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文档序号:32508873
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本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一晶片及一测试结构。该测试结构配置在该晶片上,且包括一第一元件以及一第二元件。该第一元件包括一第一源极/漏极层以及设置该在该第一源极/漏极层上的一第一栅极层。该第二元件包括一第二源极/漏极层以及设置...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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