半导体结构的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构的制造方法，包含在基板上依序形成目标层、底部硬遮罩层、中间硬遮罩层及顶部硬遮罩层。之后在顶部硬遮罩层上形成第一遮罩层。形成具有至少一个凹槽及至少一个在凹槽下的残留部分的第一图案化顶部硬遮罩层，其中残留部分剩余的厚度小于凹槽的深度。在凹槽上形成图案化有机层。通过蚀刻第一图案化顶部硬遮罩层形成第二图案化顶部硬遮罩层。通过使用第二图案化顶部硬遮罩层作为遮罩蚀刻中间硬遮罩层、底部硬遮罩层以及目标层形成图案化目标层。此方法可避免在图案转印工艺期间图案化层的损坏，改善图案的蚀刻均匀性并减少图案的间距。

Manufacturing Method of Semiconductor Structure

The invention discloses a manufacturing method of a semiconductor structure, comprising a target layer, a bottom hard mask layer, a middle hard mask layer and a top hard mask layer formed sequentially on a substrate. Then a first covering layer is formed on the top hard covering layer. A first patterned top hard mask layer with at least one groove and at least one residual part under the groove is formed, in which the remaining thickness of the residual part is less than the depth of the groove. Patterned organic layer is formed on the groove. A second patterned top hard cover layer is formed by etching the first patterned top hard cover layer. The patterned target layer is formed by using the second patterned top hard mask layer as the middle hard mask layer, the bottom hard mask layer and the target layer. This method can avoid the damage of patterned layer during the process of pattern transfer, improve the uniformity of pattern etching and reduce the spacing of patterns.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法
本专利技术是有关于一种半导体结构的制造方法。更详细的说，本专利技术是有关于一种使用双重图案化技术制造半导体结构的精细图案的制造方法。
技术介绍
随着半导体装置变得更小且高度集成，已经开发了许多用于制造半导体装置的精细图案的技术。特别是所需间距尺寸和临界尺寸(criticaldimension；CD)不断缩小。然而，制造半导体特征的光刻工艺已经在曝光装置的分辨率上出现限制。为了使半导体装置精细到超过光刻工艺的分辨率极限，例如光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(lithography-etching-lithography-etching；LELE)工艺等双重图案化(doublepatterning)技术已被积极的开发。然而，现有的光刻-蚀刻-光刻-蚀刻工艺具有特征容易受损的问题而导致产量低。此外，蚀刻不均匀(etchingnonuniformity)的问题可能发生在目标层上。因此，需要一种解决上述问题的制造方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制造方法，其可避免在图案转印工艺期间图案化层的损坏，并改善图案的蚀刻均匀性并减少图案的间距。根据本专利技术的各种实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：在基板上依序形成目标层、底部硬遮罩层、中间硬遮罩层以及顶部硬遮罩层；在所述顶部硬遮罩层上形成第一遮罩层，其中所述第一遮罩层具有多个开口暴露所述顶部硬遮罩层的一部分；蚀刻所述顶部硬遮罩层的所述暴露部分以形成第一图案化顶部硬遮罩层，其中所述第一图案化顶部硬遮罩层包含至少一个凹槽及至少一个残留部分在所述凹槽下，所述残留部分剩余的厚度小于所述凹槽的深度；在所述第一图案化顶部硬遮罩层的所述凹槽上形成图案化有机层；蚀刻所述第一图案化顶部硬遮罩层以形成第二图案化顶部硬遮罩层，其中所述第二图案化顶部硬遮罩层具有多个孔隙暴露所述中间硬遮罩层的一部分；以及使用所述第...

【技术特征摘要】
2017.11.30 US 15/826,7131.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：在基板上依序形成目标层、底部硬遮罩层、中间硬遮罩层以及顶部硬遮罩层；在所述顶部硬遮罩层上形成第一遮罩层，其中所述第一遮罩层具有多个开口暴露所述顶部硬遮罩层的一部分；蚀刻所述顶部硬遮罩层的所述暴露部分以形成第一图案化顶部硬遮罩层，其中所述第一图案化顶部硬遮罩层包含至少一个凹槽及至少一个残留部分在所述凹槽下，所述残留部分剩余的厚度小于所述凹槽的深度；在所述第一图案化顶部硬遮罩层的所述凹槽上形成图案化有机层；蚀刻所述第一图案化顶部硬遮罩层以形成第二图案化顶部硬遮罩层，其中所述第二图案化顶部硬遮罩层具有多个孔隙暴露所述中间硬遮罩层的一部分；以及使用所述第二图案化顶部硬遮罩层作为遮罩蚀刻所述中间硬遮罩层、所述底部硬遮罩层以及所述目标层以形成图案化目标层。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一图案化顶部硬遮罩层具有多个第一条状结构，所述图案化有机层具有多个第二条状结构，所述多个第一条状结构与所述多个第二条状结构平行，并且各所述第二条状结构设置在所述多个第一条状结构之间。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述顶部硬遮罩层的厚度大于所述中间硬遮罩层的厚度。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述顶部硬遮罩层及所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：施信益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71