制造接头处的泄漏存储器孔修复制造技术

本发明专利技术题为“制造接头处的泄漏存储器孔修复”。具有制造接头的存储器阵列包括控制器，该控制器被配置为：在耦接到多条位线的字线上施加检测电压；对检测电压具有第一类型响应的位线的数量进行计数；以及在位线的数量超过所配置值的情况下，利用特定阈值电压对邻近制造接头的至少一条虚设字线上的存储器单元进行编程。

【技术实现步骤摘要】
制造接头处的泄漏存储器孔修复
技术介绍
现代存储器设备通过将存储器单元封装到越来越小的区域来推动制造技术的极限。存储器设备中的存储器单元的密度可变得如此密集以致使电子泄漏导致存储器故障。高密度的存储器设备的一个问题在于它们通常在存储器阵列中具有一个或多个制造接头。这些制造接头允许较高密度的存储器单元阵列，并从而允许较高容量的存储器设备。遗憾的是，制造接头的存在可能导致问题。一个已知的问题是，制造接头可在高密度存储器单元阵列中的相邻存储器串之间泄漏电荷，尤其是在存在制造误差的情况下。存储器串在本文中也被称为“存储器通道”。当存储器被编程或读取时，这种泄漏可导致编程困难和/或不准确的结果。附图说明为了容易地识别对任何特定元件或动作的讨论，参考标号中最有意义的一个或多个数位是指首次引入该元件的附图标号。图1示出根据一个实施方案的存储器通道100。图2示出根据一个实施方案的闪存存储器阵列200。图3示出根据一个实施方案的存储器单元编程过程300。图4示出根据一个实施方案的阈值电压分布400。图5示出根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：/n存储器阵列，所述存储器阵列具有存储器通道，每个存储器通道均具有存储器单元和制造接头；和/n控制器，所述控制器被配置成：/n利用用户数据对所述存储器通道的所述存储器单元进行编程；/n检测未能响应于所述存储器单元满足阈值而利用所述用户数据正确编程的存储器单元的数量；/n确定与未能正确编程的所述存储器单元对应的位线；/n增加在邻近所述制造接头的至少一条虚设字线上的至少一个虚设存储器单元的阈值电压；并且/n其中所述阈值电压被配置为减缓相邻存储器通道之间的电流泄漏。/n

【技术特征摘要】
20190314 US 16/354,0341.一种存储器设备，包括：
存储器阵列，所述存储器阵列具有存储器通道，每个存储器通道均具有存储器单元和制造接头；和
控制器，所述控制器被配置成：
利用用户数据对所述存储器通道的所述存储器单元进行编程；
检测未能响应于所述存储器单元满足阈值而利用所述用户数据正确编程的存储器单元的数量；
确定与未能正确编程的所述存储器单元对应的位线；
增加在邻近所述制造接头的至少一条虚设字线上的至少一个虚设存储器单元的阈值电压；并且
其中所述阈值电压被配置为减缓相邻存储器通道之间的电流泄漏。


2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中检测未能正确编程的所述存储器单元的数量包括从字线上的位线总数减去不满足所述阈值的位线的第一数量。


3.根据权利要求1所述的存储器设备，所述控制器被进一步配置为：
施加满足最高成功程序阈值电压的检测电压，并确定响应于编程失败而未能正确编程的所述存储器单元的数量。


4.根据权利要求3所述的存储器设备，所述控制器被进一步配置为：
响应于所述编程失败，在发生所述编程失败的存储器区域中执行数据备份；
将所述存储器区域标记为不可用；
增加在邻近所述制造接头的所述至少一条虚设字线上的所述至少一个虚设存储器单元的所述阈值电压；以及
将所述存储器区域标记为可供使用。


5.根据权利要求3所述的存储器设备，所述控制器被进一步配置为：
检测未能仅针对所述存储器阵列的多条字线中的单条特定字线而正确编程的所述存储器单元的数量。


6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述单条特定字线为字线0。


7.根据权利要求5所述的存储器设备，所述控制器被进一步配置为：
确定在所述编程失败发生在所述单条特定字线上的情况下未能正确编程的所述存储器单元的数量。


8.根据权利要求1所述的存储器设备，所述控制器被进一步配置为：
利用随机数据模式来初始化所述存储器阵列的包括所述存储器通道的区域。


9.一种控制器，所述控制器被配置为：
通过在存储器单元上设置阈值电压，对包括制造接头的存储器阵列的所述存储器单元进行编程；
检测未能响应于在所述存储器阵列的至少一条字线上施加检测电压而正确编程的存储器单元的数量；
确定与未能正确编程...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·J·海明克，X·杨，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US