半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种具有连接到重分布层(RDL)的反熔丝和金属

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法


[0001]本申请案主张2020年11月30日申请的美国正式申请案第17/107,035号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是关于一种半导体元件及其制备方法。特别是关于一种具有连接到重分布层(RDL)的反熔丝和金属
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绝缘体
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金属(MIM)电容器的半导体元件及其制备方法。

技术介绍

[0003]集成电路(Integrated circuit；IC)元件通常在制造过程中设置好所有内连线。然而，由于用于形成此类IC元件的高开发成本、长制造时间、和高制造工具成本，使用者时常需要可在现场配置或编程的电路。这种电路称为可编程电路，它们通常包含可编程连结(programmable links)。可编程连结是在IC元件制造和封装之后由使用者在选定的电子节点处断开或创造的电性内连线，用以活化或停用相应选定的电子节点。
[0004]可编程连结的其中一种类型是熔丝(fuse)结构。IC元件中的可编程连结通过在选定的交叉点处熔断熔丝结构进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一第一导电部分和一第二导电部分，设置于一半导体基板之上；一钝化层，覆盖该第一导电部分和该第二导电部分，其中该第一导电部分、该第二导电部分、和其间的一部分该钝化层形成一反熔丝；以及一第一金属
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绝缘体
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金属电容器和一第一重分布层，设置于该钝化层之上，其中该第一金属
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绝缘体
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金属电容器和该第一重分布层电性连接到该第一导电部分，且该第一金属
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绝缘体
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金属电容器的一第一金属层与该第一重分布层一体成型。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该反熔丝具有一气隙，位于该第一导电部分和该第二导电部分之间且被该钝化层围绕。3.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：一第一绝缘层，覆盖该第一金属层和该第一重分布层；以及一第二金属层，设置于该第一绝缘层之上，其中该第一金属层、该第二金属层、和其间的一部分该第一绝缘层形成该第一金属
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绝缘体
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金属电容器。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一重分布层并未被该第二金属层覆盖。5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：一第二金属
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绝缘体
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金属电容器和一第二重分布层，设置于该钝化层之上，其中该第二金属
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绝缘体
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金属电容器和该第二重分布层电性连接到该第二导电部分，且该第二金属
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绝缘体
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金属电容器的一第三金属层与该第二重分布层一体成型。6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括：一第二绝缘层，覆盖该第三金属层和该第二重分布层；以及一第四金属层，设置于该第二绝缘层之上，其中该第三金属层、该第四金属层、和其间的一部分该第二绝缘层形成该第二金属
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绝缘体
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金属电容器。7.如权利要求5所述的半导体元件，还包括：一介电层，覆盖该第一金属
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绝缘体
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金属电容器，其中该第二金属
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绝缘体
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金属电容器和该第二重分布层设置于该介电层之上。8.一种半导体元件，包括：一第一导电部分和一第二导电部分，设置于一半导体基板之上；一钝化层，覆盖该第一导电部分和该第二导电部分；一第一导电插塞，穿过该钝化层并接触该第一导电部分；一第二导电插塞，穿过该钝化层并接触该第二导电部分；一反熔丝，设置于该第一导电插塞和该第二导电插塞之间；一第一金属
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绝缘体
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金属电容器，设置于该第一导电插塞之上；一第一重分布层，物理性连接该第一金属
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绝缘体
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金属电容器的一第一金属层，其中该第一重分布层通过该第一金属
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绝缘体
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金属电容器的该第一金属层和该第一导电插塞电性连接到该第一导电部分。9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括：一介电层，设置于该钝化层之上，其中该反熔丝具有被该介电层和该钝化层包围的一气隙，且该气隙延伸于该第一导电部分和该第二导电部分之间。10.如权利要求9所述的半导体元件，其中一导电丝形成于该第一导电部分和该第二导
电部分之间且在该反熔丝编程后...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：