本发明公开了一种半导体封装结构，包含基板、半导体晶粒、虚设晶粒、导电层、至少一个第一导线以及至少一个第二导线。半导体晶粒设置在基板上。虚设晶粒设置在半导体晶粒上。导电层设置在虚设晶粒上。第一导线将半导体晶粒电性连接至信号源。第二导线将导...

本发明公开了一种传送晶圆的机械手臂及晶圆清洗装置，传送晶圆的机械手臂包括基体、第一手臂、第二手臂、多个第一喷嘴以及多个第二喷嘴。第一手臂及第二手臂连接于基体的底部。第一手臂与第二手臂相对设置，用以夹取沿一个方向排列的多个晶圆。第一喷嘴设...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体基底、多个第一组导电部件、多个隔离区块、多个第一组支撑柱体以及多个空间，该多个第一组导电部件分开地设置在该半导体基底上方，该多个隔离区块分别地对应设置在相邻对的该多个第一组导...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体基底、分开地位在该半导体基底上方的多个第一组导电部件、分别地相对应位在相邻对的所述第一组导电部件之间的多个第一组支撑柱体，以及分别地对应位在邻近该多个第一组支撑柱体的多个空间...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底、一第一元件、一第二元件、一鳍部、一第一栅极介电层、一第二栅极介电层，以及该鳍部的一裁切区。该第二元件邻近该第一元件设置。该鳍部配置在位在该第一元件与该第二元件之间的该基底上。...

本发明公开了一种熔断反熔丝元件的方法。接收反熔丝元件，反熔丝元件包括第一导体、第二导体和设置在第一导体和第二导体之间的介电层，其中介电层具有崩溃电压。在第一时段内，施加第一电压于第一导体与第二导体之间，其中第一电压小于崩溃电压。在施加第...

本发明公开了一种导电通孔结构，包含第一介电层、导电垫、第二介电层以及重分布层。导电垫位于第一介电层中。第二介电层设置于第一介电层上，并具有开口。导电垫位于开口中。开口在第二介电层的上表面处具有第一宽度，开口在第二介电层的下表面处具有第二...

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该制备方法包括在一基底上形成一环状结构；执行一蚀刻工艺以在该环状结构下形成一环状半导体鳍部；在该基底与该环状半导体鳍部的一底部接触的表面上，形成一下源极/漏极区；形成与该环状半导体鳍部的一内侧壁...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括具有一第一区与一第二区的一基底、位于该基底的该第一区中的一第一半导体部件、位于该基底的该第一区中的一第二半导体部件、电性连接该第一半导体部件与该第二半导体部件的一桥接导电单元，以及位...

本公开提供一种芯片外驱动器及动态随机存取存储器。该芯片外驱动器经配置以提供一驱动电流至一输出垫。该芯片外驱动器操作在一电源域中。该电源域工作在一最小系统电压和一最大系统电压下。该芯片外驱动器包括一推挽电路。该推挽电路耦接至该输出垫，并包...

本公开提供一种电压切换元件、集成电路元件以及电压切换方法。该电压切换元件具有一参考电压产生器、一熔丝系统以及一切换电路。该参考电压产生器产生一第一参考电压以及一第二参考电压。该熔丝系统耦接一电路装置。该切换电路耦接该参考电压产生器、该熔...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一源极区、一漏极区以及一栅极电极。该源极区与该漏极区位在该基底中，而该栅极电极部分地埋入该基底中，并位在该源极区与该漏极区之间。

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包含：一基底、位在该基底中的一控制结构、位在该控制结构的二侧壁上的多个第一间隙子、位在所述多个第一间隙子的侧壁上的多个第二间隙子以及位在该基底中的一第一掺杂区。该第一掺杂区具有一轻度掺杂...

本公开提供一种存储器结构，包括一基底、一栅极堆叠、一第一应变层、一第二应变层、一位元线接触结构及一电容器接触点。基底具有至少一鳍部；一栅极堆叠穿过该至少一鳍部；一第一应变层配置在该栅极堆叠的一第一侧；一第二应变层配置在该栅极堆叠的一第二...

本公开提供一种具有精细图案的半导体元件结构及其制备方法。该制备方法包括在一基底上形成一柱体；在该柱体的一侧壁上形成一第一环结构；移除该柱体以形成一第一开口，该第一环结构围绕该第一开口设置；在该第一开口中形成一第二环结构；在该第一开口形成...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有多个第一半导体晶粒、一第一粘着层、多个第二半导体晶粒、一第二粘着层以及多个第一金属凸块。所述第一半导体晶粒内嵌在一第一晶圆群的一第一感光层中。该第一粘着层配置在该第一晶圆群的其中至少...

本公开提供一种电子装置。该电子装置具有一基底、至少一接触垫以及一重分布层，该至少一接触垫配置在该基底上，该重分布层具有一条状部。该重分布层电性连接该接触垫。该条状部具有至少两个步阶，且每一步阶具有多个波峰及波谷。

本发明公开了一种封装后修复方法及封装后修复装置，封装后修复(PPR)方法包含以下步骤：接收第一PPR信号以及第二PPR信号，其中第一PPR信号对应于第一PPR模式，且第二PPR信号对应于第二PPR模式；以及依据第一PPR信号以及第二PP...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有至少一晶粒。该至少一晶粒具有一集成电路区、围绕该集成电路区的一第一凹陷区以及围绕该第一凹陷区的一第二凹陷区。一第一凹陷部配置在该第一凹陷区中，且一第二凹陷部配置在该第二凹陷区中。

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基层，该基层具有一顶表面以及多个处理区。一主要图案配置在该基层的该顶表面上，其中该主要图案具有一图案顶表面、位在该图案顶表面上的多个处理区，以及一侧壁，该主要图案具有一第一临界尺寸...