半导体结构制造技术

本公开提出一种具有一测试结构的半导体结构。该半导体结构包括一半导体基底、一存储器元件以及一测试结构。该存储器元件经设置在该半导体基底上，且具有一元件区域以及一边缘区域。该边缘区域包围该元件区域。该测试结构经设置在该半导体基底上，且包括一虚设区域、一测试边缘区域以及多个单元胞。该测试边缘区域包围该虚拟区域。该多个单元胞，其具有配置在该虚设区域中的一第一组单元胞，以及配置在该测试边缘区域的一第二组单元胞；该第二组单元胞包括该多个单元胞中最外面的单元胞。该边缘区域在一俯视图中包围的一边缘区域形状与该测试边缘区域在该俯视图中所围的一测试边缘区域形状不同。缘区域形状不同。缘区域形状不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
[0001]本专利技术主张2020年8月11日申请的美国正式申请案第16/990,654号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本专利技术中。


[0002]本公开涉及一种半导体结构。尤其涉及一种具有一测试结构的半导体结构。

技术介绍

[0003]在存储器元件的制造过程中，需通过多次的制造步骤以形成所期望的元件。例如，形成一个DRAM的制造过程中，形成电容器与晶体管需经过许多的步骤。为确保元件结构通过多次的制造步骤而完整的形成在晶片上，通常会在晶片上形成一个测试结构，以在元件制造过程中进行元件功能的测试。
[0004]上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本专利技术的任一部分。

技术实现思路

[0005]本公开提供一种半导体结构，其具有一半导体基底、一存储器元件以及一测试结构。该存储器元件经设置在该半导体基底上，且具有一元件区域以及一边缘区域。该边缘区域包围该元件区域。该测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一半导体基底；一存储器元件，设置在该半导体基底上，且包括：一元件区域；以及一边缘区域，邻近该元件区域设置；以及一测试结构，设置在该半导体基底上，且包括：一虚设区域；一测试边缘区域，邻近该虚设区域设置；以及多个单元胞，其具有配置在该虚设区域中的一第一组单元胞，及配置在该测试边缘区域的一第二组单元胞；其中该第二组单元胞包括该多个单元胞中最外面的单元胞，且该边缘区域在一俯视图中包围的一边缘区域形状与该测试边缘区域在一俯视图中包围的一测试边缘区域形状不同。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该测试边缘区域在该俯视图中的一测试边缘区域边线与该边缘区域在该俯视图中的一边缘区域边线平行；以及该测试边缘区域边线的一测试边缘区域边线尺寸大于该边缘区域边线的一边缘区域边线尺寸。3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该测试边缘区域边线包括该第二组单元胞的一部分。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该测试边缘区域在该俯视图中的一测试边缘区域边线与该边缘区域在该俯视图中的一边缘区域边线平行；以及该测试边缘区域边线的一测试边缘区域边线尺寸小于该边缘区域边线的一边缘区域边线尺寸。5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该测试边缘区域边线包括该第二组单元胞的一部分。6.如权利要求1所述的半导体结构，该测试结构在该俯视图中的的一测试结构尺寸与该存储器元件在该俯视图中的一存储器元件尺寸不同。7.如权利要求6所述的半导体结构，该存储器元件在该俯视图中的该存储器元件尺寸大于该测试结构在该俯视图中的该测试结构尺寸。8.如权利要求6所述的半导体结构，该存储器元件在该俯视图中的该存储器元件尺寸小于该测试结构在该俯视图中的该测试结构尺寸。9.一种半导体结构，包括：一半导体基底；一存储器元件，设置在该半导体基底上，且包括：一元件区域；以及一边缘区域，邻近该元件区域设置；以及一测试结构，设置在该半导体基底上，且包括：一虚设区域；一测试边缘区域，包围该虚设区域；以及
多个单元胞，设置在该测试边缘区域中，其中该虚设区域中不设置该单元胞；其中该边缘区域在一俯视图中包围的一边缘区域尺寸与该测试边缘区域在一俯视图中包围的一测试边缘区域尺寸不同。10.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨仓博，饶瑞修，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：