本公开提供一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括一第一基材、一挡坝以及一第一接合垫。该第一基材包括一芯片安装区及一外连接区，该外连接区位于该芯片安装区外。该挡坝设于该第一基材之上，该挡坝设于该芯片安装区与该外连接区之间，该挡坝环绕...

本公开提供一种半导体装置及其制备方法。该半导体装置包括一基底、一第一型区域以及一第二型区域。该第一型区域位于所述基底上，并具有一环型结构。该第二型区域位于所述基底上，且位于所述第一型区域的中心内。该第二型区域为一正方型，并包括多个角部。

本公开关于一种鳍片结构及其制造方法。该鳍片结构包括：一基材以及至少一鳍片区域。该鳍片区域设于该基材上。该鳍片区域包括：一绝缘层以及一顶鳍层。该绝缘层设于该基材上。该顶鳍层设于该绝缘层上。该顶鳍层的至少一部分显露。该顶鳍层是一外延层。该绝...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括以下步骤。在一基板上形成一目标层。在该目标层上形成一第一图案化遮罩。在一些实施例中，该第一图案化遮罩包括多个第一开口，该多个第一开口彼此分开。将一第一牺牲层填充于该多个第一开口。在该第一...

本公开提供一种堆叠晶圆的制造方法及制造系统。该制造方法包括：接收一第一晶圆，该第一晶圆中形成有半导体元件；接收一第二晶圆，该第二晶圆中形成有半导体元件；将该第一晶圆附着到该第二晶圆上；以及使用该第一晶圆作为支撑件，通过薄膜化该第二晶圆形...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括一半导体基底、一第一氧化层、一位元线接触、一位元线、一第一氮化层，以及一第二氮化层。半导体基底具有一基部以及从基部延伸且彼此分隔的多个突部。第一氧化层设置在相邻二突部之间，且暴露出...

本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一半导体基板、一半导体层以及一接点。该半导体层位于该半导体基板的上方。该接点具有与该半导体层相连的一接面，其中该接点本质上朝向该半导体基板逐渐变细到该接面。

本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一晶圆、一半导体芯片以及多个第一增强结构。该半导体芯片设置于该晶圆的上方，并且该半导体芯片具有一非功能区及至少一功能区，该功能区设置于该非功能区内。该第一增强结构位于该非功能区内并且...

本公开提供一种半导体元件及其液体的液面变化的感测方法。该半导体元件包括一基板、一对壁以及一导电层。该对壁设置在该基板上。该对壁经配置以于该对壁之间界定出一凹槽。该凹槽接收一液体。该导电层设置在该基板上方并具有一电阻。该电阻的一变化与该凹...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底、多个堆叠、以及多个单元柱。该多个堆叠设置于该基底的上方并且通过至少一个切口彼此分离。该多个堆叠中的至少一个堆叠包括多个子堆叠，该多个子堆叠中的至少一个子堆叠具有顺序堆叠的一绝...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括下列步骤。具有第一掩模与第二掩模的掩模堆叠，形成在基底上。形成多个第三掩模。形成具有多个第一开口的图案层。经由各第一开口与各第三掩模以移除第二掩模的对应部分，进而形成多个第二开口；经由各...

本公开提供一种统计模型的开发方法及一种统计模型的开发系统。该开发方法包括：接收一极限模型；接收晶体管的一选定尺寸；以及基于该极限模型生成该选定尺寸的一统计模型。

本发明公开了一种存储器结构，包含第一存储胞、第一字节线及第二字节线。第一字节线包含第一部分、第二部分、第三部分。第一部分自第二部分的一端沿着第一方向延伸，而第三部分自第二部分的另一端沿着第二方向延伸。第一方向与第二方向的夹角小于180°...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含一半导体层、一第一导体、一第二导体以及一熔丝。该第一导体设置于该半导体层之上。该第二导体设置于该第一导体之上。该熔丝设置于该第一导体以及该第二导体之间，其中该熔丝包含一导电部以及由该...

本公开提供一种半导体封装及其制备方法。该半导体封装包括一元件芯片和一保护层。该元件芯片包括一主动区和一非主动区，该非主动区排列在该主动区周围。该保护层包括一第一部和第二部，该第一部设置在该非主动区内且围绕该主动区，以及该第二部设置在该元...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括提供一堆叠结构，其中该堆叠结构包括按序堆叠的一氮化物层、一第一层、一停止层、一第二层及一第一氧化物层；形成一第三层于该第一氧化物层上；图案化该第三层以得到一线条与间隔图案，包括多个第一...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基底、一目标层、多个金属垫、多个导电线、多个导电插塞、一隔离衬垫、以及多个金属触点。该半导体基底具有一前表面、相对于该前表面的一后表面及连接到该后表面的一植入区。该目标层设置...

本公开提供一种半导体装置及其制作方法。该半导体装置包括一半导体晶圆、多个半导体芯片、以及多个第一保护坝。该半导体晶圆具有被多个竖直切割道及多个水平切割道区隔开来的多个功能区。该半导体芯片分别装设于所述功能区。所述第一保护坝设于所述竖直切...

本公开提供一种具有硅通孔(through silicon via，TSV)的半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基底、一主动元件，以及一硅通孔结构。该半导体基底具有一第一表面和一第二表面，该第二表面与该第一表面相对。该主动元...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基材、一介电层、一阻障层、及一导电层。该半导体基材具有多个凸台。该介电层设于该半导体基材上且具有多个分别设于所述凸台上的区域。该阻障层形成于该凸台的一第一侧面、该区域的一第二...