半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括第一芯片、第二芯片及第一导电通孔。第一芯片包括第一介电层和嵌入在第一介电层中的第一着陆垫。第二芯片包括第二介电层和嵌入在第二介电层中的第二着陆垫。第一芯片设置在第二芯片上。第二着陆垫具有通孔。第一导电通孔从第一着陆垫延伸向第二着陆垫，并穿过第二着陆垫的通孔。本发明专利技术的半导体结构可有效地利用空间，并且有利于缩小半导体结构的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术关于一种半导体结构及其制造方法。更具体地，本专利技术关于一种包括贯穿着陆垫的通孔的导电通孔的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
半导体工业的主要趋势之一是最小化半导体装置的尺寸。在诸如多芯片封装的半导体装置封装中，对微型化的需求特别高。例如，多芯片封装包括集成电路和用塑料树脂或陶瓷材料密封的精细图案印刷电路。最小化封装中包括的集成电路的尺寸是封装技术人员的主要目标之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构，其可有效地利用空间，并且有利于缩小半导体结构的尺寸。本专利技术提供一种半导体结构，包括第一芯片、第二芯片及第一导电通孔。第一芯片包括第一介电层和嵌入在第一介电层中的第一着陆垫。第二芯片包括第二介电层和嵌入在第二介电层中的第二着陆垫。第一芯片设置在第二芯片上。第二着陆垫具有通孔。第一导电通孔从第一着陆垫延伸向第二着陆垫，并穿过第二着陆垫的通孔。在一些实施方式中，第一导电通孔通过第二介电层与第二着陆垫分离。在一些实施方式中，第一芯片是从芯片。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n第一芯片，包括第一介电层和嵌入在所述第一介电层中的第一着陆垫；/n第二芯片，包括第二介电层和嵌入在所述第二介电层中的第二着陆垫，其中所述第一芯片设置在所述第二芯片上，并且所述第二着陆垫具有通孔；以及/n第一导电通孔，从所述第一着陆垫延伸向所述第二着陆垫，并穿过所述第二着陆垫的所述通孔。/n

【技术特征摘要】
20191014 US 16/601,5751.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一芯片，包括第一介电层和嵌入在所述第一介电层中的第一着陆垫；
第二芯片，包括第二介电层和嵌入在所述第二介电层中的第二着陆垫，其中所述第一芯片设置在所述第二芯片上，并且所述第二着陆垫具有通孔；以及
第一导电通孔，从所述第一着陆垫延伸向所述第二着陆垫，并穿过所述第二着陆垫的所述通孔。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电通孔通过所述第二介电层与所述第二着陆垫分离。


3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片是从芯片。


4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二芯片是从芯片。


5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括设置在所述第二芯片下方的第三芯片，其中所述第三芯片包括在所述第三芯片的下表面上的第一凸块，所述第一导电通孔延伸穿过所述第三芯片以与所述第一凸块连接。


6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第三芯片是主芯片。


7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括第二导电通孔，所述第二导电通孔从所述第二着陆垫延伸进入所述第三芯片，其中所述第三芯片还包括在所述第三芯片的下表面上的第二凸块，并且所述第二导电通孔与所述第二凸块连接。


8.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第三芯片包括第三介电层和第一接合层，并且所述第一接合层设置在所述第三介电层和所述第二芯片之间。


9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二芯片还包括第二接合层，所述第二接合层设置在所述第二介电层与所述第一接合层之间。


10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片还包括设置在所述第一介电层和所述第二芯片之间的第一接合层。


11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二芯片还包括设置在所述第二介电层和所述第一芯片之间的第二接合层。


12.一种用于制造半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
接合第一芯片与第二芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘世仰，罗翊仁，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71