【技术实现步骤摘要】
封装后修复方法及封装后修复装置
本专利技术是有关于一种封装后修复方法及封装后修复装置，且特别是有关于存储器阵列的封装后修复方法以及封装后修复装置。
技术介绍
集成电路包含可以用来代替损坏的元件部分的冗余元件部分。例如，一种包含存储器单元的动态随机存取存储器(DRAM)阵列类型的存储器电路。存储器单元按行与列排列。为了储存一些信息，每个行与列都是可寻址的。随着存储器单元的密度增加，在制造过程中故障单元的数量也会增加。为了减少故障单元的影响，冗余存储器单元，或者更确切地说，存储器单元的冗余部分可用于修复阵列的受损部分，其中受损部分包括一个或多个损坏的存储器单元。一旦识别出集成电路的损坏部分，修复过程包含用冗余资源替换损坏的部分。用冗余资源替换损坏部分的方法包含硬封装后修复(hPPR)和软封装后修复的方法(SPPR)。软封装后修复(sPPR)是一种快速但暂时修复存储器阵列的列单元的方法，与硬封装后修复(hPPR)相反，后者需要更长时间但永久修复存储器阵列的列单元。封装后修复装置接收命令以执行sPPR操作或hPPR操...
【技术保护点】
1.一种封装后修复方法，其特征在于，包含：/n接收第一PPR信号以及第二PPR信号，其中所述第一PPR信号对应于第一PPR模式，且所述第二PPR信号对应于第二PPR模式；以及/n依据所述第一PPR信号以及所述第二PPR信号产生第一有效信号以及第二有效信号，其中当所述第一PPR信号以及所述第二PPR信号均包含致能信息时，所述第一有效信号以及所述第二有效信号中只有一个包含有效信息；/n其中当所述第一有效信号包含所述有效信息时，所述第一PPR模式被执行，以及当所述第二有效信号包含所述有效信息时，所述第二PPR模式被执行。/n
【技术特征摘要】
20190621 US 16/447,9771.一种封装后修复方法，其特征在于，包含：
接收第一PPR信号以及第二PPR信号，其中所述第一PPR信号对应于第一PPR模式，且所述第二PPR信号对应于第二PPR模式；以及
依据所述第一PPR信号以及所述第二PPR信号产生第一有效信号以及第二有效信号，其中当所述第一PPR信号以及所述第二PPR信号均包含致能信息时，所述第一有效信号以及所述第二有效信号中只有一个包含有效信息；
其中当所述第一有效信号包含所述有效信息时，所述第一PPR模式被执行，以及当所述第二有效信号包含所述有效信息时，所述第二PPR模式被执行。
2.如权利要求1所述的封装后修复方法，其特征在于，还包含：
接收模式转换信号，其中当所述第一PPR信号以及所述第二PPR信号均包含所述致能信息时，所述模式转换信号控制所述第一有效信号及所述第二有效信号中的哪一个包含所述有效信息。
3.如权利要求2所述的封装后修复方法，其特征在于，当所述模式转换信号的数值为第一数值，且所述第一PPR信号以及所述第二PPR信号均包含所述致能信息时，所述第一有效信号包含所述有效信息且所述第二有效信号包含无效信息，其中当所述模式转换信号的所述数值为第二数值，且所述第一PPR信号以及所述第二PPR信号均包含所述致能信息时，所述第一有效信号包含所述无效信息且所述第二有效信号包含所述有效信息。
4.如权利要求1所述的封装后修复方法，其特征在于，还包含：
当所述第一有效信号包含所述有效信息时，产生包含所述致能信息的第一产生信号；以及
当所述第二有效信号包含所述有效信息时，产生包含所述致能信息的第二产生信号。
5.如权利要求1所述的封装后修复方法，其特征在于，所述第一PPR模式为硬封装后修复模式，且所述第二PPR模式为软封装后修复模式。
6.一种封装后修复装置，其特征在于，包含：
第一逻辑电路，用以接收第一PPR信号以及第二PPR信号，依据所述第一PPR信号以及所述第二PPR信号以产生第一有效信号以及第二有效信号，其中所述第一PPR信号对应于第一PPR模式，且所述第二PPR信号对应于第二PPR模式，其中当所述第一PPR信号以及所述第二PPR信号均包含致能信息时，所述第一有效信号以及所述第二有效信号中只有一个包含有效信息；以及
第二逻辑电路，耦接至所述第一逻辑电路，用以接收所述第一有效信号以及所述第二有效信号，用...
【专利技术属性】
技术研发人员：许庭硕，沈志玮，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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