半导体结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构，包含硅控整流器(silicon control rectifier,SCR)区域及NPN区域。硅控整流器区域包含第一p井区、第一n井区及第一p+区。第一n井区被第一p井区环绕。第一p+区配置于第一p井区中，并与第一n井区间隔开。NPN区域包含第二p井区、第一n+区、第二n+区及第二p+区。第一n+区与第二p井区及静电放电源耦合。第二n+区与第二p井区耦合，并与第一n+区间隔开。第二p+区配置于第二p井区中，并与第一p井区中的第一p+区等电位连接。本发明专利技术提供的半导体结构具有较低的开启电压(约5V至约15V)。因此，此半导体结构可以用于含有低电压元件的电路。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术是关于具有静电保护的半导体结构。
技术介绍
集成电路已经发展到具有更小特征尺寸的先进技术。随着特征尺寸的缩小，静电放电(electrostaticdischarge,ESD)造成损害的可能性随之增加。静电放电通常是瞬间高电压的放电。静电放电可能发生在电子电路中，例如集成电路。近年来，硅控整流器(siliconcontrolrectifier,SCR)广泛地被使用在静电放电保护电路中。然而，一般的硅控整流器的开启电压为约20V，此电压超过了低电压元件的崩溃电压。为了满足低电压元件的需求，需要降低硅控整流器的开启电压。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有较低开启电压的半导体结构。根据本专利技术的一方面是提供一种半导体结构，包含硅控整流器(siliconcontrolrectifier,SCR)区域及NPN区域。硅控整流器区域形成于半导体基材中，包含第一p井区、第一n井区及第一p+区。第一n井区被第一p井区环绕。第一p+区配置于第一p井区中，并与第一n井区间隔开。NPN区域形成于半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：/n硅控整流器区域，形成于半导体基材中，所述硅控整流器区域包含：/n第一p井区；/n第一n井区，被所述第一p井区环绕；及/n第一p+区，配置于所述第一p井区中，并与所述第一n井区间隔开；以及/nNPN区域，形成于所述半导体基材中，且邻近于所述硅控整流器区域，所述NPN区域包含：/n第二p井区；/n第一n+区，与所述第二p井区及静电放电源耦合；/n第二n+区，与所述第二p井区耦合，并与所述第一n+区间隔开；及/n第二p+区，配置于所述第二p井区中，并与所述第一p井区中的所述第一p+区等电位连接。/n

【技术特征摘要】
20181202 US 16/207,1851.一种半导体结构，其特征在于，包含：
硅控整流器区域，形成于半导体基材中，所述硅控整流器区域包含：
第一p井区；
第一n井区，被所述第一p井区环绕；及
第一p+区，配置于所述第一p井区中，并与所述第一n井区间隔开；以及
NPN区域，形成于所述半导体基材中，且邻近于所述硅控整流器区域，所述NPN区域包含：
第二p井区；
第一n+区，与所述第二p井区及静电放电源耦合；
第二n+区，与所述第二p井区耦合，并与所述第一n+区间隔开；及
第二p+区，配置于所述第二p井区中，并与所述第一p井区中的所述第一p+区等电位连接。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述硅控整流器区域还包含第三p+区，配置于所述第一n井区中，并与所述静电放电源耦合。


3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三p+区与所述第一n+区等电位连接。


4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述NPN区域还包含第一环型布植区，直接耦合至所述第一n+区...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘芳妏，吕增富，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71