半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括第一基板、第一重分布线垫以及第一接合垫。第一基板具有第一导电垫。第一重分布线垫位于第一导电垫上，且第一重分布线垫延伸至第一基板的顶面。第一接合垫位于第一重分布线垫的第一部分上，其中第一重分布线垫的第一部分与第一基板的顶面重叠。通过上述的结构，可抑制第一接合垫内不期望的空隙的形成，从而改善第一接合垫的均匀性，因此可以改善半导体结构的效能。善半导体结构的效能。善半导体结构的效能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本
技术实现思路
是有关于一种半导体结构以及形成半导体结构的方法。

技术介绍

[0002]随着电子工业的快速发展，积体电路(IC)的发展已经实现了高效能与微型化。集成电路的材料与设计的技术进步已经产生了数代的集成电路，其中每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。随着单一芯片上的电子元件的数量快速地增加，已将三维(3D)集成电路布局或堆叠芯片设计用于某些半导体元件，以克服与二维(2D)布局相关的特征尺寸与密度限制。
[0003]在硅芯片的导电垫(也视为顶金属)上执行测试工艺(test process)以监测硅芯片的良率。然而，通常在测试工艺与随后的蚀刻工艺中可能使导电垫的厚度减少，从而在导电垫上造成损坏。导电垫上的损坏可能导致导电垫断裂的潜在风险，从而导致半导体元件的效能降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一技术目的为提供一种半导体结构，其可抑制第一接合垫内不期望的空隙的形成，从而改善第一接合垫的均匀性，因此可以改善半导体结构的效能。
[0005]根据本专利技术一些实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：第一基板，具有第一导电垫；第一重分布线垫，位于所述第一导电垫上，且所述第一重分布线垫延伸至所述第一基板的顶面；以及第一接合垫，位于所述第一重分布线垫的第一部分上，其中所述第一重分布线垫的所述第一部分与所述第一基板的所述顶面重叠。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一重分布线垫的所述第一部分具有平坦顶面，且所述第一接合垫接触所述平坦顶面。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一重分布线垫还具有第二部分，所述第二部分邻接所述第一部分且与所述第一导电垫重叠，以及所述第一接合垫与所述第一重分布线垫的所述第二部分分隔。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接合垫具有底部分及位于所述底部分上的顶部分，以及所述底部分在所述第一基板的所述顶面上的垂直投影区与所述第一导电垫的中央部分在所述第一基板的所述顶面上的垂直投影区分隔。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：介电层，位于所述第一基板上且包围所述第一重分布线垫。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：介电层，位于所述第一重分布线垫上且包围所述第一接合垫。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：第二基板，位于所述第一基板上。8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包含：第二接合垫，位于所述第一接合垫上。9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包含：第二重分布线垫，位于所述第二基板与所述第二接合垫之间。10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接合垫与所述第二接合垫位于所述第一重分布线垫与所述第二重分布线垫之间。11...

【专利技术属性】
技术研发人员：康庭慈，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：