【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】针对CAD至硅背侧图像对准的可见对准标记/界标相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月17日提交的题为“VISIBLEALIGNMENTMARKERS/LANDMARKSFORCAD-TO-SILICONBACKSIDEIMAGEALIGNMENT”的美国临时申请序列号62/573,556以及于2018年3月6日提交的题为“VISIBLEALIGNMENTMARKERS/LANDMARKSFORCAD-TO-SILICONBACKSIDEIMAGEALIGNMENT”的美国专利申请号15/913,784的优先权，其全部内容通过引用明确地并入本文。
本公开总体上涉及半导体设计，并且更具体地涉及针对计算机辅助设计(CAD)至硅背侧图像对准的有源硅衬底上的可见对准标记。
技术介绍
激光电压成像(LVI)和激光电压探测(LVP)是基于激光的电压和定时波形获取技术，其被用于执行对倒装式芯片集成电路(IC)的故障分析、或被用于对IC中的故障进行定位。LVP工具CAD对准工艺包括使用空气隙透镜在非常低的倍率处的粗略的...
【技术保护点】
1.一种金属氧化物半导体(MOS)集成电路(IC)，包括：/n多个基准标准单元，其中所述多个基准标准单元包括多个单元尺寸，所述多个单元尺寸在所述多个基准标准单元之中被不均等地利用，并且所述多个基准标准单元被放置以具有从统一的全局放置图案的随机偏移。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171017 US 62/573,556;20180306 US 15/913,7841.一种金属氧化物半导体(MOS)集成电路(IC)，包括：
多个基准标准单元，其中所述多个基准标准单元包括多个单元尺寸，所述多个单元尺寸在所述多个基准标准单元之中被不均等地利用，并且所述多个基准标准单元被放置以具有从统一的全局放置图案的随机偏移。
2.根据权利要求1所述的MOSIC，其中所述多个单元尺寸中的每个单元尺寸的所述多个基准标准单元在x方向和y方向中的至少一项上不同。
3.根据权利要求1所述的MOSIC，其中所述多个单元尺寸中的每个单元尺寸的所述多个基准标准单元的具有在有源区域的漫射层中的一个或多个开口，以允许激光束从金属层反射。
4.根据权利要求3所述的MOSIC，其中针对所述多个单元尺寸中的每个单元尺寸的所述多个基准标准单元，所述金属层未被连接至所述有源区域。
5.根据权利要求3所述的MOSIC，其中所述多个单元尺寸中的每个单元尺寸不同之处在于所述有源区域的所述漫射层中的所述开口。
6.根据权利要求1所述的MOSIC，其中所述多个基准标准单元还被放置以允许减少的数目个基准标准单元在观察窗口开孔内可观察到，所述观察窗口开孔被定位在所述MOSIC上的多个位置处。
7.根据权利要求1所述的MOSIC，其中所述多个单元尺寸中的每个单元尺寸在所述多个基准标准单元之中被不均等地利用，使得具有最大单元尺寸的基准标准单元具有最高利用率。
8.根据权利要求1所述的MOSIC，其中所述多个基准标准单元通过如下被放置以具有从统一的全局放置图案的随机偏移：通过将所述多个基准标准单元中的每个基准标准单元放置以具有从所述统一的全局放置图案沿x方向和y方向中的至少一个方向的距离上的随机抖动。
9.根据权利要求1所述的MOSIC，其中所述统一的全局放置图案包括以下项中的一项：未经旋转的方形图案、经旋转的方形图案、未经旋转的六角形图案和经旋转的六角形图案。
10.根据权利要求1所述的MOSIC，其中所述统一的全局布置图案被缩放，以允许减少的数目个基准标准单元在观察窗口开孔内可观察到。
11.根据权利要求1所述的MOSIC，其中所述多个单元尺寸的所述多个基准标准单元包括：
至少四个功率轨，跨所述基准标准单元在第一方向上延伸，其中所述至少四个功率轨中的每一个功率轨均被耦合至第一电压源、或与所述第一电压源不同的第二电压源；
与所述至少四个功率轨中的每一个功率轨相邻的一个或多个有源区域集，其中所述一个或多个有源区域集中的每一个有源区域集在所述第一方向上共线，其中至少一个有源区域集包括至少两个不相交的有源区域，并且其中所述一个或多个有源区域集中的每一个有源区域集均从到金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·D·阿尔斯顿，H·布那利姆，L·Z·V·恩德里纳尔，M·S·A·玛拉布里，L·兰加纳坦，R·F·A·G·萨勒姆，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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