本公开提供一种具有可编程接触点的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一栅极堆叠，位在该基底上；多个可编程接触点，位在该栅极堆叠上；一对重度掺杂区，位在邻近该栅极堆叠的两侧处，并位在该基底中；以及多个第一接触点，位在该对重度掺...

本发明公开了一种湿式清洁装置及使用湿式清洁装置的方法，湿式清洁装置包含晶圆基座、第一喷嘴、致动器以及第一长形杯体。第一喷嘴设置在晶圆基座之上。第一长形杯体耦接至致动器，使得第一长形杯体能够从第一位置移动至第二位置。在第一位置，第一长形杯...

本公开提供一种具有气隙的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一导电结构，设置在一半导体基底上；以及一导电插塞，设置在该导电结构上。该导电插塞电性连接到该导电结构。该半导体元件结构亦包括一第一间隙子，形成在该导电插塞的一侧壁表...

本发明公开了一种涂布系统及其校正方法，涂布系统包括多个支撑针、吸附平面以及校正盘。吸附平面位于多个支撑针之间，校正盘用以配置在多个支撑针或吸附平面上。校正盘包括圆形上部表面以及圆形底部表面。圆形底部表面相对于圆形上部表面。圆形底部表面包...

本公开提供一种具有内连接结构的半导体元件及其制备方法，该半导体元件包括一导电图案以及一内连接结构，该导电图案设置在一半导体基底上，该内连接结构设置在该导电图案上。该半导体元件亦包括一内连接衬垫，形成在该内连接结构与该导电图案之间，并围绕...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板，其包括一中心区域和围绕该中心区域的一外围区域；一第一栅极堆叠，位于该基板的该外围区域上；以及一主动柱，位于该基板的该中心区域中。该第一栅极堆叠的一顶表面与该主动柱的一顶表面位...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一半导体基底、一应力释放结构以及一导电结构，该应力释放结构具有一导电架与多个隔离柱，该导电架位于该半导体基底上，该多个隔离柱位于该导电架内，该导电结构具有一支撑部、一导电...

本发明公开了一种存储器装置，包含基板、第一数位线、第一电容、第二数位线与金属挡板。基板具有多个主动区与隔离区。第一数位线与第一电容连接多个主动区中的第一主动区。第二数位线连接多个主动区中的第二主动区。金属挡板设置于隔离区上，并位于第一数...

本公开提供一种具有一氧化中介层的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一存储单元以及一控制单元。该存储单元具有一存储单元导电层以及一横向氧化中介层，该存储单元导电层位于该基底上，该横向氧化中介层位于该存储单元导电层...

本发明公开了一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤：在底金属上形成介电堆叠。在介电堆叠上形成第一遮罩层，其中第一遮罩层具有第一通孔，其一部分位于第一遮罩层的中心部分。在第一遮罩层上及第一通孔中形成第二遮罩层。图案化第二遮罩层，以形成位于...

本发明提供一种存储器装置以及其刷新方法，所述存储器装置包含多个存储器芯片和多个温度传感器。存储器芯片彼此耦接。温度传感器分别安置于存储器芯片上。存储器芯片中的一个配置成主存储器芯片，且启用主存储器芯片的第一温度传感器以感测环境温度。主存...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括介电层、嵌入介电层中的导电垫、设置在导电垫上的凸块，其中凸块具有第一顶部宽度和底部宽度，第一顶部宽度大于底部宽度，以及一对间隔物，设置于凸块旁。本发明的半导体结构的间隔物可降低相邻的...

本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板；一第一裂缝检测结构，其位于该基板中且包括向内地位于该基板中的一第一绝缘堆叠、位于该第一绝缘堆叠上的一第一底部导电层、和位于该第一底部导电层上的一第一填充层；以及一第二裂缝检测...

本发明提供一种先进制程控制系统，包括第一制程机台、第二制程机台及测量机台。第一制程机台用以在多个晶片上分别以多个第一光罩的其中之一进行处理，并且提供一第一制程时序性数据。第二制程机台用以分别对经过第一制程机台处理的晶片以多个第二光罩的其...

本发明公开了一种半导体元件及其制作方法，半导体元件包括基板、多个阵列、多个导电结构以及衬垫层。基板包括阵列配置的阵列区以及导电结构配置的周边区。每个阵列包括多个导电柱。每个导电结构具有至少一个导电侧壁。衬垫层覆盖导电柱的上表面以及导电结...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一半导体基板、第二半导体基板、耗尽层、隔离结构、第一栅极结构以及第二栅极结构。第二半导体基板位于第一半导体基板上。第一半导体基板与第二半导体基板分别具有第一主动区与重叠于第一主动区...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一栅极结构、以及多个字元线，该栅极结构位于该基底上，该多个字元线与该栅极结构相互间隔设置，其中该栅极结构的一顶表面与该多个字元线的顶表面位于相同的一垂直面处。

本公开提供一种半导体元件及其形成方法。该半导体元件包括形成于一半导体基板中的一源极区域和一漏极区域，以及形成于该源极区域之上的一位元线。该半导体元件也包括形成于该漏极区域之上的一第一磊晶结构，以及形成于该第一磊晶结构之上的一电容接触。该...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基板、漏极区、字线、栅极结构以及第一位线。漏极区设置于基板上。字线设置于漏极区上。栅极结构设置于漏极区上，并且栅极结构具有位于字线的部分。第一位线设置于栅极结构上，第一位线被视为源极...

本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基底；一第一半导体堆叠，具有一第一临界电压(threshold voltage)，并且包括位于该基底上的一第一绝缘堆叠；一第二半导体堆叠，具有一第二临界电压，并且包括位于该基底上的...