一种半导体结构，包括一半导体单元、一个或多个接合结构、以及至少一个支撑件。该半导体单元包括至少一个通孔。该一个或多个接合结构设置在该半导体单元的上方并且电连接到该至少一个通孔。该至少一个支撑件设置在该半导体单元的上方。该至少一个支撑件是...

本公开提供一种多层结构的制备方法，包括下列步骤。具有一图案层的一基底位于一反应器中。一金属前驱物被引入反应器中，其中金属前驱物被图案层所吸收。通过抽出过量的金属前驱物，以从反应器清除过量的金属前驱物。一反应物被引入反应器中，其中反应物与...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基底、在该半导体基底上的一第一柱体与一第二柱体、在该半导体基底上的一隔离层，以及埋置在该隔离层中的一第一接触垫与一第二接触垫。第一柱体的一第一上表面是高于第二柱体的一第二上表...

本发明公开了一种半导体装置，包含基板、沟槽、绝缘层、下方金属层、负电容材料层、以及上方金属层。沟槽位于基板内，并具有内表面。绝缘层衬贴于沟槽的内表面上。下方金属层位于绝缘层上，并部分地填入沟槽。负电容材料层衬贴于绝缘层及下方金属层上，并...

本公开提供一种半导体装置。该半导体装置包括一半导体基底、一导电贯通电极、一绝缘膜、一凸块以及一连接层，其中该连接层包括一可图案化材料，而可该图案化材料包含有多个导电粒子。该可图案化材料包括感光材料。该感光材料为光刻胶或聚亚酰胺。该导电粒...

本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括：一第一基板、一基板通孔、一第二基板，以及一接合结构。该第一基板包括一第一介电材料，该第一介电材料包括设置在其中的一第一导电垫。该基板通孔形成在该第一基板中。该第二基板包括一第二介电...

本公开关于一种封装结构，包括一半导体元件、一第一模塑料、一通孔、一第一介电层和一第二介电层、至少一个重布线、以及一第二模塑料。该第一模塑料与该半导体元件的一侧壁接触。该通孔形成在该第一模塑料内并且电连接到半导体元件。该第一介电层和该第二...

本发明公开了一种半导体装置的精密互连形成方法，包含在位于介电层上的第一硬遮罩层及第二硬遮罩层上形成间隔物，其中第一硬遮罩层位于第二硬遮罩层与介电层之间；在第一硬遮罩层、第二硬遮罩层、以及介电层中形成第一通孔；氧化第一硬遮罩层环绕第一通孔...

本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一第二半导体层与一第二半导体层、以及一第一连结导体、一第二连结导体与一第三连结导体。该第二半导体层设于该第一半导体层之上。该第一连结导体设于该第一半导体层之上。该第二连结导体设于...

本公开提供一种集成电路元件及电路。该集成电路元件包括一测量电路以及一分类器电路。该测量电路经配置以获取一实际电压。该分类器电路经配置以：通过比较一预设电压和该实际电压来产生关于一不成熟分类的信息；接收关于一参考分类的信息，该参考分类是通...

本发明公开了一种连接组件，包含壳体、转接件以及导通元件。壳体具有腔室以及连通腔室的开口。转接件至少部分连接于壳体外。转接件具有第一通孔，开口连通第一通孔。导通元件穿越第一通孔以及开口，并且可拆装地连接转接件。由于导通元件未直接接触壳体，...

本发明提出一种驱动电平自动调整系统、方法及电脑可读取的记录媒体，驱动电平自动调整系统包括驱动电路、谐振电路、驱动控制器以及自动调谐器。谐振电路与驱动电路电连接，驱动控制器电连接到驱动电路，自动调谐器电连接到驱动控制器。自动调谐器获取从谐...

本发明公开了一种存储器装置及其形成方法，存储器装置包含基材、第一栅极结构、以及第一氧化物层。基材具有第一凸出部以及与第一凸出部相邻的第二凸出部。第一栅极结构位于基材上以及第一凸出部与第二凸出部之间。第一氧化物层设置于基材与第一栅极结构之...

本发明公开了一种双晶片存储器封装，其包含封装基板、第一晶片、第二晶片、接合引线以及导电柱。第一晶片设置于封装基板上，并且包含第一导电接垫以及第一接合垫。第一导电接垫以及第一接合垫设置于第一晶片背向封装基板的表面。第二晶片设置于第一晶片远...

本发明公开了一种蚀刻装置及其操作方法。蚀刻装置包括腔室、晶圆座、气体源、真空密封装置与感应线圈。晶圆座设置于腔室内，其中晶圆座具有晶圆安装表面，晶圆安装表面平行于重力方向。气体源配置成产生气体。真空密封装置连接于气体源与腔室之间。感应线...

本发明公开了一种半导体晶圆干燥设备及方法，半导体晶圆干燥设备包含基座、壳体以及静电产生器。基座被配置成承载半导体晶圆。壳体具有内壁，内壁定义了被配置成容纳半导体晶圆的腔室。静电产生器电性连接壳体，并且被配置成在内壁产生静电荷。通过上述结...

本发明公开了一种半导体晶圆干燥设备及方法，半导体晶圆干燥设备包含基座、壳体以及微波产生器。基座配置以承载半导体晶圆。壳体与基座形成被配置成容纳半导体晶圆的腔室。壳体具有远离基座的排气口。微波产生器设置于壳体上，并且被配置成对腔室发射微波...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包括以下步骤。在导线之上形成介电层。在介电层之上形成图案化光阻层，其中图案化光阻层具有暴露介电层的开口。以图案化光阻层作为蚀刻遮罩蚀刻介电层，以在介电层中形成通孔孔洞。侧向扩展...

本发明公开了一种夹持器，包含基板、至少一个第一固定块以及压力块。基板包含上表面、从上表面凹陷的主凹槽、从上表面凹陷的至少一个第一侧凹槽，其中第一侧凹槽邻近且连接主凹槽、以及从上表面凹陷的通道凹槽，其中通道凹槽邻近且连接主凹槽，并且第一侧...

本发明公开了一种半导体结构，包含硅控整流器(silicon control rectifier,SCR)区域及NPN区域。硅控整流器区域包含第一p井区、第一n井区及第一p+区。第一n井区被第一p井区环绕。第一p+区配置于第一p井区中，并...