本公开提供一种晶体管元件和一种半导体布局结构。该晶体管元件包含一主动区，设置在一基底中；一栅极结构，设置在该主动区的上方；以及一源极区及一漏极区，设置在该栅极结构的相对两侧。该主动区包含一第一区域，是包含一第一长度；一第二区域，是包含一...

本公开提供一种电子元件及其电测试方法，电子元件包括：一基底；设置在该基底上方的一电子构件；以及设置在该基底上方的一电测试构件。该电子构件包括该基底上方的一底板和该底板上方的一顶板。该电测试构件包括一第一反熔丝结构及一第二反熔丝结构，其中...

本发明公开了一种半导体结构的制造方法，包含在基板上依序形成目标层、底部硬遮罩层、中间硬遮罩层及顶部硬遮罩层。之后在顶部硬遮罩层上形成第一遮罩层。形成具有至少一个凹槽及至少一个在凹槽下的残留部分的第一图案化顶部硬遮罩层，其中残留部分剩余的...

本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一存储器阵列以及一控制元件。该存储器阵列包括一更新单元。该更新单元包括一第一存储胞以及一第二存储胞。该第一...

本发明公开了一种半导体结构的制造方法，其包含在基板上依序形成目标层、底部硬遮罩层、中间硬遮罩层及顶部硬遮罩层。之后形成第一遮罩层在顶部硬遮罩层上，其中，第一遮罩层具有多个开口暴露出顶部硬遮罩层的一部分。接着蚀刻顶部硬遮罩层的暴露部分以形...

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，存储器装置的操作方法，包含以下步骤：在具有第一更新速率的更新操作期间，依据第一数据以产生第一错误更正码，并依据第二数据以产生第二错误更正码；判断在具有第二更新速率的更新操作期间，第一数据中是否存在...

本发明公开了一种半导体封装与其制造方法，半导体封装包含封装基板、第一半导体晶片、第二半导体晶片与上中介层。第一半导体晶片与第二半导体晶片置于封装基板上。上中介层电性连接至第一半导体晶片与第二半导体晶片。第一半导体晶片与第二半导体晶片置于...

本公开提供一种晶体管元件与半导体布局结构。该晶体管元件包含具有至少一主动区的一基板、环绕该主动区的一隔离结构、位于该基板上方的一栅极结构、以及位于该栅极结构的相对立的两侧上的一源极/漏极区。该栅极结构包含沿着一第一方向延伸的一第一部分以...

本公开提供一种图案化目标层的制备方法，包含在一基板上形成一目标层，以及在该目标层上方形成一多层硬掩模结构。该多层硬掩模结构包含位于该目标层上方的一第一硬掩模层、位于该目标层与该第一硬掩模层之间的一第二硬掩模层、以及位于该目标层与该第二硬...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包含以下步骤：提供具有一第一区与一第二区定义于其上的一基板，形成一第一掩模结构于该基板上方，形成多个第一构件于该第一区的第一掩模结构中，形成一第二掩模结构于该第一掩模结构上方，同时形成多个...

本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一更新单元及一存取元件。该更新单元包括一目标列，其中该目标列被请求执行一读/写(read/write，R/...

本公开提供一种反熔丝结构，其包含一主动区、位于该主动区上方的一栅极电极、以及位于该主动区与该栅极电极之间的一介电层。该主动区与该栅极电极于一垂直投影方向局部重叠，形成多个通道。该栅极电极与该主动区的一包含多个延伸部分以形成该多个通道。本...

本公开提供一种电子系统及其制造方法。该电子系统包括一稳压器、一第一电路、一第一感测电路。该稳压器，经配置以提供一供应电压，并且基于一感测结果升高该供应电压。该第一电路，经配置以在一第一操作电压下操作，该第一操作电压源自该供应电压。该第一...

本公开提供一种存储器单元。该存储器单元包括一基底、一深沟渠电容器，形成在该基底中，以及一垂直晶体管，形成在该基底上且电性连接至该深沟渠电容器。该垂直晶体管包括一源极区和一漏极区，堆叠在该基底上、一通道区，垂直夹在该源极区和该漏极区之间，...

本公开的一实施例提供一种半导体静电放电(ESD)保护元件。该半导体ESD保护元件包括：一基底，是具有一第一导电型；一栅极，是形成在该基底上；一源极区和一漏极区，是形成在该基底中；以及一本体区，是形成在该基底中。该基底及该本体区包括一第一...

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，存储器装置包含存储器阵列、错误更正码电路以及控制电路。存储器阵列包含多个存储器列，并用以储存多笔数据。控制电路用以将存储器装置进入省电模式以第一更新速率更新存储器阵列，用以在以第一更新速率更新存储...

本公开提供一种动态随机存取存储器(DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一存储器阵列及一控制元件。存储器阵列包括一更新单元。更新单元包括一第一存储胞及一第二存储胞。第一存储胞被配置以存储一数据，并具有一经程序化电压电平。第二存储胞被配置...

本公开提供一种半导体图案及其制备方法。该半导体图案包括一基底；多个第一半导体结构，设置在该基底上方；多个第二半导体结构，设置在该基底上方；以及一半导体框架结构，设置在该基底上方。该第一半导体结构和该第二半导体结构交替排列。该半导体框架结...

本发明公开了一种半导体元件的精细岛状图案形成方法，其包含：在基材上的硬遮罩层上形成多个第一遮罩柱；在硬遮罩层上方形成上缓冲遮罩层以覆盖第一遮罩柱；通过至少一个图案化工艺在硬遮罩层上形成多个第一线性图案各沿着第一方向延伸、多个第二线性图案...

本发明公开了一种半导体元件的精细岛状图案形成方法，其包含：在基板上的硬遮罩层上形成第一遮罩柱；形成上缓冲遮罩层至硬遮罩层上以覆盖第一遮罩柱；对上缓冲遮罩层图案化岛状物；分离每个岛状物为次岛状物；蚀刻上缓冲遮罩层以在硬遮罩层上形成第二遮罩...