半导体结构及其制造方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括一半导体基底、一第一氧化层、一位元线接触、一位元线、一第一氮化层，以及一第二氮化层。半导体基底具有一基部以及从基部延伸且彼此分隔的多个突部。第一氧化层设置在相邻二突部之间，且暴露出突部的一上部位。位元线接触覆盖上部位。位元线设置在位元线接触上。第一氮化层位于位元线接触、位元线的侧表面，以及暴露在位元线接触外的第一氧化层的一上表面及一侧壁上。第二氮化层具有一间隔地形成在第一氮化层上，并可连接到位于侧壁上的第一氮化层，借此在第一氮化层与第二氮化层之间形成一气隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本公开主张2018年11月8日申请的美国正式申请案第16/184,226号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体结构及其制造方法。特别涉及一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory(DRAM))的一沟槽电容器(trenchcapacitor)，其具有一气隙，以避免寄生漏电流(parasiticleakage)，以及该沟槽电容器的制造方法。
技术介绍
传统现有的动态随机存取存储器单元(dynamicrandomaccessmemory(DRAM)cell)100，如图1所示，包含一晶体管T以及一电容器C。晶体管T的源极(source)连接到相对应的一位元线(bitline)BL。晶体管T的漏极(drain)连接到电容器C的一存储电极(storageelectrode)。晶体管T的栅极(gate)连接到相对应的字元线(wordline)WL。电容器C的一对向电极(oppositeelectrode)是用一定电压源(constantvolt本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一半导体基底，具有一基部以及多个突部，所述多个突部从该基部延伸且相互间隔设置；/n一第一氧化层，设置在相邻的二突部之间，并暴露出在该第一氧化层的一些部分之间的该突部的一上部位；/n一位元线接触，覆盖在该突部的该上部位；/n一位元线，设置在该位元线接触上；/n一第一氮化层，设置在该位元线接触与该位元线的各侧表面上，以及设置在该第一氧化层的一上表面与一侧壁上，而该侧壁是邻近暴露在该位元线接触的该上表面处；以及/n一第二氮化层，以一间隔至少形成于位于所述多个侧表面上的该第一氮化层上，并连接到位于该侧壁上的该第一氮化层，借此在第一氮化层与该第二氮化层之间形成一气隙。/n

【技术特征摘要】
20181108 US 16/184,2261.一种半导体结构，包括：
一半导体基底，具有一基部以及多个突部，所述多个突部从该基部延伸且相互间隔设置；
一第一氧化层，设置在相邻的二突部之间，并暴露出在该第一氧化层的一些部分之间的该突部的一上部位；
一位元线接触，覆盖在该突部的该上部位；
一位元线，设置在该位元线接触上；
一第一氮化层，设置在该位元线接触与该位元线的各侧表面上，以及设置在该第一氧化层的一上表面与一侧壁上，而该侧壁是邻近暴露在该位元线接触的该上表面处；以及
一第二氮化层，以一间隔至少形成于位于所述多个侧表面上的该第一氮化层上，并连接到位于该侧壁上的该第一氮化层，借此在第一氮化层与该第二氮化层之间形成一气隙。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其中当该上部位被该位元线接触所覆盖的一高度等于或是大于20nm时，该气隙为一钩型气隙。


3.如权利要求1所述的半导体结构，其中当该上部位被该位元线接触所覆盖的一高度小于20nm时，该气隙为一线型气隙。


4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第二氮化层还连接到该第一氧化层的该上表面。


5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一覆盖层，位于该第二氮化层上。


6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第一氮化层还形成在该覆盖层上。


7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一顶层，设置在该位元线上，其中该顶层的一侧表面被该第一氮化层所覆盖。


8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第一氮化层还设置在该顶层上。


9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该位元线接触还设置在该第一氧化层的该上表面的一部位上。


10.一种半导体结构的制造方法，包括：
提供一半导体基底；
在该半导体基底上形成相互间隔设置的多个沟槽；
在所述多个沟槽内沉积一第一介电层；
在该第一介电层与该半导体基底的一些部位上，形成一位元线接触孔；
在该位元线接触孔内沉积一接触层；
在该接触层上沉积一位元线导电层；
将该接触层与该位元线导电层的一些部位进行移除，以暴露出一第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：何瑞文，姜序，陈思瀚，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71