本发明公开了一种梳状凸块结构及其制造方法，梳状凸块结构包含：半导体基板；焊垫设置于半导体基板之上；导电层设置于焊垫于之上；焊锡凸块设置于导电层之上；以及至少两个金属侧壁，分别沿焊锡凸块的相对两侧设置，从而提升结合强度。

本发明公开了一种封装结构及其制造方法，封装结构包含：半导体基板；焊垫设置于半导体基板之上；导电层设置于焊垫之上；保护涂层；以及金属凸块设置于导电层之上，且保护涂层覆盖金属凸块，借以避免金属凸块的氧化。本发明能够满足减少回流工艺要求，并降...

本公开提供一种电压系统以及其操作的方法。该电压系统提供一帮浦电压，该帮浦电压做为存储器装置的电子元件的供应电压。该电压系统包括一第一帮浦装置和一第二帮浦装置。该第二帮浦装置经配置为一备用帮浦装置。当该电源电压的一电压电平大于一参考电压电...

本公开提供一种电压系统及其运行方法。该电压系统包括一开关装置、一升压装置以及一控制装置。该开关装置经配置以调节该电压系统的一输出端的一输出电压；该升压装置经配置以被使能时拉升该电压系统的该输出电压；以及该控制装置经配置以当该输出电压低于...

本发明公开了一种半导体堆叠结构，包含基板、第一电子元件、第一斜坡件以及第一重分布层。基板具有支持面，其中基板包含第一接垫，第一接垫设置于支持面上。第一电子元件设置于支持面上且具有第一底面、第一顶面以及连接第一底面与第一顶面的第一侧面，其...

本发明公开了一种多晶片半导体封装体及垂直堆叠的半导体晶片和封装方法，半导体晶片包含半导体元件。半导体元件具有上表面以及对应至上表面的下表面。半导体元件包含输入端子、多个硅晶穿孔连接块、多个选择焊垫、多个倾斜焊垫以及多个倾斜导电结构。硅晶...

本发明公开了一种半导体结构，其包含基板、至少一个半导体元件、硅通孔以及屏蔽结构。基板具有前侧表面与后侧表面。半导体元件设置于前侧表面。硅通孔设置于基板中，其中硅通孔裸露于前侧表面与后侧表面，且硅通孔电性连接半导体元件。屏蔽结构设置于基板...

本公开提供一种外壳组件及存储器装置。该壳体包括一导电块及一绝缘层；该导电块包含一第一开孔以定义一第一侧壁及一第二开孔以定义一第二侧壁，其中该导电块的一电压电平是保持在一参考接地；该绝缘层覆盖该第一侧壁，其中该第二侧壁未被该绝缘层所覆盖。...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含第一堆叠中介层、第一晶片、以及多个第二凸块。第一堆叠中介层包含第一中介层、多个第一导电柱、多个第一凸块、以及第一重分布层。第一中介层具有第一表面和与其相对的第二表面。多个第一导电柱从...

本公开提供了一种半导体封装，该半导体封装包含第一元件；一第二元件，横向相邻于该第一元件；一封装件，囊封该第一元件与该第二元件；以及一横向凸块结构，实现一横向信号路径于该第一元件与该第二元件之间，其中该封装件的一部分位于该第一元件与该第二...

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含：一第一半导体元件；至少一传导件，位于该第一半导体元件上；一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上；一封装件，位于该第一半导体元件上；以及一重布线层(RDL)，位于该第二半导体元件...

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有以面对面方式堆迭的多个半导体晶粒。通过面对面方式垂直堆迭不同功能的晶粒，在不同功能的所述晶粒之间实施一面对面通信(face‑to‑face communication)。此外，相较于...

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有由融熔接合技术形成的多个接合的半导体元件。该多个半导体元件具有多个传导部，其热膨胀系数大于介电部的热膨胀系数。在融熔接合技术的热处理制程中，具有较高热膨胀系数的传导部的体积膨胀，可通...

本公开涉及一种晶粒装置、半导体装置及其制造方法。该晶粒装置包含一晶粒以及一凸块。该晶粒具有一主动层以及一互连元件，其中该互连元件经配置以电性连接该主动层且接触该晶粒中的一基板。该凸块独立于该晶粒之外且经配置以电性连接该主动层。本公开提供...

一种半导体结构包含一基板以及一第一芯片。该基板具有一传导柱，自该基板突出。该第一芯片位于该基板上方，并且包含一第一插塞延伸穿过该第一芯片，其中该传导柱自该基板延伸穿过该第一芯片并且局部位于该第一插塞内。

本公开提供一种半导体结构及其制造方法，包含一第一晶粒；一第二晶粒，位于该第一晶粒上方或至少局部接触该第一晶粒；一重布线层(redistribution layer，RDL)，位于该第二晶粒上方；一传导柱，延伸于该第一晶粒与该重布线层之间...

本发明公开了一种封装结构及其制造方法，封装结构包含内连接层、钝化层、至少一个弹性凸块，以及导电层。钝化层配置于内连接层上，且具有至少一个开口。弹性凸块配置于内连接层上，其中弹性凸块的一部分嵌入至开口中。导电层配置于弹性凸块以及钝化层上。...

本发明公开了一种封装结构及其制造方法，封装结构包含半导体基板、球下金属层，以及至少一个凸块。球下金属层配置于半导体基板上。凸块配置于球下金属层上，且包含第一部分及位于第一部分下方的第二部分，其中第一部分的上表面包含平坦部分以及圆弧部分。...

本申请公开一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包含一第一半导体晶粒以及以一水平偏移方式堆迭至该第一半导体晶粒上的一第二半导体晶粒。该第一半导体晶粒包含一第一芯片选择终端以及电性连接至该第一芯片选择终端的一第一下终端。该第二半导体晶...

一种半导体结构包含一基板，具有一第一侧与一第二侧，该第一侧与该第二侧对立；一第一插塞，延伸穿过该基板；一第二插塞，延伸穿过该基板；以及一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间。该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该...