本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一下层半导体层、一隔离层、一第一半导体穿孔、一第二半导体穿孔以及一上导电连接部。该隔离层配置在该下层半导体层上。该第一半导体穿孔连续地延伸穿过该隔离层。该第一半导体穿孔具有一第一上端...

本公开提供一种集成电路元件及其制备方法。该集成电路元件具有一第一基底、一第二基底、一第一扩展垫、一第二扩展垫以及一接合结构。该第一基底提供有一第一导电部，该第二基底提供有一第二导电部，该第一扩展垫形成在该第一导电部上以提供一第一扩展接触...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。在导线之上形成介电层。于介电层之上形成光阻层。图案化光阻层，以形成遮罩特征与开口，开口是被遮罩特征所定义。开口具有底部与顶部，顶部连通底部，且顶部比底部宽。以遮罩...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含通道结构、介电结构、栅极结构、第一导电结构以及第二导电结构。通道结构具有顶面、底面以及由顶面延伸至底面的侧壁。介电结构围绕通道结构的侧壁。栅极结构围绕介电结构。第一导电结构设置于通道...

本公开提供一种半导体元件，包含一基底；位在该基底上的一隔离层，其中该隔离层具有两端；形成在该基底中并位在该隔离层的该两端中的其中之一端的一第一掺杂区；形成在该基底中并位在该隔离层的该两端中的另一端的一第二掺杂区，其中该第二掺杂区相对该第...

一种次字线驱动电路、半导体存储元件及其形成方法，其中次字线驱动电路包括一基底、多个栅极线、至少一个栅极接片，以及一可变厚度栅极介电质。该基底包括一隔离区和一主动区；该栅极线沿一第一方向排列并且沿垂直于该第一方向的一第二方向延伸；该栅极接...

本发明公开了一种电压供应装置与其操作方法，电压供应装置包含多个泵单元以及温度感测电路。多个泵单元用以响应于振荡信号产生泵电压。温度感测电路用以感测系统温度，以及根据系统温度产生感测数据以产生用以致能多个泵单元中的第一泵阵列的控制信号。一...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一半导体基底、一多层堆叠、一开关元件以及一空隙。该多层堆叠埋入在该半导体基底内。该多层堆叠包括一第一填充层及在该第一填充层下方的一第二填充层，该第一填充层具有一第一蚀刻率，该第二填充...

一种半导体存储器元件及其制备方法。半导体存储器元件具有基底、栅极结构、第一介电质、第二介电质、插塞、储存节点着陆垫、位元线、第三介电质及储存节点。基底具有漏极以及源极。栅极结构配置在基底上，在漏极与源极之间。第一介电质配置在基底上，覆盖...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法，该半导体元件包含一基底、一半导体层以及一阻挡结构。该半导体层设置于该基底上。该阻挡结构设置于该基底与该半导体层之间。该阻挡结构的一尺寸大于该半导体层的一尺寸。该阻挡结构可抑制从在该阻挡结构下方的各层...

本公开提供一种在导电插塞上具有导电顶盖层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体基底、配置在该半导体基底上的一第一字元线与一第二字元线，以及配置在该第一字元线与该第二字元线之间的一导电插塞。该导电元件亦具有配置在该导电插塞上的...

本申请公开一种半导体元件和其裂缝检测方法。该半导体元件，包括：一第一导电层；一第二导电层，位于该第一导电层上方；一隔离层，位于该第一导电层和该第二导电层之间；以及一晶体管，耦合到该第一导电层。该第一导电层、该第二导电层、该隔离层以及该晶...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、多个栅极、一第一半导体层、一第一隔离层、一晶体上层以及一第二半导体层。该基底具有一记忆体胞区以及一周围区，其中该记忆体胞区具有至少一第一浅沟隔离且该周围区具有至少一第二浅沟隔...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法具有下列步骤。提供一鳍片结构，该鳍片结构具有一底座以及多个鳍片部，所述鳍片部远离该底座延伸。移除该鳍片结构在一第一区域的一部分，以在该底座中形成一第一切槽以及在该第一切槽中形成一第一凸块。一...

本公开提供一种具有粘性强化层的半导体结构，具有多个中间晶粒以及一封装胶层。所述多个中间晶粒叠置在一基础晶粒上，其中该基础晶粒的多个边缘区域暴露。配置该封装胶层以覆盖所述多个中间晶粒的侧表面，和该基础晶粒的所述多个暴露的边缘区域的一表面一...

本公开提供一种半导体装置的制备方法。该制备方法包括提供一第一晶圆，该第一晶圆具有一第一基底以及多个第一导体，所述多个导体配置在该第一基底上方；形成一第一互连结构，以穿经该第一基底并接触所述多个导体其中之一；在该第一基底与该第一互连结构上...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一晶粒、一第二晶粒、一第一重新分布层、一第二重新分布层、一第一互连结构以及一第二互连结构。该第二晶粒叠置在该第一晶粒上，该第一重新分布层配置在该第一晶粒的一第一基底与该第二晶粒的...

本公开提供一种半导体结构、半导体芯片及半导体结构的制造方法。该半导体结构包括一基底、一主要元件、多个单次性可编程(one‑time‑programmable，OTP)元件以及一去耦电容器阵列。该基底包括一第一区和一第二区。该主要元件在该...

本发明公开了一种存储器元件及其制造方法，存储器元件的制造方法包括以下步骤。在基板之上形成多个纳米碳管，作为第一电极。在纳米碳管之上形成绝缘层。在绝缘层之上形成石墨烯层，作为第二电极，且绝缘层分隔第一电极与第二电极。通过使用上述的存储器元...

本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基底、一栅极结构、一电容器以及一位元线。该基底具有一表面、一第一掺杂区以及一第二掺杂区，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区配置在该表面下。该栅极结构配置在该第一掺杂区与该第二掺杂区之间。该电容器配...