丝链上。丝链上。丝链上。

【技术实现步骤摘要】
垂直电子熔丝元件及其制备方法


[0001]本申请案主张2020年7月7日申请的美国正式申请案第16/922,628号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是关于一种电子熔丝(e
‑
fuse)元件及其制备方法。特别是有关于一种垂直电子熔丝元件及其制备方法。

技术介绍

[0003]集成电路(IC)元件通常在制造制程期间与所有电子内部连接组件一起制造。然而，由于用于形成如此IC元件的发展成本高、制造时间长以及制造工具成本高，所以使用者通常要求可在现场配置或编程电路。如此的电路是称为可编程电路，且其通常包含可编程链(programmable links)。所述可编程链为电子内连接，在IC元件已经被制造与封装以便活化(activate)或去活化(deactivate)各个选定的电子节点之后，使用者在选定的电子节点处折断或创建了电子内部连接。
[0004]所述可编程链的其中一种是为一电子熔丝(e
‑
fuse)元件。电子熔丝元件是利用在用于各式不同应用的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直电子熔丝元件，包括：一熔丝链，设置在一半导体基板上，其中该熔丝链的材料与该半导体基板的材料是相同；一第一下阳极/阴极区以及一第二下阳极/阴极区，设置在该半导体基板上，其中该熔丝链的一下部是夹置在该第一下阳极/阴极区与该第二下阳极/阴极区之间；以及一上阳极/阴极区，设置在该熔丝链上。2.如权利要求1所述的垂直电子熔丝元件，其中，该上阳极/阴极区具有一刻面部。3.如权利要求1所述的垂直电子熔丝元件，其中，该熔丝链是掺杂有一n型掺杂物。4.如权利要求1所述的垂直电子熔丝元件，其中，从顶视图来看，该熔丝链与该上阳极/阴极区是呈环形形状。5.如权利要求1所述的垂直电子熔丝元件，还包括：一硅化物层，设置在该第一下阳极/阴极区上；以及一下间隙子层，设置在该硅化物层上，其中该硅化物层与该熔丝链是通过该下间隙子层而分开设置。6.如权利要求1所述的垂直电子熔丝元件，还包括：一第一熔丝介电层，设置在该第一下阳极/阴极区上；以及一第二熔丝介电层，设置在该第二下阳极/阴极区上，其中该第一下阳极/阴极区与该第一熔丝介电层直接接触该熔丝链的一第一侧壁，以及该第二下阳极/阴极区与该第二熔丝介电层直接接触该熔丝链的一第二侧壁。7.如权利要求6所述的垂直电子熔丝元件，还包括：一第一导电层，设置在该第一熔丝介电层上，其中该第一导电层与该熔丝链是通过该第一熔丝介电层而分开设置；以及一第二导电层，设置在该第二熔丝介电层上，其中该第二导电层与该熔丝链是通过该第二熔丝介电层而分开设置。8.一种垂直电子熔丝元件，包括：一环状熔丝链，设置在一半导体基板上，其中该环状熔丝链的材料与该半导体基板的材料是相同；一第一下阳极/阴极区，是被该环状熔丝链的一下部所围绕；一第二下阳极/阴极区，围绕该环状熔丝链的该下部设置；以及一上阳极/阴极区，设置在该环状熔丝链上。9.如权利要求8所述的垂直电子熔丝元件，其中，该上阳极/阴极区呈环状，以及该上阳极/阴极区直接接触该环状熔丝链的一上表面。10.如权利要求8所述的垂直电子熔丝元件，其中，该第一下阳极/阴极区邻接该环状熔丝链的一内侧壁，以及该第二下阳极/阴极区邻接该环状熔丝链的一外侧壁。11.如权利要求8所述的垂直电子熔丝元件，还包括：一第一硅化物层，设置在该第一下阳极/阴极区上；以及一第二硅化物层，设置在该第二下阳极/阴极区上，其中该第一硅化物层与该第二硅化物层是与该环状熔丝链分开设置。12.如权利要求8所述的垂直电子熔丝元件，还包括：
一第一熔丝介电层，设置在该环状熔丝链的一内侧壁上，其中该第一熔丝介电层延伸在该第一下阳极/阴极区上...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄至伟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：