半导体结构制造技术

本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一晶片及一测试结构。该测试结构配置在该晶片上，且包括一第一元件以及一第二元件。该第一元件包括一第一源极/漏极层以及设置该在该第一源极/漏极层上的一第一栅极层。该第二元件包括一第二源极/漏极层以及设置在该第二源极/漏极层上的一第二栅极层。该第二栅极层连接该第一栅极层。该第一栅极层沿一第一方向设置，以及该第二栅极层沿正交该第一方向的一第二方向设置。第二方向设置。第二方向设置。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
[0001]本专利技术主张2020年9月1日申请的美国正式申请案第17/008,963号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本专利技术中。


[0002]本公开涉及一种半导体结构。尤其涉及一种具有测试结构的半导体结构。

技术介绍

[0003]在存储器元件的制造过程中，需通过多次的制造步骤以形成所期望的元件。例如，形成一个DRAM的制造过程中，形成电容器与晶体管需经过许多的步骤。为确保元件结构通过多次的制造步骤而完整的形成在晶片上，通常会在晶片上形成一个测试结构，以在元件制造过程中进行元件功能的测试。
[0004]上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本专利技术的任一部分。

技术实现思路

[0005]本公开提供一种半导体结构，包括一晶片及一测试结构。该测试结构配置在该晶片上，且包括一第一元件以及一第二元件。该第一元件包括一第一源极/漏极层以及设置该在该第一源极/漏极层上的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一晶片；以及一测试结构，设置在该晶片上，并包括：一第一元件，包括一第一源极/漏极层以及一第一栅极层，其中该第一栅极层设置在该第一源极/漏极层上；以及一第二元件，包括一第二源极/漏极层以及一第二栅极层，其中该第二栅极层设置在该第二源极/漏极层上，且该第二栅极层连接该第一栅极层；其中，该第一栅极层沿一第一方向设置，该第二栅极层沿一第二方向设置，该第一方向正交该第二方向。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一源极/漏极层以及该第二栅极层相隔一第一距离，该第二源极/漏极层以及该第一栅极层相隔一第二距离，且该第一距离大于该第二距离。3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该第一距离沿该第一方向以及该第二距离沿该第二方向。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该测试结构还包括：一第三元件，邻近该第二元件设置并包括一第三源极/漏极层，其中该第二栅极层设置在该第三源极/漏极层上。5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一源极/漏极层以及该第二栅极层相隔一第一距离，该第二源极/漏极层以及该第三源极/漏极层相隔一第二距离，且该第一距离大于该第二距离。6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该测试结构还包括：一第三元件，邻近该第一元件设置且包括一第三源极/漏极层，其中该第一栅极层设置在该第三源极/漏极层上。7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第一源极/漏极层以及该第三源极/漏极层相隔一第一距离，该第二源极/漏极层以及该第一栅极层相隔一第二距离，且该第一距离大于该第二距离。8.如权利要求5所述的半导体结构，其中该测试结构设置在该晶片的一切割线中。9.一种半导体结构，包括：一晶片；以及一测试结构，设置在该晶片上，并包括：一第一源极/漏极层；一第二源极/漏极层；以及一栅极层，包括一第一部分以及一第二部分，且该第一部分设置在该第一源极/漏极层上，以及该第二部分设置在该第二源极/漏极层上。其中该第一部分沿一第一方向设置，以及该第二部分沿正交该...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨仓博，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：