本发明公开了一种分析至少一个晶体管的装置与方法，其中分析至少一个晶体管的装置包括测试电路、测量装置与处理器。测试电路电性连接晶体管，用于测试晶体管。测量装置电性连接晶体管，用于从晶体管接收波形。处理器电性连接测量装置，用于对波形进行曲线...

本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括一存储器，一温度传感器和一控制电路。该温度传感器感测该存储器的温度并产生温度感测信号。该控制电路耦接到该存储器和该温度传感器。该控制电路对该存储器进行存取操作，并根据该温度感测信号，参...

本公开提供一种半导体元件及其形成方法。该半导体元件包括一第一晶粒及一导电层。该第一晶粒经配置以在一方向上与该半导体元件外部的一第二晶粒接合。该导电层在该方向上位于该第一晶粒及该第二晶粒之间，经配置以实现一参考接地。

本发明公开了一种时钟信号产生电路及其操作方法，时钟信号产生电路的操作方法包含以下步骤：由电压侦测器传送时钟信号至时钟树电路；以及依据时钟树电路的电压调整时钟信号的频率以维持电压于电压范围内。本发明的时钟信号产生电路及其操作方法，可稳定时...

本公开提供一种泵电路、动态随机存取存储器及整体泵电流的控制方法。该泵电路包括多个第一使能模块。该多个第一使能模块各经配置以产生一第一使能信号并包括一第一电压输入、一第一比较单元、一第一数字逻辑门和一第二数字逻辑门。该第一比较单元耦合至该...

本发明提供一种存储器装置及其电压控制方法。所述存储器装置包括同步电路、时脉树与存储器控制器。同步电路接收参考时脉并产生时脉信号。时脉树分配时脉信号至多个信号路径。存储器控制器耦接至同步电路，并根据存储器装置的操作模式控制同步电路以调整时...

本发明公开了一种存储装置及其操作方法，存储装置的操作方法包含：侦测存储装置的第一温度；依据第一温度判定第一更新率；以及以第一更新率更新存储装置；其中第一更新率低于更新率上限阈值。本发明的存储装置及其操作方法中的控制器判定的更新率低于JE...

本公开提供一种稳压电路、动态随机存取存储器、以及位元线电压的稳定方法。该稳压电路包括一分压模块、一第一稳压模块和一第二稳压模块。该分压模块经配置以产生复数个参考电压。该分压模块包括复数个电阻器和一晶体管单元。该晶体管单元耦合至复数个电阻...

本发明公开了一种制造半导体结构的方法，包含下述步骤。在基板之上形成底部硬遮罩层。在底部硬遮罩层之上形成图案化中间硬遮罩层，且图案化中间硬遮罩层具有多个开口暴露出底部硬遮罩层的一部分。蚀刻底部硬遮罩层暴露的部分以及在底部硬遮罩层暴露的部分...

本发明公开了一种半导体元件制造方法，其包含在基板上的第一区域形成第一图案层，在第一图案层与基板上形成旋涂材料层，在旋涂材料层上形成蚀刻停止层，以及在蚀刻停止层上形成第一遮罩层。在不同段的蚀刻程序中进行蚀刻时，蚀刻停止层可以调整遮罩图案层...

本发明公开了一种在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法及接触孔结构，在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法包括在腔室内产生高密度电浆，以及利用高密度电浆将阻障材料沉积在接触孔或沟槽上方。阻障材料的沉积至少包括依序的第一沉积步骤、第二沉积步骤及第...

本公开提供一种检测电路、动能随机存取存储器、刷新频率的决定方法，检测电路包括：一时钟模块、一时钟接收器、一延迟锁相回路模块、一时钟树模块、一芯片外驱动器、一接垫、一相位检测器、一电压检测模块以及一控制模块。该时钟模块提供一时钟信号到该时...

本申请提供一种频率调整电路、电子存储器及多个动态随机存取存储器芯片的刷新频率的确定方法。该频率调整电路包括一温度感测模块、一计算模块及一储存模块。温度感测模块经配置以测量多个动态随机存取存储器芯片的温度。储存模块耦接于温度感测模块和计算...

本发明公开了一种半导体装置的制造方法，包括在具有第一及第二区域的基板上形成第一图案化标的层，第一图案化标的层具有沿第一方向延伸的第一条纹及第一开口；依序形成下硬遮罩层及中硬遮罩层并覆盖于第一图案化标的层；在中硬遮罩层上形成图案化上硬遮罩...

本公开提供一种泵浦电路，包括：一温度感测模块，经配置以测量一动态随机存取存储器(DRAM)的温度；一振荡模块，耦合于该温度感测模块，并经配置以根据该DRAM的温度产生一时钟信号；以及一泵浦模块，耦合于该振荡模块，并经配置以产生一泵浦电流...

本公开提供一动态随机存取记忆体(Dynamic Random Access Memory，DRAM)。该动态随机存取记忆体包括一第一节点、一第二节点和一垫体。该第一节点经配置以传导由该DRAM的内部元件产生的一第一内部信号。该第二节点经...

本发明公开了一种动态随机存取存储器中控制延迟锁相环的控制电路与方法。动态随机存取存储器(DRAM)包括延迟锁相环(DLL)、时脉树、片外驱动器(OCD)、相位检测器(PD)和滤波器。DLL接收参考时脉并更新延迟线，然后通过时脉树输出校准...

本公开提供一种焊接凸块、覆晶结构及其制备方法。该覆晶结构包括一基底；一接合垫；一保护层，围绕该接合垫；一第一焊接凸块；以及一第二焊接凸块。该第一焊接凸块包括一第一柱体，设置在该接合垫和该保护层的一相邻部上且沿着一垂直方向延伸；一第一涂层...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括半导体基板、介电层、栅极结构、以及源极半导体特征和漏极半导体特征。半导体基板具有主动区域和围绕主动区域的浅沟槽隔离结构。半导体基板包括突起结构。突起结构位于主动区域中并具有位于主动区...

本发明公开了一种前开式晶圆传送盒，包括容器、晶圆槽、至少一个输气管，以及至少一个排气管。晶圆槽配置于容器内。输气管配置于容器内，其中输气管具有沿着输气管排列的多个排气口。排气管配置于容器内，其中排气管具有沿着排气管排列的多个吸气口。通过...