一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路制造技术

本发明专利技术提供了一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路，通过二级倍压技术，降低单独NMOS管的栅极开启电压，可以大大减小电路中的电源功耗，本发明专利技术整体电路设计简单，完全适用于常规BCD工艺，可广泛应用于DC

【技术实现步骤摘要】
一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路


[0001]本专利技术涉及电路
，尤其是涉及一种开关电容电路。

技术介绍

[0002]目前随着科学技术的发展，家用电器不断地小型化集成化，也就加大了对芯片的需求，对芯片的面积要求也是越小越好，成本越低越好。在芯片内部电路部分中有时会需要比外部电压更高的工作电压，才能够使得芯片正常工作。在传统的技术中，当电路中存在电荷泵电路时，由于电荷泵输出电压越大，电路内部NMOS管开启时需要的栅极电压越大，就需要单独的为NMOS管的栅极提供大的开启电压，这样就会导致整个电荷泵电路中存在很大的电源功耗，不利于整体电路的优化设计。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路。本专利技术通过二级倍压技术，降低单独NMOS管的栅极开启电压，可以大大减小电路中的电源功耗，可以有效地解决相关领域的技术难题。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0005]一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路，包括P沟道增强型MOS 管PM1-PM4，N沟道增强型MOS管NM1-NM4，电容C1-C4，整流二极管D1、D2，反相器INV1，以及VIN输入端口、CLK逻辑输入端口和VBST输出端口；
[0006]所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接P沟道增强型MOS管PM2源极、整流二极管D1的阳极和VBST输出端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM2栅极、N 沟道增强型MOS管NM1漏极、N沟道增强型MOS管NM2栅极和电容C1的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM2漏极、N沟道增强型MOS管NM1栅极、N沟道增强型MOS管NM2漏极和电容C3的上极板；
[0007]所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接P沟道增强型MOS管PM1源极、整流二极管D1的阳极和VBST输出端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极、N 沟道增强型MOS管NM2漏极、N沟道增强型MOS管NM1栅极和电容C3的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、N沟道增强型MOS管NM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和电容C1的上极板；
[0008]所述N沟道增强型MOS管NM1源极连接P沟道增强型MOS管PM3源极、P 沟道增强型MOS管PM4源极和N沟道增强型MOS管NM2源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管 NM2栅极和电容C1的上极板；
[0009]所述N沟道增强型MOS管NM2源极连接P沟道增强型MOS管PM3源极、P 沟道增强型MOS管PM4源极和N沟道增强型MOS管NM1源极，N沟道增强型MOS 管NM2的漏极连接P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM1栅极、N沟道增强型MOS管NM1栅极和电容C3的上极板，栅极连接P沟道增强型 MOS管PM1漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和电容C1的上极板；
[0010]所述P沟道增强型MOS管PM1、PM2和N沟道增强型MOS管NM1、NM2在电路中充当开关
管使用，共同构成开关电容电路的第二层增压电路；
[0011]所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接N沟道增强型MOS管NM1源极、N 沟道增强型MOS管NM2源极和P沟道增强型MOS管PM4源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极、N沟道增强型MOS管NM4 栅极和电容C2的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型 MOS管NM3栅极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和电容C4的上极板；
[0012]所述P沟道增强型MOS管PM4源极连接N沟道增强型MOS管NM1源极、N 沟道增强型MOS管NM2源极和P沟道增强型MOS管PM3源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM3栅极、N沟道增强型MOS管NM3栅极、N沟道增强型MOS管NM4 漏极和电容C4上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、N沟道增强型MOS 管NM3漏极、N沟道增强型MOS管NM4栅极和电容C2上极板；
[0013]所述N沟道增强型MOS管NM3源极连接N沟道增强型MOS管NM4源极、整流二极管D2的阳极和VIN输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、P 沟道增强型MOS管PM4栅极、N沟道增强型MOS管NM4栅极和电容C2上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM4漏极、P沟道增强型MOS管PM3栅极和电容C4的上极板；
[0014]所述N沟道增强型MOS管NM4源极连接N沟道增强型MOS管NM3源极、整流二极管D2的阳极和VIN输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、P 沟道增强型MOS管PM3栅极、N沟道增强型MOS管NM3栅极和电容C4上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM4栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极、P沟道增强型MOS管PM3漏极和电容C2的上极板；
[0015]所述P沟道增强型MOS管PM3、PM4和N沟道增强型MOS管NM3、NM4在电路中充当开关管使用，共同构成开关电容电路的第一层增压电路；
[0016]所述电容C1上极板连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、P沟道增强型MOS管 PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和N沟道增强型MOS管NM2栅极，下极板连接CLK逻辑输入端口、反相器INV1输入端和电容C2的下极板；
[0017]所述电容C2上极板连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、P沟道增强型MOS管 PM4栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极和N沟道增强型MOS管NM4栅极，下极板连接CLK逻辑输入端口、反相器INV1输入端和电容C1的下极板；
[0018]所述电容C3上极板连接P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管 PM1栅极、N沟道增强型MOS管NM2漏极和N沟道增强型MOS管NM1栅极，下极板连接反相器INV1输出端和电容C4的下极板；
[0019]所述电容C4上极板连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、P沟道增强型MOS管 PM3栅极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和N沟道增强型MOS管NM3栅极，下极板连接反相器INV1输出端和电容C3的下极板；
[0020]所述整流二极管D1阳极连接P沟道增强型MOS管PM1源极、P沟道增强型MOS 管PM2源极和VBST输出端口，阴极连接整流二极管D2的阴极；
[0021]所述整流二极管D2阳极连接N沟道增强型MOS管NM3源极、N沟道增强型 MOS管NM4源极和VIN输入端口，阴极连接整流二极管D1的阴极；
[0022]所述反相器INV1输入端口连接CLK逻辑输入端口、电容C1下极板和C2下极板，输出端连接电容C3下极板和C4下极板；
[0023]所述电容C1-C4在电路中起到充电电容的作用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路，其特征在于：所述用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM4，N沟道增强型MOS管NM1-NM4，电容C1-C4，整流二极管D1、D2，反相器INV1，以及VIN输入端口、CLK逻辑输入端口和VBST输出端口；所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接P沟道增强型MOS管PM2源极、整流二极管D1的阳极和VBST输出端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极、N沟道增强型MOS管NM2栅极和电容C1的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM2漏极、N沟道增强型MOS管NM1栅极、N沟道增强型MOS管NM2漏极和电容C3的上极板；所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接P沟道增强型MOS管PM1源极、整流二极管D1的阳极和VBST输出端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极、N沟道增强型MOS管NM2漏极、N沟道增强型MOS管NM1栅极和电容C3的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、N沟道增强型MOS管NM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和电容C1的上极板；所述N沟道增强型MOS管NM1源极连接P沟道增强型MOS管PM3源极、P沟道增强型MOS管PM4源极和N沟道增强型MOS管NM2源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM2栅极和电容C1的上极板；所述N沟道增强型MOS管NM2源极连接P沟道增强型MOS管PM3源极、P沟道增强型MOS管PM4源极和N沟道增强型MOS管NM1源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM1栅极、N沟道增强型MOS管NM1栅极和电容C3的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和电容C1的上极板；所述P沟道增强型MOS管PM1、PM2和N沟道增强型MOS管NM1、NM2在电路中充当开关管使用，共同构成开关电容电路的第二层增压电路；所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接N沟道增强型MOS管NM1源极、N沟道增强型MOS管NM2源极和P沟道增强型MOS管PM4源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极、N沟道增强型MOS管NM4 栅极和电容C2的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM3栅极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和电容C4的上极板；所述P沟道增强型MOS管PM4源极连接N沟道增强型MOS管NM1源极、N沟道增强型MOS管NM2源极和P沟道增强型MOS管PM3源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM3栅极、N沟道增强型MOS管NM3栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：方建平，边疆，张适，
申请(专利权)人：西安拓尔微电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：