熔丝结构及形成方法技术

本发明专利技术实施例提供一种熔丝结构及形成方法，其中，熔丝结构包括：第一电介质层，以及贯穿所述第一电介质层的至少两个分立的第一导电插塞；第二导电插塞，所述第二导电插塞电连接至少两个所述第一导电插塞；顶层金属层，所述顶层金属层电连接所述第二导电插塞，且位于所述第二导电插塞远离所述第一导电插塞的一侧；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层顶部，且所述第二导电插塞以及所述顶层金属层位于所述第二电介质层内。本发明专利技术实施例简化了熔丝结构，提升了熔丝结构的产出效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
熔丝结构及形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种熔丝结构及形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路中通常会设置一熔丝，通过熔断熔丝进而可达到对集成电路的功能参数进行修调的目的。根据熔丝的熔断方法，可以把熔丝分为电熔丝和激光熔丝，其中，激光熔丝一般采用一定能量的激光束照射熔丝，进而使激光熔丝熔断。
[0003]现有技术中的熔丝结构复杂，导致工艺难度较大，影响了产品的产出效率，并且熔丝熔断时耗费能量过大。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种熔丝结构及形成方法，简化了熔丝结构，进而降低了工艺难度，从而降低了生产成本，提升了产品的产出效率，并且有利于解决熔丝结构熔断时耗费能量过多的问题。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种熔丝结构及形成方法，包括：第一电介质层，以及贯穿所述第一电介质层的至少两个分立的第一导电插塞；第二导电插塞，所述第二导电插塞电连接至少两个所述第一导电插塞；顶层金属层，所述顶层金属层电连接所述第二导电插塞，且位于所述第二导电插塞本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种熔丝结构，其特征在于，包括：第一电介质层，以及贯穿所述第一电介质层的至少两个分立的第一导电插塞；第二导电插塞，所述第二导电插塞电连接至少两个所述第一导电插塞；顶层金属层，所述顶层金属层电连接所述第二导电插塞，且位于所述第二导电插塞远离所述第一导电插塞的一侧；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层顶部，且包覆所述第二导电插塞以及所述顶层金属层。2.根据权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，所述第二导电插塞的底面与至少两个所述第一导电插塞的顶面相接触。3.根据权利要求2所述的熔丝结构，其特征在于，所述第二电介质层包括：依次堆叠设置的第一介质层、阻障层以及第二介质层；所述第二导电插塞至少贯穿所述第一介质层以及所述阻障层。4.根据权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，还包括：底层金属层，所述底层金属层位于所述第一导电插塞和所述第二导电插塞之间，且所述底层金属层分别与所述第一导电插塞和所述第二导电插塞电连接。5.根据权利要求4所述的熔丝结构，其特征在于，所述第二电介质层包括：依次堆叠设置的第一介质层、阻障层以及第二介质层；所述阻障层位于所述底层金属层的部分顶部表面。6.根据权利要求4所述的熔丝结构，其特征在于，在平行于分立的所述第一导电插塞的排列方向上，所述第二导电插塞的宽度小于所述底层金属层的宽度。7.根据权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，还包括：保护层，所述保护层位于所述顶层金属层远离所述第二导电插塞的一侧。8.一种熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一电介质层，所述第一电介质层内形成有贯穿所述第一电介质层的至少两个分立的第一导电插塞；在所述第一电介质层上形成第二电介质层；刻蚀所述第二电介质层，形成相连通的通孔以及沟槽，所述通孔位于所述沟槽与所述第一导电插塞之间，且所述通孔的宽度小于所述沟槽的宽度；形成填充所述通孔的第二导电插塞，所述第二导电插塞电连接至少两个所述第一导电插塞；形成填充所述沟槽的顶层金属层，所述顶层金属层电连接所述第二导电插塞。9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蒙蒙，黄信斌，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：