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半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:28298794
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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括第一芯片、第二芯片及第一导电通孔。第一芯片包括第一介电层和嵌入在第一介电层中的第一着陆垫。第二芯片包括第二介电层和嵌入在第二介电层中的第二着陆垫。第一芯片设置在第二芯片上。第二着陆垫具有...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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