【技术实现步骤摘要】
efuse熔丝的版图结构
[0001]本专利技术涉及半导体
,特别是涉及一种efuse熔丝的版图结构。
技术介绍
[0002]efuse(熔丝)基于电迁移(EM)原理,采用标准CMOS工艺,通过熔断熔丝的原理,实现具备高可靠性的片上编程功能。随着市场对芯片面积的要求越来越高,efuse作为芯片内部用于参数设置的专用IP,整体面积已经成为主要设计指标之一。而在efuse模块内部,由efuse单元构成的阵列占据整个IP面积的一半以上,因此减小efuse单元的面积是提高efuse模块竞争力的主要手段之一。
[0003]常规的efuse单元的熔丝版图如图1和图2所示,分别呈酒杯型和工字型,其特点是整个熔丝由焊盘(Pad)部分和熔丝本体(Link)两部分版图构成,而且熔丝版图都采用平面布置的方式。其中,考虑到熔丝编程所需的电流能力以及熔丝的散热特性,Pad一般采用和熔丝本体Link相同的金属层,Pad面积较大,以保证通过较大的编程电流和获得有效的散热面积,而熔丝本体较窄,熔丝版图中都有较大的空余空间。
专利技术内 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种efuse熔丝的版图结构,其特征在于,其包括第一熔丝单元、第二熔丝单元,第一熔丝单元包括第一焊盘、第二焊盘、第一熔丝本体、第一保护层、第二保护层,第二熔丝单元包括第三焊盘、第四焊盘、第二熔丝本体、第三保护层、第二保护层,第一熔丝本体连接在第一焊盘和第二焊盘之间,第一保护层、第二保护层分别位于第一熔丝本体的两侧,第二熔丝本体连接在第三焊盘和第四焊盘之间,第三保护层、第二保护层分别位于第二熔丝本体的两侧,第一熔丝本体和第二熔丝本体相互垂直,第一保护层、第二保护层都与第三保护层、第二保护层垂直,第一熔丝本体和第二熔丝本体叠放在同一版图区域,第一熔丝本体和第二熔丝本体采用不同的金属层,第一熔丝本体采用第二金属层,第二熔丝本体采用第三金属...
【专利技术属性】
技术研发人员:张黎,晏颖,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:
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