【技术实现步骤摘要】
一种NORflash存储器中存储单元修复的方法和装置
本专利技术涉及存储器领域，尤其涉及一种NORflash存储器中存储单元修复的方法和装置。
技术介绍
NORflash存储器的存储单元是场效应晶体管，是一种受电压控制的四端器件，由源极、漏极、栅极以及硅衬底组成，在栅极与硅衬底间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏，NORflash存储器擦除数据是基于隧道效应的，在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)，在NORflash存储器中，每个存储器单元的源端连接到源线，漏端直接连接到类似于NOR门(或非门)的位线，栅端连接到字线。目前NORflash存储器设计时为了提高产品良率，会采用一定的修复技术，来解决NORflash存储器出厂后某些存储单元不能擦写读的问题。然而，现有的修复技术对存储单元的修复效果仍有待提高。
技术实现思路
本专利技术提供的一种NORflash存储器中存储单元修复的方法和装置，解决了现有技术对存储单元修复效果不够好的问题。为了解决上述技术问题...
【技术保护点】
1.一种NOR flash存储器中存储单元修复的方法，其特征在于，所述NOR flash存储器包括：存储单元、冗余字线替换存储单元、故障存储单元字线地址锁存器以及字线选择器，所述故障存储单元字线地址锁存器包括：故障存储单元的字线地址和故障存储单元字线的修复使能位，所述方法包括：/n访问存储单元；/n对比所述访问存储单元的字线地址与所述故障存储单元的字线地址，以及，获取所述故障存储单元字线的修复使能位；/n若所述访问存储单元的字线地址与所述故障存储单元的字线地址匹配，并且所述故障存储单元字线的修复使能位为1，通过所述字线选择器，从所述冗余字线替换存储单元中选择对应于所述故障存...
【技术特征摘要】
1.一种NORflash存储器中存储单元修复的方法，其特征在于，所述NORflash存储器包括：存储单元、冗余字线替换存储单元、故障存储单元字线地址锁存器以及字线选择器，所述故障存储单元字线地址锁存器包括：故障存储单元的字线地址和故障存储单元字线的修复使能位，所述方法包括：
访问存储单元；
对比所述访问存储单元的字线地址与所述故障存储单元的字线地址，以及，获取所述故障存储单元字线的修复使能位；
若所述访问存储单元的字线地址与所述故障存储单元的字线地址匹配，并且所述故障存储单元字线的修复使能位为1，通过所述字线选择器，从所述冗余字线替换存储单元中选择对应于所述故障存储单元的字线地址的冗余字线存储单元替换所述故障存储单元。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NORflash存储器还包括：冗余位线替换存储单元、故障存储单元位线地址锁存器以及位线选择器；所述故障存储单元位线地址锁存器包括：故障存储单元的位线地址和故障存储单元位线的修复使能位；在对比所述访问存储单元的字线地址与所述故障存储单元的字线地址，以及，获取所述故障存储单元字线的修复使能位之后，所述方法还包括：
在所述访问存储单元的字线地址与所述故障存储单元的字线地址不匹配，或者所述故障存储单元字线的修复使能位为0时，所述访问存储单元的位线地址与所述故障存储单元的位线地址匹配，并且所述故障存储单元位线的修复使能位为1，则通过所述位线选择器，从所述冗余位线替换存储单元中选择对应于所述故障存储单元的位线地址的冗余位线存储单元替换所述故障存储单元。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，若所述故障存储单元的字线地址存储在所述故障存储单元字线地址锁存器中，并且所述故障存储单元字线的修复使能位为1，则所述故障存储单元位线地址锁存器不存储所述故障存储单元字线上的故障存储单元的位线地址。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，若所述故障存储单元的字线地址未存储在所述故障存储单元字线地址锁存器中，或者所述故障存储单元字线的修复使能位为0，所述故障存储单元位线地址锁存器存储所述故障存储单元位线上的故障存储单元的位线地址，并设置该位线地址对应的故障存储单元的故障存储单元位线的修复使能位为1。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对比所述访问存储单元的字线地址与所述故障存储单元的字线地址，以及，获取所述故障存储单元字线的修复使能位之后，所述方法还包括：
若所述访...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘言言，许梦，付永庆，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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