【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其形成方法
本专利技术是关于一种存储器装置以及一种存储器装置的形成方法。
技术介绍
随着集成电路的体积缩减，较小的主动区域使得凹槽阵列中漏电问题变得严重。如此一来，使得动态随机存取存储器的保留时间下降。因此，漏电问题需避免或降低以增进动态随机存取存储器的效能。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种存储器装置，其可增进动态随机存取存储器装置的保留时间。在本专利技术的一些实施例中，存储器装置包含基材、第一栅极结构、以及第一氧化物层。基材具有第一凸出部以及与第一凸出部相邻的第二凸出部。第一栅极结构位于基材上以及第一凸出部与第二凸出部之间。第一氧化物层设置于基材与第一栅极结构之间，第一氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中第一部分位于第一栅极结构与第一凸出部之间，第二部分位于第一栅极结构与第二凸出部之间，且第一部分的厚度大于第二部分的厚度。在本专利技术的一些实施例中，第一凸出部以及第二凸出部分别具有第一源极/漏极区域以及第二源极/漏极区域，第一氧化物层的第一部分以及第二部分分别...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，其特征在于，包含：/n基材，具有第一凸出部以及与所述第一凸出部相邻的第二凸出部；/n第一栅极结构，位于所述基材上以及所述第一凸出部与所述第二凸出部之间；以及/n第一氧化物层，设置于所述基材与所述第一栅极结构之间，所述第一氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中所述第一部分位于所述第一栅极结构与所述第一凸出部之间，所述第二部分位于所述第一栅极结构与所述第二凸出部之间，且所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20181204 US 62/774,873;20181219 US 16/224,8281.一种存储器装置，其特征在于，包含：
基材，具有第一凸出部以及与所述第一凸出部相邻的第二凸出部；
第一栅极结构，位于所述基材上以及所述第一凸出部与所述第二凸出部之间；以及
第一氧化物层，设置于所述基材与所述第一栅极结构之间，所述第一氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中所述第一部分位于所述第一栅极结构与所述第一凸出部之间，所述第二部分位于所述第一栅极结构与所述第二凸出部之间，且所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。
2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述第一凸出部以及所述第二凸出部分别具有第一源极/漏极区域以及第二源极/漏极区域，所述第一氧化物层的所述第一部分以及所述第二部分分别延伸至所述第一源极/漏极区域以及所述第二源极/漏极区域的侧壁。
3.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述第一氧化物层的所述第一部分延伸至所述第一栅极结构的底部。
4.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包含：
介电层，位于所述第一栅极结构上，其中所述第一氧化物层的所述第一部分及所述第二部分延伸至所述介电层的侧壁。
5.如权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，所述介电层位于所述第一氧化物层的所述第一部分与所述第二部分之间。
6.如权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，所述第一凸出部以及所述第二凸出部分别具有第一源极/漏极区域以及第二源极/漏极区域，且所述第一氧化物层的每个所述第一及第二部分位于所述介电层与所述第一及第二源极/漏极区域中的一个之间。
7.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述基材还包含邻近所述第二凸出部的第三凸出部，且所述存储器装置还包含：
第二栅极结构，位于所述基材上及所述第二凸出部与所述第三凸出部之间；以及
第二氧化物层，设置于所述基材与所述第二栅极结构之间，所述第二氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中所述第二氧化物层的所述第一部分及所述第二部分具有不同的厚度。
8.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，所述第二氧化物层的所述第一部分位于所述第二栅极结构与所述第三凸出部之间，所述第二氧化物层的所述第二部分位于所述第二栅极结构与所述第二凸出部之间，且所述第二氧化物层的所述第一部分的厚度大于所述第二氧化物层的所述第二部分的厚度。
9.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，所述第三凸出部具有第三源极/漏极区域，且所述第二氧化物层的所述第一部分及所述第二部分分别延伸至所述第三极/漏极区域及所述第二极/漏极区域的侧壁。
10.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，所述第一氧化物层的所述第二部分及所述第二氧化物层的所述第二部分位于所述第二凸出部相对的两侧壁上。
技术研发人员：丁振伦，吕增富，王维志，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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