半导体封装及其制造方法技术

本揭露的实施例涉及一种半导体封装，其包含包含衬底、传导柱、及金属层。所述衬底具有第一表面、与所述第一表面相对之第二表面、及从所述第一表面延伸至所述第二表面的开口。所述开口具有侧壁，所述传导柱设置于所述开口中。所述金属层设置于所述衬底中。所述金属层与所述传导柱实质上位于同一水平高度。本揭露的另一实施例涉及一种半导体封装之制造方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其制造方法
本专利技术系关于半导体封装及其制造方法，更具体而言，系关于具有金属层与包封金属层之绝缘层的半导体封装。
技术介绍
随着高单位体积线路密度的需求增加，缩小线路宽距(lineWidth/Space，L/S)为一种提高单位体积线路密度的方法。然而，当线路宽距缩小，可能因焊锡接合时无可避免的鼓边效应(drum-sideeffect)，导致锡桥(solderbridge)产生而造成短路，这在过去较宽间距(例如线宽大于20微米)结构中经常被忽视。
技术实现思路
本揭露的实施例涉及一种半导体封装。所述半导体封装包含衬底、传导柱、及金属层。所述衬底具有第一表面、与所述第一表面相对之第二表面、及从所述第一表面延伸至所述第二表面的开口。所述开口具有侧壁，所述传导柱设置于所述开口中。所述金属层设置于所述衬底中。所述金属层与所述传导柱实质上位于同一水平高度。本揭露的实施例涉及一种半导体封装。所述半导体封装包含衬底、绝缘层、及金属层。所述衬底具有第一表面、与所述第一表面相对之第二表面、及从所述第一表面延伸至所述第二表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装包含：/n衬底，具有第一表面、与所述第一表面相对之第二表面、及从所述第一表面延伸至所述第二表面的开口，其中所述开口具有侧壁；/n传导柱，设置于所述开口中；及/n金属层，设置于所述衬底中；/n其中所述金属层与所述传导柱实质上位于同一水平高度。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装包含：
衬底，具有第一表面、与所述第一表面相对之第二表面、及从所述第一表面延伸至所述第二表面的开口，其中所述开口具有侧壁；
传导柱，设置于所述开口中；及
金属层，设置于所述衬底中；
其中所述金属层与所述传导柱实质上位于同一水平高度。


2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属层位于所述衬底之所述第一表面及所述衬底之所述第二表面之间。


3.根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包含绝缘层，所述绝缘层具有与所述衬底之第一表面实质上共平面之第一表面、及与所述第一表面相对之第二表面，其中所述第二表面接触所述金属层。


4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述绝缘层与所述衬底之间具有接口，所述接口与所述金属层之侧表面实质上共平面。


5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属层与所述传导柱被单一衬底围绕并且彼此间隔一距离。


6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述侧壁接触并且环绕所述传导柱。


7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述开口从所述衬底之所述第二表面至所述衬底之第一表面渐缩。


8.根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包含：
载体，与所述衬底之第一表面接触。


9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述载体包括传导性材料。


10.一种半导体封装，包含：
衬底，具有第一表面、与所述第一表面相对之第二表面、及从所述第一表面延伸至所述第二表面的开口，其中所述开口具有侧壁；
绝缘层，具有与所述衬底之第一表面实质上共平面之第一表面；及
金属层，设置于所述衬底中，且与所述绝缘层接触。


11.根据权利要求10所...

【专利技术属性】
技术研发人员：呂文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71