动态随机存取存储器制造技术

本公开提供一种动态随机存取存储器，即DRAM。该动态随机存取存储器包括一存储器阵列及一更新元件。该存储器阵列包括一第一存储列和一第二存储列，其中该第一存储列的一保留能力与该第二存储列的一保留能力不同。该更新元件被配置为以一第一方式更新该第一存储列，并以一第二方式更新该第二存储列。

Dynamic Random Access Memory

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器本申请主张2017年12月22日申请的美国临时申请第62/609,606号及2018年1月10日申请的美国正式申请第15/866,955号的优先权及益处，该美国临时申请及该美国正式申请的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开关于一种动态随机存取存储器(DRAM)，并且更具体而言关于管理DRAM上的更新操作。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)是一种随机存取存储器的形态。该种形态的随机存取存储器将每个位元(字节)的资料储存在单独的电容器中。最简单的DRAM单元包括单个N型金属氧化物半导体(n-typemetal-oxide-semiconductor，NMOS)晶体管和单个电容器。如果电荷储存在电容器中，则根据所使用的惯例，该单元被称为储存逻辑高。如果不存在电荷，则称该单元储存逻辑低。由于电容器中的电荷随时间消耗，因此DRAM系统需要额外的更新电路来周期性地更新储存在电容器中的电荷。由于电容器只能储存非常有限的电荷量，为了快速区分逻辑1和逻辑0之间的差异，通常每个位元使用两个位元线(bitline，BL)，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器，包括：一存储器阵列，包括一第一存储列和一第二存储列，其中该第一存储列的一保留能力与该第二存储列的一保留能力不同；以及一更新元件，被配置为以一第一方式更新该第一存储列，并以一第二方式更新该第二存储列。

【技术特征摘要】
2017.12.22 US 62/609,606;2018.01.10 US 15/866,9551.一种动态随机存取存储器，包括：一存储器阵列，包括一第一存储列和一第二存储列，其中该第一存储列的一保留能力与该第二存储列的一保留能力不同；以及一更新元件，被配置为以一第一方式更新该第一存储列，并以一第二方式更新该第二存储列。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该第一存储列的该保留能力比该第二存储列的该保留能力差，其中该更新元件被配置为根据一第一更新率更新该第一存储列，并且根据小于该第一更新率的一第二更新率更新该第二存储列。3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该第一存储列的该保留能力不满足一临界保留能力，并且该第二存储列的该保留能力满足该临界保留能力，其中该更新元件被配置为根据一第一更新率更新该第一存储列且根据小于该第一更新率的一第二更新率更新该第二存储列。4.如权利要求3所述的动态随机存取存储器，其中该第一存储列和该第二存储列的每一者包括多个存储器单元，其中该第一存储列的所述多个存储器单元的一弱存储器单元的一数量达到一临界数量，以及其中该第二存储列的所述多个存储器单元的一弱存储器单元的一数量未达到该临界数量，其中对于该第一存储列和该第二存储列中的每一者，该弱存储器单元的该保留能力不满足该临界保留能力。5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器，其中该临界数量是1。6.如权利要求4所述的动态随机存取存储器，其中该保留能力包括保留时间。7.一种动态随机存取存储器，包括：一存储器阵列，包括多个存储列；一测试元件，被配置为用以测试所述多个存储列的一保留能力以得到一测试结果；一控制元件，被配置为用以基于该测试结果来识别所述多个存储列中的一弱存储列，其中该弱存储列的该保留能力比一其余存储列的该保留能力差；以及一更新元件，被配置为以一第一方式更新该弱存储列，并以一第二方式更新该其余存储列。8.如权利要求7所述的动态随机存取存储器，其中该更新元件被配置为根据一第一更新率更新该弱存储列，且根据小于该第一更新率的一第二更新率更新该其余存储列。9.如权利要求8所述的动态随机存取存储器，其中该测试元件被配置为用以测试所述多个存储列的每一者的一个存储器单元的该保留能力，其中该弱存储列的该一个存储器单元的该保留能力比该其余存储列的该一个存储器单元的该保留能力差。10.如权利要求8所述的动态随机存取存储器，其中该弱存储列的该保留能力不满足一临界保留能力，并且该...

【专利技术属性】
技术研发人员：李忠勋，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71