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本发明提供了一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路，通过二级倍压技术，降低单独NMOS管的栅极开启电压，可以大大减小电路中的电源功耗，本发明整体电路设计简单，完全适用于常规BCD工艺，可广泛应用于DC
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该专利属于西安拓尔微电子有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安拓尔微电子有限责任公司授权不得商用。

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