一种在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路制造技术

本发明专利技术提供了一种一种在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路，在每个功率管的两端分别并联一个采样管，在PNP管的发射极添加大电阻R4阻止大电流经过PNP管，同时在NPN的发射极也连接大电阻R5阻止大电流经过NPN，从而有效地防止各个功率管与采样管之间闩锁效应的产生，并解决了触碰烧芯片的问题，通过调整功率管的结构，切断电路产生的寄生闩锁效应，避免功率管因为闩锁效应而烧毁。本发明专利技术整体电路改动较少，只需在版图中改动金属层，改动成本低，有效地解决功率管烧毁的问题，提高芯片的可靠性。提高芯片的可靠性。提高芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路


[0001]本专利技术涉及保护电路
，尤其是一种高压下马达驱动电路。

技术介绍

[0002]目前随着电力电子技术的迅速发展，马达的需求逐渐增大，在生活的各方面都有广泛应用。当前马达驱动技术面临的难题是很容易烧芯片，尤其在正常加电时，当输出端和电源端触碰时会出现烧芯片的问题，对整体电路造成不可必要的麻烦。所以希望能设计出够减少芯片烧毁的芯片，对于马达驱动
来说将是一个很好地解决方案。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路，通过调整功率管的结构，切断电路产生的寄生闩锁效应，避免功率管因为闩锁效应而烧毁。所以本专利技术提供的一种在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路，可以有效地解决相关领域的技术难题。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0005]一种在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路，包括VM供电电源端口，稳压电容CIN，高压增强型LDMOS功率管PA、PB、NA、NB，高压增强型LDMOS采样管CSPA、CSPB、CSNA、CSNB，采样电阻R0、R1、R2、R3，栅极驱动控制A端口，栅极驱动控制B端口，输出端口OUT1和输出端口OUT2；
[0006]高压增强型LDMOS功率管PA与NA串联为一个支路，高压增强型LDMOS功率管PB与NB串联为另一个支路，两个支路并联，并联后的电路的一端连接VM输入端，另外一端连接地，在每个高压增强型LDMOS功率管的两端分别并联一个高压增强型LDMOS采样管，且在功率管的ISO
‑
PSUB和Source端之间设置一个阻值大于100KΩ的电阻R4，将采样管的ISO_PSUB和Source端切断后，使ISO
‑
PSUB连接至功率管的ISO
‑
PSUB端，在SDNW区连接阻值大于100KΩ电阻R5到VM输入端，在PNP管的发射极添加大电阻R4阻止大电流经过PNP管，同时在NPN的发射极也连接大电阻R5阻止大电流经过NPN，从而有效地防止各个功率管与采样管之间闩锁效应的产生，并解决了触碰烧芯片的问题。
[0007]所述在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路为：高压增强型LDMOS功率管PA漏极连接VM输入端，栅极连接栅极驱动控制A端口、高压增强型LDMOS采样管CSPA、CSNB栅极和高压增强型LDMOS功率管NB栅极，源极连接高压增强型LDMOS功率管NA和采样管CSNA漏极、高压增强型LDMOS采样管CSPA源极和OUT1输出端；采样电阻R0一端连接VM输入端，另一端连接高压增强型LDMOS采样管CSPA漏极；高压增强型LDMOS采样管CSPA漏极连接采样电阻R0另一端，栅极连接栅极驱动控制A端口、高压增强型LDMOS功率管PA、NB栅极和采样管CSNB栅极，源极连接高压增强型LDMOS功率管PA源极、功率管NA漏极、采样管CSNA漏极和OUT1输出端；
[0008]高压增强型LDMOS功率管PB漏极连接VM输入端，栅极连接栅极驱动控制B端口、高压增强型LDMOS采样管CSPB、CSNA栅极和高压增强型LDMOS功率管NA栅极，源极连接高压增
强型LDMOS功率管NB和采样管CSNB漏极、高压增强型LDMOS采样管CSPB源极和OUT2输出端；采样电阻R1一端连接VM输入端，另一端连接高压增强型LDMOS采样管CSPB漏极；高压增强型LDMOS采样管CSPB漏极连接采样电阻R1另一端，栅极连接栅极驱动控制B端口、高压增强型LDMOS功率管PB、NA栅极和采样管CSNA栅极，源极连接高压增强型LDMOS功率管PB源极、功率管NB漏极、采样管CSNB漏极和OUT2输出端；
[0009]高压增强型LDMOS功率管NA源极连接地，栅极连接栅极驱动控制B端口、高压增强型LDMOS采样管CSPB、CSNA栅极和高压增强型LDMOS功率管PB栅极，漏极连接高压增强型LDMOS功率管PA和采样管CSPA源极、采样管CSNA漏极和OUT1输出端；采样电阻R2一端连接高压增强型LDMOS采样管CSNA源极，另一端接地；高压增强型LDMOS采样管CSNA源极连接采样电阻R2一端，栅极连接栅极驱动控制B端口、高压增强型LDMOS功率管NA、PB栅极和采样管CSPB栅极，漏极连接高压增强型LDMOS功率管PA源极、功率管NA漏极、采样管CSPA漏极和OUT1输出端；
[0010]高压增强型LDMOS功率管NB源极连接地，栅极连接栅极驱动控制A端口、高压增强型LDMOS采样管CSPA、CSNB栅极和高压增强型LDMOS功率管PA栅极，漏极连接高压增强型LDMOS功率管PB和采样管CSPB源极、采样管CSNB漏极和OUT2输出端；采样电阻R3一端连接高压增强型LDMOS采样管CSNB源极，另一端接地；高压增强型LDMOS采样管CSNB源极连接采样电阻R3一端，栅极连接栅极驱动控制A端口、高压增强型LDMOS功率管NB、PA栅极和采样管CSPA栅极，漏极连接高压增强型LDMOS功率管PB源极、功率管NB漏极、采样管CSPB漏极和OUT2输出端。
[0011]本专利技术的有益效果在于整体电路改动较少，只需在版图中改动金属层，改动成本低，有效地解决功率管烧毁的问题，提高芯片的可靠性。
附图说明
[0012]图1为本专利技术的一种在高压下马达驱动工作示意图。
[0013]图2为本专利技术的一种在高压下马达驱动OUT1短路VM时示意图。
[0014]图3为本专利技术所采用的功率管和采样管结构的剖面图。
[0015]图4为本专利技术的功率管结构烧坏机理的剖面图。
[0016]图5为本专利技术中闩锁效应机理的电路示意图。
[0017]图6为本专利技术所采用改正后的功率管机理的剖面图。
[0018]图7为本专利技术中图6所示阻止闩锁效应机理的电路示意图。
具体实施方式
[0019]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。
[0020]本专利技术提供一种在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路，主要用于相关保护电路领域，主要用于相关保护电路领域，本专利技术采用如下的技术方案实现：
[0021]一种在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路，马达驱动电路模块由VM供电电源端口，稳压电容CIN，高压增强型LDMOS功率管PA、PB、NA、NB，高压增强型LDMOS采样管CSPA、CSPB、CSNA、CSNB，采样电阻R0、R1、R2、R3，栅极驱动控制A端口，栅极驱动控制B端口，输出端口OUT1和输出端口OUT2。具体连接关系如图1所示：
[0022]高压增强型LDMOS功率管PA漏极连接VM输入端，栅极连接栅极驱动控制A端口、高压增强型LDMOS采样管CSPA、CSNB栅极和高压增强型LDMOS功率管NB栅极，源极连接高压增强型LDMOS功率管NA和采样管CSNA漏极、高压增强型LDMOS采样管CSPA源极和OUT1输出端；采样电阻R0一端连接VM输入端，另一端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路，包括VM供电电源端口，稳压电容CIN，高压增强型LDMOS功率管PA、PB、NA、NB，高压增强型LDMOS采样管CSPA、CSPB、CSNA、CSNB，采样电阻R0、R1、R2、R3，栅极驱动控制A端口，栅极驱动控制B端口，输出端口OUT1和输出端口OUT2，其特征在于：高压增强型LDMOS功率管PA与NA串联为一个支路，高压增强型LDMOS功率管PB与NB串联为另一个支路，两个支路并联，并联后的电路的一端连接VM输入端，另外一端连接地，在每个高压增强型LDMOS功率管的两端分别并联一个高压增强型LDMOS采样管，且在功率管的ISO
‑
PSUB和Source端之间设置一个阻值大于100KΩ的电阻R4，将采样管的ISO_PSUB和Source端切断后，使ISO
‑
PSUB连接至功率管的ISO
‑
PSUB端，在SDNW区连接阻值大于100KΩ电阻R5到VM输入端，在PNP管的发射极添加大电阻R4阻止大电流经过PNP管，同时在NPN的发射极也连接大电阻R5阻止大电流经过NPN，从而有效地防止各个功率管与采样管之间闩锁效应的产生。2.根据权利要求1所述的在高压下防止马达驱动功率管烧毁电路，其特征在于：高压增强型LDMOS功率管PA漏极连接VM输入端，栅极连接栅极驱动控制A端口、高压增强型LDMOS采样管CSPA、CSNB栅极和高压增强型LDMOS功率管NB栅极，源极连接高压增强型LDMOS功率管NA和采样管CSNA漏极、高压增强型LDMOS采样管CSPA源极和OUT1输出端；采样电阻R0一端连接VM输入端，另一端连接高压增强型LDMOS采样管CSPA漏极；高压增强型LDMOS采样管CSPA漏极连接采样电阻R0另一端，栅极连接栅极驱动控制A端口、高压增强型LDMOS功率管PA、NB栅极和采样管CSNB栅极，源极连接高压增强型LDMOS功率管PA源极、功率管NA漏极、采样管CSNA漏极和OUT1输出端；高压增强型LDMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：李红艳，张适，
申请(专利权)人：西安拓尔微电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：