【技术实现步骤摘要】
一种具备微流道散热功能的TSV转接板及其制备方法
本专利技术涉及集成电路封装
,特别涉及一种具备微流道散热功能的TSV转接板及其制备方法。
技术介绍
随着电子产品向小型化、高性能、高可靠等方向发展,系统集成度也日益提高。在这种情况下,靠进一步缩小集成电路的特征尺寸和互连线的线宽来提高性能的方式受到材料物理特性和设备工艺的限制,传统的摩尔定律已经很难继续发展下去,于是提出基于TSV的2.5D/3D集成技术。ITRS(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors,国际半导体技术发展路线图)报告指出,当硅晶体管栅宽达10nm,单颗高性能芯片能量密度将会超过100W/cm2;若将高性能芯片进行基于TSV的2.5D/3D高密度集成,高功率点将在立体空间分布,能量密度将会是堆叠芯片能量密度的总和,这将远远超过现有散热方式的散热能力,如何进行有效散热成为2.5D/3D集成技术研发和应用中的一项重大挑战。所以为了满足2.5D/3D微电子系统高性能、高散热的发展需求,亟需开发一种 ...
【技术保护点】
1.一种具备微流道散热功能的TSV转接板,其特征在于,包括:/n转接板体(1),所述转接板体(1)内凹设有微流道板体槽(3);/n微流道板体(4),设置在所述微流道板体槽(3)中;/n所述转接板体(1)的上表面和下表面分别制造有上再布线层(9)和下再布线层(11)。/n
【技术特征摘要】
1.一种具备微流道散热功能的TSV转接板,其特征在于,包括:
转接板体(1),所述转接板体(1)内凹设有微流道板体槽(3);
微流道板体(4),设置在所述微流道板体槽(3)中;
所述转接板体(1)的上表面和下表面分别制造有上再布线层(9)和下再布线层(11)。
2.如权利要求1所述的具备微流道散热功能的TSV转接板,其特征在于,所述微流道板体(4)包括微流道出入口(5)和微流道(6),所述微流道出入口(5)和所述微流道(6)通过键合层(7)键合而成。
3.如权利要求2所述的具备微流道散热功能的TSV转接板,其特征在于,所述微流道板体槽(3)的深度不超过所述转接板体(1)的厚度;所述微流道出入口(5)的深度不超过所述微流道板体槽(3);所述微流道(6)的厚度不超过所述微流道板体槽(3)的深度。
4.如权利要求2所述的具备微流道散热功能的TSV转接板,其特征在于,所述键合层(7)的材料包括金、铜、锡铅、锡银、锡银铜和有机树脂。
5.如权利要求1所述的具备微流道散热功能的TSV转接板,其特征在于,所述微流道板体(4)通过转接板粘结体(8)固定于所述微流道板体槽(3)中。
6.如权利要求1所述的具备微流道散热功能的TSV转接板,其特征在于,所述转接板体(1)中设有通孔(2),所述通孔(2)中填充有连接体(10),所述上再布线层(9)和所述下...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱家昌,张爱兵,王刚,吉勇,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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