电熔丝结构制造技术

本发明专利技术提供了一种电熔丝结构，所述电熔丝结构包括：基底，位于所述基底表面的绝缘层，位于所述绝缘层表面的电熔丝，所述电熔丝包含第一电极、第二电极以及连接所述第一电极与所述第二电极的多条连接熔丝，多条所述连接熔丝并联于所述第一电极与所述第二电极之间，即使由于制程的原因造成其中一条或两条连接熔丝位于高阻状态，由于多条连接熔丝是并联关系，仍能保证第一电极和第二电极之间保持良好的连接关系，不会使得整体的电阻呈现高阻状态，由此可增加电熔丝结构的稳定性，有效预防制程不均造成的电熔丝结构失效的情况。均造成的电熔丝结构失效的情况。均造成的电熔丝结构失效的情况。

【技术实现步骤摘要】
电熔丝结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种电熔丝结构。

技术介绍

[0002]一般来说，PMIC（Power Management IC，电源管理集成电路）、LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示器）显示和CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconducto，互补金属氧化物半导体）图像传感器使用的程序存储器都是polyfuse（多晶硅熔丝）存储器，通常为集成电路提供冗余功能，以增加芯片的良率，因为polyfuse可以与逻辑制程兼容，不需要额外的工艺或光罩，相比之下成本较低。通常在存储芯片上包含有冗余的存储单元（cell）, 如果发现存储电路有缺陷，可以熔断polyfuse，从而激活预留的存储单元。
[0003]Polyfuse element（多晶硅熔丝元件）通常由阳极和阴极以及fuse link（熔丝）组成，有以下两种编程机制，一种是利用小电流集中在polyfuse上，造成高密度电流集中，一段时间后fuse link会发生熔断使其尺寸减小，增加fuse 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电熔丝结构，包括：基底；位于所述基底表面的绝缘层；位于所述绝缘层表面的电熔丝，所述电熔丝包含第一电极、第二电极以及连接所述第一电极与所述第二电极的多条连接熔丝，多条所述连接熔丝并联于所述第一电极与所述第二电极之间。2.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述电熔丝包含两条相并联的所述连接熔丝。3.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，每条所述连接熔丝中间部分区域的宽度小于所述连接熔丝其它区域的宽度。4.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述连接熔丝包含相连接的第一连接熔丝、第二连接熔丝与第三连接熔丝，所述第一连接熔丝与所述第二连接熔丝相互平行且相对设置，所述第三连接熔丝连接所述第一连接熔丝与第二连接熔丝构成之字型结构，其中所述第三连接熔丝的宽度小于所述第一连接熔丝的宽度，且所述第三连接熔丝的宽度小于所述第二连接熔丝的宽度。5.如权利要求4所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第一连接熔丝的宽度等于所述第二连接熔丝的宽度；所述第三连接熔丝的长...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡燕燕，冯玲，张庆勇，魏梦丽，赵梦梦，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：