一种修复方法、装置及计算机存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种修复方法，应用于动态随机存取存储器，通过定制独立修复单元，以独立修复单元的容量进行修复的配置，将DRAM的修复从芯片级拆分成独立修复单元级。对独立修复单元逐一进行修复计算，不产生不可修复的独立修复单元的修复方案，并将不可修复的独立修复单元对应的地址设置为不可访问，对可以修复的独立修复单元进行修复。进而，可修复的独立修复单元可继续使用，降低了生产成本，达到了节约生产成本的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种修复方法、装置及计算机存储介质
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种修复方法、装置及计算机存储介质。
技术介绍
在传统动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)修复流程中，DRAM修复以整个芯片设计容量为单位进行配置，然后在芯片内的每个最小独立修复单元中进行计算，如果计算过程中发现有一个最小独立修复单元不可修复，那么计算过程就会终止，该DRAM芯片被判断为废片。即DRAM芯片的修复严格按照产品的设计容量进行，这样会造成芯片制造成本升高，资源浪费。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的修复方法、装置及计算机存储介质。第一方面，本实施例提供一种修复方法，应用于动态随机存取存储器，包括：将待修复的动态随机存取存储器的存储空间分为M个独立修复单元，每个所述独立修复单元标记有对应的存储地址范围，M为大于1的整数；对每个所述独立修复单元进行修复检测，从M个所述独立修复单元中确定出N个不可修复单元，将N个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种修复方法，应用于动态随机存取存储器，其特征在于，包括：/n将待修复的动态随机存取存储器的存储空间分为M个独立修复单元，每个所述独立修复单元标记有对应的存储地址范围，M为大于1的整数；/n对每个所述独立修复单元进行修复检测，从M个所述独立修复单元中确定出N个不可修复单元，将N个所述不可修复单元对应的存储地址范围内的地址标记为不可访问地址，N为大于或等于0且小于或等于M的整数；/n对M个所述独立修复单元中除N个所述不可修复单元之外的M-N个独立修复单元进行修复。/n

【技术特征摘要】
1.一种修复方法，应用于动态随机存取存储器，其特征在于，包括：
将待修复的动态随机存取存储器的存储空间分为M个独立修复单元，每个所述独立修复单元标记有对应的存储地址范围，M为大于1的整数；
对每个所述独立修复单元进行修复检测，从M个所述独立修复单元中确定出N个不可修复单元，将N个所述不可修复单元对应的存储地址范围内的地址标记为不可访问地址，N为大于或等于0且小于或等于M的整数；
对M个所述独立修复单元中除N个所述不可修复单元之外的M-N个独立修复单元进行修复。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对M个所述独立修复单元中除N个所述不可修复单元之外的M-N个独立修复单元进行修复之后，所述方法还包括：
将所述动态随机存取存储器的可用容量标定为所述存储空间的初始容量减去N个所述不可修复单元所占总容量后的剩余容量。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将待修复的动态随机存取存储器的分为M个独立修复单元，包括：
基于所述存储空间的初始容量，将所述存储空间均分为M个独立修复单元，每个所述独立修复单元所占的容量为所述初始容量的1/M。


4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述存储空间均分为M个独立修复单元，包括：
从所述存储空间的起始地址开始，游标式读取长度为初始容量的1/M的地址范围，将该地址范围对应的存储空间划分为一个独立修复单元，直至形成M个所述独立修复单元。


5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对每个所述独立修复单元进行修复检测，从M个所述独立修复单元中确定出N个不可修复单元，包括：
针对M个所述独立修复单元，检测每个所述独立修复单元中的失效地址，判断该独立修复单元中的失效地址是否存在不可修复的失效地址，如果存在，则确定该独立修复单元为不可修复单元，直至确定出N个所述不可修复单元。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王帆，黄华，席隆宇，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61