导电通孔结构制造技术

本发明专利技术公开了一种导电通孔结构，包含第一介电层、导电垫、第二介电层以及重分布层。导电垫位于第一介电层中。第二介电层设置于第一介电层上，并具有开口。导电垫位于开口中。开口在第二介电层的上表面处具有第一宽度，开口在第二介电层的下表面处具有第二宽度。第一宽度与第二宽度具有差异，且此差异落在自约3微米至约6微米的范围中。重分布层自第二介电层的上表面延伸至导电垫。由于导电通孔结构的第二介电层的第一宽度大于第二介电层的第二宽度约3微米至约6微米，因此重分布层的材料不会在铝沉积工艺中聚集在开口的上端。换句话说，重分布层可具有较厚的侧壁。通过如此的结构，可增进导电通孔结构的电性连接品质。进导电通孔结构的电性连接品质。进导电通孔结构的电性连接品质。

【技术实现步骤摘要】
导电通孔结构


[0001]本专利技术是有关于一种导电通孔结构。

技术介绍

[0002]在通过铝沉积工艺形成重分布层的工艺中，铝的颗粒会影响后续工艺的效率以及装置的效能。因此，为了避免颗粒的形成，铝沉积工艺的温度会被控制在较低的温度。然而，较低的温度会使得形成于介电层的开口中的重分布层的厚度变得更薄。此外，铝的堆积会形成在开口的上端，使得铝沉积效率变得更差。如此一来，将使得电性连接品质下降。
[0003]另一方面，较大的开口虽然可提供更多的空间让铝沉积至开口中。然而，越大的开口尺寸同时也限制的装置的微缩幅度。如此一来，也使得导电通孔结构的制造难以达到所需的设计规则。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种导电通孔结构，其可增进导电通孔结构的电性连接品质。
[0005]在本专利技术的一实施例中，导电通孔结构包含第一介电层、导电垫、第二介电层以及重分布层。导电垫位于第一介电层中。第二介电层设置于第一介电层上，并具有开口。导电垫位于开口中。开口在第二介电层的上表面处具有第一宽度，开口在第二介电层的下表面处具有第二宽度。第一宽度与第二宽度具有差异，且此差异落在自约3微米至约6微米的范围中。重分布层自第二介电层的上表面延伸至导电垫。
[0006]在本专利技术的一实施例中，第二介电层具有斜面，位于第二介电层的上表面与第二介电层的下表面之间。
[0007]在本专利技术的一实施例中，第二介电层的开口的第一宽度大于8微米。
[0008]在本专利技术的一实施例中，第二介电层的开口的第一宽度落在自约9微米至约13微米的范围中。
[0009]在本专利技术的一实施例中，第二介电层的开口的第二宽度落在自约3微米至约7微米的范围中。
[0010]在本专利技术的一实施例中，第一宽度与第二宽度之间的比例落在自约1.5至约2.2的范围中。
[0011]在本专利技术的一实施例中，第二介电层的开口还包含第三宽度，位于第二介电层的上表面与第二介电层的下表面之间，且第三宽度小于第一宽度，第三宽度大于第二宽度。
[0012]在本专利技术的一实施例中，开口的第三宽度自第二介电层的上表面往第二介电层的下表面递减。
[0013]在本专利技术的一实施例中，第二介电层包含上部以及位于上部下方的下部，且位于上部的开口的第一宽度为定值。
[0014]在本专利技术的一实施例中，导电垫具有凹陷，凹陷连通第二介电层的开口。
[0015]在本专利技术的一实施例中，位于第二介电层的上表面上的重分布层具有厚度，此厚度落在自约4微米至约5微米的范围中。
[0016]在本专利技术的一实施例中，位于第二介电层的开口中的重分布层具有侧壁，侧壁围绕次要开口，且次要开口具有大致相同的第四宽度。
[0017]在本专利技术的一实施例中，重分布层的侧壁的厚度自第二介电层的上表面往第二介电层的下表面递减。
[0018]在本专利技术的一实施例中，第二介电层为复合层。
[0019]在本专利技术的上述实施例中，由于第二介电层的第一宽度大于第二介电层的第二宽度约3微米至约6微米，重分布层的材料不会在铝沉积工艺中聚集在开口的上端。换句话说，重分布层可具有较厚的侧壁。通过如此的结构，可增进导电通孔结构的电性连接品质。
附图说明
[0020]图1为根据本专利技术一些实施例的导电通孔结构的俯视图。
[0021]图2为沿着图1中线段2-2的导电通孔结构的剖面图。
[0022]图3为图2的导电通孔结构的剖面图，其中省略重分布层。
[0023]图4为根据本专利技术另一实施例的导电通孔结构的剖面图。
[0024]主要附图标记说明：
[0025]100、200-导电通孔结构，110-第一介电层，120-第二介电层，122-上表面，124-下表面，126-斜面，130-导电垫，132-凹陷，140-重分布层，142-侧壁，140S-内表面，140T-上表面，140B-下表面，OP1-开口，OP2-次要开口，OP3-开口，D1-第一宽度，D2-第二宽度，D3-第三宽度，D4-第四宽度，T1-第一厚度，T2-第二厚度，T3-第三厚度，220-第二介电层，220A-上部，220B-下部。
具体实施方式
[0026]以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。且若实施上为可能，不同实施例的特征可以交互应用。
[0027]图1为根据本专利技术一些实施例的导电通孔结构100的俯视图。图2为沿着图1中线段2-2的导电通孔结构100的剖面图。参阅图1及图2。导电通孔结构100包含第一介电层110、第二介电层120、导电垫130以及重分布层140。在一些实施例中，基板，例如硅基板、半导体基板，或其他相似者，可设置于第一介电层110下方以支撑并电性连接至导电垫130。导电垫130位于第一介电层110中。第二介电层120设置于第一介电层110上，并具有开口OP1。导电垫130位于开口OP1中。第二介电层120具有上表面122以及相对于上表面122的下表面124。下表面124接触第一介电层110以及导电垫130。如图2所示，重分布层140自第二介电层120的上表面122延伸至导电垫130。
[0028]图3为图2的导电通孔结构100的剖面图，其中省略重分布层140。为了清楚说明，第二介电层120的结构将于此详细描述。第二介电层120的开口OP1在第二介电层120的上表面
122处具有第一宽度D1，开口OP1在第二介电层120的下表面124处具有第二宽度D2。如图3所示，第一宽度D1大于第二宽度D2。第一宽度D1与第二宽度D2之间的差异落在自约3微米至约6微米的范围中。第二介电层120具有斜面126。斜面126位于第二介电层120的上表面122与第二介电层120的下表面124之间，并且连接上表面122与下表面124。换句话说，开口OP1是由第二介电层120的斜面126构成的空间。在本实施例中，开口OP1为矩形，且第一宽度D1与第二宽度D2为两相对的斜面126之间的距离。在一些其他实施例中，开口OP1为圆形，且第一宽度D1与第二宽度D2为开口OP1的直径。
[0029]在一些实施例中，第二介电层120为复合层。复合层的材料可包含氧化硅(silicon oxide，SiO2)以及氮化硅(silicon nitride，SiN2)。在一些实施例中，第二介电层120的厚度落在自约5微米至约8微米的范围中。
[0030]在一些实施例中，第二介电层120的开口OP1的第一宽度D1大于8微米。在一些其他实施例中，第二介电层120的开口OP1的第一宽度D1落在自约9微米至约13微米的范围中。第二介电层120的开口OP1的第二宽度D2落在自约3微米至约7微米的范围中。在一些实施例中，第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电通孔结构，其特征在于，包含：第一介电层；导电垫，位于所述第一介电层中；第二介电层，设置于所述第一介电层上，并具有开口，其中所述导电垫位于所述开口中，所述开口在所述第二介电层的上表面处具有第一宽度，所述开口在所述第二介电层的下表面处具有第二宽度，所述第一宽度与所述第二宽度具有差异，且所述差异落在自3微米至6微米的范围中；以及重分布层，自所述第二介电层的所述上表面延伸至所述导电垫。2.如权利要求1所述的导电通孔结构，其特征在于，所述第二介电层具有斜面，位于所述第二介电层的所述上表面与所述第二介电层的所述下表面之间。3.如权利要求1所述的导电通孔结构，其特征在于，所述第二介电层的所述开口的所述第一宽度大于8微米。4.如权利要求1所述的导电通孔结构，其特征在于，所述第二介电层的所述开口的所述第一宽度落在自9微米至13微米的范围中。5.如权利要求1所述的导电通孔结构，其特征在于，所述第二介电层的所述开口的所述第二宽度落在自3微米至7微米的范围中。6.如权利要求1所述的导电通孔结构，其特征在于，所述第一宽度与所述第二宽度之间的比例落在自1.5至2.2的范围中。7.如权利要求1所述的导电通孔结构，其特征在于，所述开口还包含第三宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：施信益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：