【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法
本申请案主张2019/05/02申请的美国正式申请案第16/401,587号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体元件及其制备方法。特别是涉及一种叠置晶粒装置及其制备方法。
技术介绍
当集成电路技术持续进步，不间断的努力寻找提升效能与密度、改善形状因数(formfactor)，并降低成本。由许多设计者所探索出来的实现如此优势的一方法是由层叠式三维(3D)集成电路所实现。三维集成电路的一些区域是为一适合考虑的事，其是具有二或多个晶片的叠置，所述的叠置是使用不同制造流程(fabricationprocess)所制造，或者是经电的叠置是使用相同的制造流程所制造，以减少集成电路设备的占用面积(footprint)。上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
本公开的一实施例提供一种半导体元...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：/n一第一晶粒，包括一第一基底、一第一层间介电层以及多个第一金属线，该第一层间介电层配置在该第一基底的一前表面，所述第一金属线配置在该第一层间介电层中；/n一第二晶粒，叠置在该第一晶粒上，并包括一第二基底、一第二层间介电层以及多个第二金属线，该第二层间介电层配置在该第二基底的一第二前表面上，所述第二金属线配置在该第二层间介电层中；/n一第一重新分布层，位在该第一基底与该第二层间介电层之间；/n一第二重新分布层，配置在该第二基底上；/n一第一互连结构，穿经该第一基底，并穿入该第一层间介电层，以将该第一重新分布层连接到所述第一金属线的其中的一个；以及/...
【技术特征摘要】
20190502 US 16/401,5871.一种半导体元件，包括：
一第一晶粒，包括一第一基底、一第一层间介电层以及多个第一金属线，该第一层间介电层配置在该第一基底的一前表面，所述第一金属线配置在该第一层间介电层中；
一第二晶粒，叠置在该第一晶粒上，并包括一第二基底、一第二层间介电层以及多个第二金属线，该第二层间介电层配置在该第二基底的一第二前表面上，所述第二金属线配置在该第二层间介电层中；
一第一重新分布层，位在该第一基底与该第二层间介电层之间；
一第二重新分布层，配置在该第二基底上；
一第一互连结构，穿经该第一基底，并穿入该第一层间介电层，以将该第一重新分布层连接到所述第一金属线的其中的一个；以及
一第二互连结构，穿经该第二基底，并穿入该第二层间介电层，以将该第二重新分布层连接到所述第二金属线的其中的一个。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中以剖视图来看，该第一重新分布层对准该第一互结构，并偏离该第二金属线。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中完全地连接到该第一重新分布层的该第二金属线，暴露该第二层间介电层。
4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括至少一锡料凸块，电性连接该第二重新分布层。
5.如权利要求4所述的半导体元件，还包括至少一凸块下金属化层，夹置在该锡料凸块与该第二重新分布层之间。
6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一载体，通过一接合层接合到该第一晶粒。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该接合层包括一原生介电膜以及一沉积介电层，该原生介电膜生长在该载体上，该沉积介电层位在该第一层间介电层上。
8.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第一重新分布层具有一第一厚度，该第二重新分布层具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度。
9.一种半导体元件的制备方法，包括
提供一第一晶粒，该第一晶粒包括一第一基底、一第一层间介电层以及多个第一金属线，该第一层间介电层配置在该第一基底的一第一前表面上，所述第一金属线配置在该层间介电层中；
形成一第一互连结构，以穿经该第一基底，并穿入该第一层间介电层，且接触所述第一金属线的其中一个；
形成一第一重布线层，完全地连...
【专利技术属性】
技术研发人员：施江林，吴珮甄，张庆弘，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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