本发明公开了一种制造半导体装置的方法，包括在基板上形成第一图案化目标层，其中第一图案化目标层具有沿着第一方向延伸的多个第一开口；在第一图案化目标层之上形成图案化硬遮罩层，其中图案化硬遮罩层具有沿着第二方向延伸的多个第一凹槽和沿着第一方向...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底、一底部栅极部，设置在该基底中、一顶部栅极部，堆叠在该底部栅极部上、一第一通道层，夹置在该顶部栅极部和该底部栅极部之间，以及一源极/漏极区，设置在该基底中的顶部栅极部的侧边。

本公开提供一种半导体存储器结构及其制备方法。该半导体存储器结构包括一基底、多个第一沟渠，设置在该基底中、多个第二沟渠，设置在基底中且与所述第一沟渠间隔开、多条埋入式数字线，设置在第一沟渠中，以及多条埋入式字元线，设置在第二沟渠中。所述第...

本发明提供一种晶体管结构和一种半导体布局结构。该晶体管结构包含一主动区；一下埋栅极结构，设置在主动区中；多个第一介电层，设置在该下埋栅极结构的侧壁上方；以及一源极区和一漏极区，设置在该埋入栅极结构的相对两侧的该主动区中。在一些实施例中，...

本公开提供一种存储器元件，包括一第一电极、一第二电极、一晶体管以及一纳米管。该晶体管包括一第一节点、一第二节点以及一控制节点，其中该第二节点电性耦合该第二电极，该控制节点经配置以在该第一节点与该第二节点之间产生一通道。该纳米管的一第一端...

本公开提供一种动态随机存取记忆体(dynamic random access memory，DRAM)的测试系统。该DRAM包括一阵列。该阵列包括一第一记忆列、一第二记忆列、一测试胞。该第一记忆列包括一第一字元线以及该第二记忆列包括一第...

本公开提供一种具有数据更正功能的动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一控制电路，经配置以接收一输入数据及一温度信号；一第一错误更正码(Error corre...

本公开提供一种动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一存储区及一控制元件。该存储区包括一存储列。该控制元件经配置以根据该DRAM的温度，选择性地准许该存储列有...

本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一存储器阵列、一刷新元件、一存取元件。该刷新元件经配置以对该存储器阵列执行一自刷新操作(self‑refr...

本公开提供一种动态随机存取存储器，即DRAM。该动态随机存取存储器包括一存储器阵列及一更新元件。该存储器阵列包括一第一存储列和一第二存储列，其中该第一存储列的一保留能力与该第二存储列的一保留能力不同。该更新元件被配置为以一第一方式更新该...

本公开提供一种具有数据更正功能的动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及其操作方法。该动态随机存取存储器包括一存储器阵列；一控制电路，经配置以接收一读取位址及该读取位址的一缺陷信息；一存...

本公开提供一种混合存储器系统(hybrid memory system)及其操作方法。该混合存储器系统包括一非易失性存储器(non‑volatile memory)、一易失性存储器(volatile memory)以及一控制器。该易失性...

本公开提供一种二极管结构和其静电放电保护电路。该二极管结构包括一P型基底。该二极管结构还包括多个波状N型掺杂区，设置在该P型基底上。每个该波状N型掺杂区沿着一第一方向延伸，且在一第二方向上具有一N型掺杂宽度，其中该第二方向垂直于该第一方...

本公开提供一种半导体元件的精细互连的制备方法。该制备方法包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一第一核心层，其中该第一核心层包括一基部、多个延伸线部、以及多个隔离线部，该多个延伸线部是从该基部沿着一第一方向延伸，该多个隔离线部是与该基...

本公开的实施例提供一种半导体存储器结构及其制备方法。该半导体存储器结构包括：一基底，该基底包括一第一隔离结构和至少一个主动区，且该主动区由该第一隔离结构所定义；一第二隔离结构，设置在该主动区中；一第一埋入式字元线和一第二埋入式字元线，设...

一种MOS晶体管的接点电阻的计测方法，包括下列步骤：提供一MOS晶体管，该MOS晶体管包括：一基底、一栅极、一源极区和一漏极区，以及电连接到该源极区的一源极接点和电连接到该漏极区的一漏极接点；获得一源极接点电阻与一漏极接点电阻之间的一电...

本公开提供一种晶体管元件。该晶体管元件包括一主动区、一栅极结构及、一源极/漏极。该主动区系被一隔离结构所围绕，该栅极结构是设置在该主动区和该隔离结构上，该源极/漏极是设置在该主动区中。该栅极结构包括一本体部、一头部及一对翼部。该本体部是...

本公开提供一种无接面晶体管元件，包括：一半导体基底、一通道、一第一源/漏极、一第二源/漏极、一栅极及一栅极介电层。该通道包括一横向延伸的一第一通道及一垂直延伸的一第二通道。该第一源/漏极接触该第一通道，该第二源/漏极接触该第二通道。该通...

本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一记忆列以及一缓冲器。该记忆列经配置以储存资料，其中该记忆列，因应于读取该资料的一请求，不提供该资料。该缓...

本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)。该DRAM包括一更新单元、一存取元件、一更新元件。该更新单元具有多个存储行。该存取元件经配置以存取所述存储行。该更新元件经配置以因应...