一种内嵌微流道的散热型TSV转接板及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种内嵌微流道的散热型TSV转接板及其制作方法，属于集成电路封装技术领域。散热型TSV转接板包括微流道凹槽层和TSV盖板层，微流道凹槽层和TSV盖板层通过键合层连接。微流道凹槽层包括通过刻蚀形成的微流道凹槽和转接板体通孔，转接板体通孔内设有侧壁金属化层；TSV盖板层包括通过刻蚀形成的微流体出入口和TSV通孔，TSV通孔内设有侧壁金属化层。本发明专利技术将具有微流道凹槽的微流道凹槽层与具有微流体出入口的TSV盖板层通过键合层连接，形成内部嵌入微流道结构的新型散热型TSV转接板，弥补传统TSV转接板受散热能力限制的不足，赋予转接板的主动散热能力，有效提升转接板的散热水平，可满足高功率密度的三维系统级封装的应用需求。

A heat dissipation TSV adapter plate with embedded microchannel and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种内嵌微流道的散热型TSV转接板及其制作方法
本专利技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种内嵌微流道的散热型TSV转接板及其制作方法。
技术介绍
随着信息时代的到来，人们都对集成电路的存储、处理等能力要求越来越高；伴随着集成电路的集成度也不断提升，但随着10nm节点制造工艺芯片完成量产，以缩小二维尺寸提高集成电路集成度的技术发展走向极限，于是提出基于TSV的三维芯片集成技术。ITRS（InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors，国际半导体技术发展路线图）报告指出，当硅晶体管栅宽达10nm，单颗高性能芯片能量密度将会超过100W/cm2，若将高性能芯片进行TSV三维立体集成，高功率点将在三维立体空间分布，能量密度将会是堆叠芯片能量密度的总和，这将远远超过现有散热方式的散热能力，如何进行有效散热成为制约TSV三维集成的主要技术难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种内嵌微流道的散热型TSV转接板及其制作方法，以解决现有的TSV三维集成散热能力差的问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内嵌微流道的散热型TSV转接板，其特征在于，包括：/n微流道凹槽层和TSV盖板层，所述微流道凹槽层和所述TSV盖板层通过键合层连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种内嵌微流道的散热型TSV转接板，其特征在于，包括：
微流道凹槽层和TSV盖板层，所述微流道凹槽层和所述TSV盖板层通过键合层连接。


2.如权利要求1所述的内嵌微流道的散热型TSV转接板，其特征在于，所述微流道凹槽层包括通过刻蚀形成的微流道凹槽和转接板体通孔，所述转接板体通孔内设有侧壁金属化层；
所述TSV盖板层包括通过刻蚀形成的微流体出入口和TSV通孔，所述TSV通孔内设有侧壁金属化层。


3.如权利要求2所述的内嵌微流道的散热型TSV转接板，其特征在于，所述键合层位于所述转接板体TSV通孔、所述TSV通孔、所述微流道凹槽和所述微流体出入口的周边。


4.如权利要求2所述的内嵌微流道的散热型TSV转接板，其特征在于，所述微流道凹槽的结构包括直线型、S型和折线型。


5.如权利要求4所述的内嵌微流道的散热型TSV转接板，其特征在于，所述转接板体TSV通孔内的侧壁金属化层和所述TSV通孔内的侧壁金属化层的材质均为金属，包括金、铜、钛和镍。


6.如权利要求1所述的内嵌微流道的散热型TSV转接板...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱家昌，李杨，叶刚，王成迁，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32