【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法
本公开主张2018年11月07日申请的美国正式申请案第16/183,374号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体元件及其形成方法，特别涉及一种包括侧壁间隔件的半导体元件。
技术介绍
近年来，DRAM芯片的存储胞的密度及数量已急剧增加。基板上的DRAM芯片的区域由紧密间隔的存储胞阵列组成，其具有沿DRAM芯片外围的地址和读/写电路。各个DRAM胞(存储胞)由单个存取晶体管(通常为场效应晶体管(fieldeffecttransistor，FET))和存储电容器形成，存储电容器与FET的源区/漏区一者接触。存储电容器用于存储以二进制形式(即，数值0和数值1)的信息作为电荷，源区/漏区另一者连接至位元线，位元线用于通过DRAM芯片上的外围电路来读取和写入信息。通常在主动元件(胞区域)上形成FET的栅极的电极的字元线，字元线用于随机存取各个存储胞。上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开了本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基板、一半导体层以及一接点。该半导体层位于该半导体基板的上方。该接点具有与该半导体层相连的一接面，其中该接点本质上朝向该半导体基板逐渐变细到该接面。在一些实施例中，该半导体元件还包括一第一侧壁间隔件以及一第二侧壁间隔件。该第二侧壁间隔件...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：/n一半导体基板；/n一半导体层，位于该半导体基板的上方；以及/n一接点，具有与该半导体层相连的一接面，/n其中该接点本质上朝向该半导体基板逐渐变细到该接面。/n
【技术特征摘要】
20181107 US 16/183,3741.一种半导体元件，包括：
一半导体基板；
一半导体层，位于该半导体基板的上方；以及
一接点，具有与该半导体层相连的一接面，
其中该接点本质上朝向该半导体基板逐渐变细到该接面。
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：
一第一侧壁间隔件；以及
一第二侧壁间隔件，与该第一侧壁间隔件相对，
其中该半导体层和该接点均位于该第一侧壁间隔件和该第二侧壁间隔件之间。
3.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：
一第一位元线结构；
一第二位元线结构；
一第一侧壁间隔件，设置在该第一位元线结构的每一侧壁上；以及
一第二侧壁间隔件，设置在该第二位元线结构的每一侧壁上，
其中多个所述第一侧壁间隔件中的一者与多个所述第二侧壁间隔件中的一者相对，以及
其中该半导体层和该接点均位于多个所述第一侧壁间隔件中的该者与多个所述第二侧壁间隔件中的该者之间。
4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：
一主动区，位于该半导体基板中，
其中，该接点经配置以布线该主动区。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体层包括一外延层。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体层具有与该半导体基板相连的一接面，
其中该半导体层本质上在该半导体层和该半导体基板之间逐渐变细到该接面。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体层的厚度在约1纳米至约100纳米的范围内。
8.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：
一第一结构，包括：
一第一位元线结构；以及
一第一侧壁间隔件，设置在该第一位元线结构的一侧壁上；以及
一第二结构，包括：
一第二位元线结构；以及
一第二侧壁间隔件，设置在该第二位元线结构的一侧壁上，
其中该半导体层和该接点均在该第一结构和该第二结构之间，以及
其中该第一结构的锥形方向与该第二结构的锥形方向相同，并且该第一结构的锥形方向与该接点的锥形方向相反。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一结构的锥形方向与该半导体层的锥形方向相反。
10.一种半导体元件，包括：
一半导体基板；
一第一侧壁间隔件；
一第二侧壁间隔件，与该第一侧壁间隔件相对；
一半导体层，设置在该半导体基板上方，该半导体层包括一上部和一下部，该上部及该下部设置在该第一侧壁间隔件和该第二侧壁隔件之间，该上部设置在该下部的上方，其中该上部的长度在设置在该第一侧壁间隔件及该第二侧壁间隔件的方向上比该下部的长度较长；以及
一接点，设置在该...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄仲麟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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