本公开提供一种行判定电路、动态随机存取存储器及存储器阵列的刷新方法。该行判定电路包含多个行闩锁器以及一连接至该多个行闩锁器的目标行产生器。该目标行产生器经配置以产生多个目标行记录，并将该多个目标行记录个别传送至该多个行闩锁器，其中该多个...

本公开提供一种目标行产生器、动态随机存取存储器以及目标行的判定方法。该目标行产生器包含多个计数模块、一比较模块以及一第一处理模块。该多个计数模块的每一者经配置以产生一计数纪录，并包含一重置计时器。该重置计时器经配置以产生一重置信号以重置...

本公开提供一种半导体元件，包括一半导体基底、一晶粒及一密封环。该晶粒设置于该半导体基底中及上方。该密封环设置于该半导体基底上方并且与该晶粒相邻。该密封环形成一开放回路。

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，形成半导体结构的制造方法，包含在基板上形成电晶体；在基板上形成导电结构，使得导电结构的第一端与晶体管的栅极电性连接，而导电结构的第二端与基板电性连接；提供多个偏压至晶体管的栅极与晶体管的多个源极或...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一半导体基材、一介电层、及一硅化物层；在一些实施例中，该半导体基材具有多个突出部。该介电层设于该半导体基材之上，该介电层具有多个设于所述突出部之上的区域。该硅化物层设于所述突出部的一...

本公开提供一种半导体制造设备以处理一半导体物件。该半导体制造设备包括一处理反应室、一第一电极、一第二电极、一射频电源、以及一个或多个光源产生器。该第一电极设置于该处理反应室内。该第二电极设置于该处理反应室内并且实质上在该第一电极下方。该...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括下列步骤。提供一基底。形成多个第一沟渠在该基底中。形成一第一最初流动层在该多个第一沟渠中，其中该第一最初流动层的一上表面低于该多个第一沟渠的开口。在该第一最初流动层上实施一第一处理，以形...

本公开提供一种半导体电容器结构及其制备方法。该半导体电容器结构包括一基底；一梳状底部电极，设置于该基底的上方；一顶部电极，设置于该梳状底部电极的上方；以及一介电层，夹于该顶部电极及该梳状底部电极之间。该梳状底部电极包括多个齿部及一支撑部...

本发明提供一种动态随机存取存储器结构及其制备方法。该动态随机存取存储器结构包括一基底；一栅极结构，设置于该基底中；一第一源极/漏极区及一第二源极/漏极区，分别设置于该基底中的该栅极结构的两侧；一接触垫，设置于该第二源极/漏极区的上方；多...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括至少一芯片及一密封环。该芯片被该密封环环绕。该密封环包括至少一第一区段以及至少一第二区段。该第一段包括一波浪状结构。

本公开提供一种晶体管元件及其制备方法。该晶体管元件包括：设置在一基底中的一隔离结构、设置在该基底中并被该隔离结构围绕的一主动区、设置于该主动区及该隔离结构的一部分的上方的一第一上栅极、设置在该栅极两侧的一源极与一漏极、以及设置在该第一上...

本发明公开了一种半导体封装及制造半导体封装的方法，半导体封装包括基板和与依序堆叠在基板上的半导体芯片、下部导电层及上部导电层。基板包括在其上形成的第一和第二连接垫。半导体芯片包括形成在其上的第三和第四连接垫。上部导电层通过第一和第二引线...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括下列步骤：提供一基底；形成多个第一沟槽、多个第二沟槽、多个第一岛状结构和多个第二岛状结构，其中每个该第一岛状结构与每个该第二岛状结构通过该第一沟槽隔开，所述多个第一岛状结构通过该第二沟槽...

本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基底；多个第一隔离结构，设置在该基底上；以及多个第一半导体岛，设置在该基底上且藉该多个第一隔离结构而彼此分开。在本公开的一些实施例中，该多个第一隔离结构各包括一第一底表面，与该基底接触，以及一...

本公开提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括一第一元件以及位于该第一元件上的一凸块结构。在一些实施例中，该第一元件具有一第一上表面与一第一侧，其中该第一上表面与该第一侧形成该第一元件的一第一角部。在一些实施例中，该凸块结构位于该...

本公开提供一种封装半导体元件及其制备方法。该封装半导体元件包括一芯片，具有一导电垫；一第一绝缘层，设置在该芯片上；一第二绝缘层，设置在该第一绝缘层上；一导电薄膜，设置在该第二绝缘层上；一重布层，设置在该导电薄膜上；一探测垫，设置在该重布...

本公开提供一半导体元件。该半导体元件包括一差异扩大元件及一接收器。该差异扩大元件接收一输入信号，该输入信号具有表示一逻辑状态的一电压电平，且基于该电压电平，通过改变该差异扩大元件的导通程度，将该输入信号转换为一处理信号；以及该接收器从该...

本公开提供一种动态随机存取存储器结构及其制备方法。该动态随机存取存储器结构包括一基底；一栅极结构，设置于该基底中；一源极区与一漏极区，分别设置于该基底中的该栅极结构的两侧；一接触垫，设置于该漏极区的上方；多个纳米碳管，设置于该接触垫的上...

一种反熔丝结构，包括一主动区及该主动区上的一栅极电极。该主动区包括一第一本体部分及在一第一方向延伸的一第一延伸部分。该栅极电极包括一第二本体部分及在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸的一第二延伸部分。该第一本体部分包括面向该第二本体部分...

本发明的内连线结构的一实施例，包含一基板；一第一绝缘层，设置于该基板之上，其中该第一绝缘层具有复数个介层洞，且一第一导电材料填满该复数个介层洞；一第二绝缘层，设置于该第一绝缘层之上，其中该第二绝缘层具有复数个沟槽，且一第二导电材料填满该...