半导体结构及其制备方法技术

本公开提供一种半导体结构及该半导体结构的制备方法。该半导体结构包括一多晶硅层、一基底、一位元线结构以及一间隙子结构。该多晶硅层具有一第一表面以及一第二表面，该第二表面相对该第一表面。该基底位在该多晶硅层的该第二表面上。该位元线结构位在该基底上、穿经该多晶硅层且从该多晶硅层的该第一表面突伸。该间隙子结构位在该位元线结构的横向侧壁上，并包括夹设在一第一介电层与一第二介电层之间的一气隙，其中该第二介电层的一第一部分是在该多晶硅层中，该第二介电层的一第二部分是在多晶硅层外侧，而该第二介电层的该第二部分的一厚度，是小于该第二介电层的该第一部分的一厚度。

Semiconductor structure and preparation method

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法
本公开主张2018/11/23申请的美国临时申请案第62/770,903号及2019/07/03申请的美国正式申请案第16/502,785号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体结构以及其制备方法。
技术介绍
传统的动态随机存取存储器胞(dynamicrandomaccessmemorycell，DRAMcell)是由一晶体管及一电容器所组成。晶体管的源极是连接到一相对应的位元线(bitline)。晶体管的漏极是连接到电容器的一存储电极(storageelectrode)。晶体管的栅极是连接到一相对应的字元线(wordline)。电容器一相对的电极是与一固定电压源(constantvoltagesource)进行偏压。而形成一着陆垫(landingpad)以用于电性互连(electricalinterconnection)的目的。然而，当动态随机存取存储器胞(DRAMcells)变得越来越小时，动态随机存取存储器胞的高紧密度结构是导致限制用于着陆垫本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，包括：/n接收一基底；/n在该基底上形成一第一位元线，该位元线具有一顶表面以及一侧壁，该顶表面是远离该基底，该侧壁将该位元线的该顶表面连接到该基底；/n在该第一位元线上形成一着陆垫，并覆盖该第一位元线的该侧壁以及该第一位元线的该顶表面的一部分；以及/n移除该着陆垫的一顶角，以形成一倾斜表面，该倾斜表面将该着陆垫的一顶表面连接到该着陆垫的一侧壁。/n

【技术特征摘要】
20181123 US 62/770,903;20190703 US 16/502,7851.一种半导体结构的制备方法，包括：
接收一基底；
在该基底上形成一第一位元线，该位元线具有一顶表面以及一侧壁，该顶表面是远离该基底，该侧壁将该位元线的该顶表面连接到该基底；
在该第一位元线上形成一着陆垫，并覆盖该第一位元线的该侧壁以及该第一位元线的该顶表面的一部分；以及
移除该着陆垫的一顶角，以形成一倾斜表面，该倾斜表面将该着陆垫的一顶表面连接到该着陆垫的一侧壁。


2.如权利要求1所述的制备方法，还包括：
在该基底上及邻近该第一位元线处形成一第二位元线，其中该着陆垫包括一第一部位及一第二部位，该第一部位形成在该第一位元线上，该第二部位形成在该第一位元线与该第二位元线之间。


3.如权利要求2所述的制备方法，其中移除该着陆垫的该顶角的步骤还包括：
移除该着陆垫的该第一部位的一部分；以及
移除该着陆垫的该第二部位的一部分。


4.如权利要求2所述的制备方法，其中该着陆垫的该倾斜表面形成在该第一位元线与该第二位元线之间。


5.如权利要求1所述的制备方法，其中执行一间隙子蚀刻以移除该着陆垫的该顶角，且该倾斜表面是为一凸面。


6.如权利要求1所述的制备方法，其中执行一定向蚀刻以移除该着陆垫的该顶角，且该倾斜表面是为一凹面。


7.如权利要求1所述的制备方法，其中执行一特定角度干蚀刻以移除该着陆垫的该顶角，且该倾斜平面是为一大致平坦面。


8.一种半导体结构，包括：
一基底；...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思瀚，姜序，郭景元，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71