半导体器件结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括半导体基板以及设置在所述半导体基板上的双钝化层，其中，所述半导体基板包括一基底以及设置在所述基板上的金属阵列；所述双钝化层包括设置在所述金属阵列之间，所述双钝化层包括依次设置在所述半导体基板上的第一钝化层和第二钝化层，且未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。所提供的半导体器件的双钝化层结构的钝化保护效果优异，使所述半导体器件的双钝化层结构的适用性更广泛，使用更灵活。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构
本技术涉及半导体工艺流程领域，尤其涉及一种半导体器件结构。
技术介绍
随着LED照明驱动IC的持续更新换代，产品性能价格比要求越来越高。这就要求芯片设计工艺也要持续更新，保证与之相匹配。其中，工艺流程要求设计恰当，为了节约成本，保证达到效果的同时，工艺流程要求尽量简化。近年来，对于小功率LEDDriveIC产品，已经是将超高压LDMOS器件集成在了DriverIC芯片之上，这需要用到BCD工艺，BCD工艺是指把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上，该工艺综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。更为重要的，集成了DMOS功率器件，DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低。不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。然而，BCD工艺对工艺流程的技术要求都提出了巨大的挑战。其中，挑战主要体现在：一是UHVLDMOS的击穿电压很高，通常在700V以上，要求器件结构击穿特性好；二是UHVLDMOS的可靠性要求也比较高。由于工艺的要求提高，因此，对产品形成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括半导体基板以及设置在所述半导体基板上的双钝化层，其中，所述半导体基板包括一基底以及设置在所述基板上的金属阵列；所述双钝化层包括设置在所述金属阵列之间，所述双钝化层包括依次设置在所述半导体基板上的第一钝化层和第二钝化层，且未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括半导体基板以及设置在所述半导体基板上的双钝化层，其中，所述半导体基板包括一基底以及设置在所述基板上的金属阵列；所述双钝化层包括设置在所述金属阵列之间，所述双钝化层包括依次设置在所述半导体基板上的第一钝化层和第二钝化层，且未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。


2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为1～1.5μm。


3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二钝化层的厚度为5～8μm。


4.根据权利要求1～3任一所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一钝化层选自二氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层的任意一种或几种形成的复合层。


5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：方绍明，李照华，戴文芳，
申请(专利权)人：深圳市明微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44