【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法
本申请案主张2019/05/22申请的美国正式申请案第16/419,395号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开是涉及一种半导体元件及其制备方法。特别是涉及一种具有阻挡结构的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
半导体元件已使用在不同电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。在半导体元件的制造期间，杂质可扩散到半导体元件的材料中。因此，在达到改善品质、良率以及可靠度的挑战仍持续存在。上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
本公开的一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底；一半导体层，设置于该基底上；以及一阻挡结构，设置于该基底与该半导体层之间。该阻挡结构的一尺寸大于该半导体层的一尺寸。本公开的一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底；一第一半导体层，...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：/n一基底；/n一半导体层，设置于该基底上；以及/n一阻挡结构，设置于该基底与该半导体层之间；/n其中该阻挡结构的一尺寸大于该半导体层的一尺寸。/n
【技术特征摘要】
20190522 US 16/419,3951.一种半导体元件，包括：
一基底；
一半导体层，设置于该基底上；以及
一阻挡结构，设置于该基底与该半导体层之间；
其中该阻挡结构的一尺寸大于该半导体层的一尺寸。
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一隔离层，其中该隔离层设置于该阻挡结构与该基底之间。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻挡结构由一阻障层以及一顶盖层所构成，该阻障层具有一尺寸，该阻障层的该尺寸等于该基底的一尺寸，且该顶盖层至少覆盖该阻障层的两侧。
4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该阻挡结构由一阻障层以及一顶盖层所构成，该阻障层具有一尺寸，该阻障层的该尺寸等于该基底的一尺寸，且该顶盖层至少覆盖该阻障层的两侧。
5.如权利要求3所述的半导体元件，其中该阻障层由铜所形成，且该顶盖层由铜及锗的合金所形成。
6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该阻障层由铜所形成，且该顶盖层由铜及锗的合金所形成。
7.如权利要求5所述的半导体元件，其中该顶盖层的一厚度为2纳米到10纳米。
8.如权利要求6所述的半导体元件，其中该顶盖层的一厚度为2纳米到10纳米。
9.如权利要求3所述的半导体元件，其中该半导体层的一底表面接触该阻挡结构。
10.如权利要求4所述的半导体元件，其中该半导体层的一底表面接触该阻挡结构。
11.如权利要求3所述的半导体元件，还包括一栅极层，其中该栅极层相对该半导体层设置。
12.如权利要求4所述的半导体元件，还包括一栅极层，其中该栅极层相对该半导体层设置。
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆玲，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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