【技术实现步骤摘要】
功率模块的封装结构和电子设备
本技术涉及封装
，具体涉及一种功率模块的封装结构和一种电子设备。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)凭借其高耐压、大通流和快速开关等优点广泛应用于航空航天、高铁、电动汽车以及家电等领域。然而，随着应用场合的变化，高功率密度的模块将成为未来IGBT封装的发展趋势，由此也带来了一个不得不面临的问题就是散热问题。一般IGBT可耐受150℃的高温运作环境，但用于IGBT封装的各种材料却会在此种高温的工作条件下出现加速老化的现象。此外，因IGBT间温度不均匀和相邻材料热胀系数不匹配等引起的应力应变疲劳失效的问题也会在热管理不善的情况下被加剧。因此迫切需要开发新的低热阻封装模块来有效控制工作温度，应对模块集成化、高密度化带来的挑战。传统的IGBT封装结构，重量较大，加工工艺较为复杂，需要二次焊接、电镀和弧度控制等工序，并且覆铜面需要蚀刻线路，导致芯片下铜层不连续，从而造成横向传热能力较弱，此外，传统的IGBT封装结构的...
【技术保护点】
1.一种功率模块的封装结构，其特征在于，包括第一基板、第二基板和功率半导体芯片，所述第二基板和所述功率半导体芯片焊接于所述第一基板上表面的不同位置处，所述第一基板和所述第二基板均为覆铜陶瓷基板，所述第一基板包括自上而下层叠的第一铜层、第一陶瓷层和第二铜层，所述第二铜层的下表面具有弧度。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率模块的封装结构，其特征在于，包括第一基板、第二基板和功率半导体芯片，所述第二基板和所述功率半导体芯片焊接于所述第一基板上表面的不同位置处，所述第一基板和所述第二基板均为覆铜陶瓷基板，所述第一基板包括自上而下层叠的第一铜层、第一陶瓷层和第二铜层，所述第二铜层的下表面具有弧度。
2.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：李磊，麻长胜，王晓宝，赵善麒，
申请(专利权)人：江苏宏微科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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